过饱和溶液PPT课件

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溶解度与温度的关系可以用饱和曲线 和过饱和曲线表示
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影响溶液过饱和度的因素
饱和曲线是固定的 不饱和曲线受搅拌、搅拌强度、晶种、
晶种大小和多少、冷却速度的快慢等 因素的影响
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结晶与溶解度之间的关系
晶体产量取决于溶液与固体之间的溶 解—析出平衡;
固体溶质加入未饱和溶液——溶解; 固体溶质加入饱和溶液——平衡
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晶核的成核速度
定义:单位时间内在单位体积溶液中 生成新核的数目。
是决定结晶产品粒度分布的首要动力 学因素;
成核速度大:导致细小晶体生成 因此,需要避免过量晶核的产生
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成核速度的近似公式
B keGmax/ RT
B—成核速度
ΔGmax—成核时临界吉布斯自由能
K—常数
B kn (c c)n
沉淀
2
只有同类分子或离子才能排列成晶体, 因此结晶过程有良好的选择性。
通过结晶,溶液中大部分的杂质会留 在母液中,再通过过滤、洗涤,可以 得到纯度较高的晶体。
结晶过程具有成本低、设备简单、操 作方便,广泛应用于氨基酸、有机酸、 抗生素、维生素、核酸等产品的精制。
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AFM下的抗生素晶体
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AF来自百度文库下的抗生素晶体层
Kn—晶核形成速度常数 c—溶液中溶质的浓度 C*—饱和溶液中溶质的浓度
n—成核过程中的动力学指数
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常用的工业起晶方法
自然起晶法:溶剂蒸发进入不稳定区形
成晶核、当产生一定量的晶种后,加入稀 溶液使溶液浓度降至亚稳定区,新的晶种 不再产生,溶质在晶种表面生长。
23结 晶 Crystallization
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结晶的概念
溶液中的溶质在一定条件下,因分子有规则 的排列而结合成晶体,晶体的化学成分均一, 具有各种对称的晶体,其特征为离子和分子 在空间晶格的结点上呈规则的排列
固体有结晶和无定形两种状态 结晶:析出速度慢,溶质分子有足够时间进
行排列,粒子排列有规则 无定形固体:析出速度快,粒子排列无规则-
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盐析结晶
加入一种物质于溶液中,使溶质的 溶解度降低,形成过饱和溶液而结 晶的方法。
常用的沉淀剂:固体氯化钠、甲醇、 乙醇、丙酮
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23.3 晶核的形成
初级成核:无晶种存在。均相成核和非 均相成核。
二次成核:有晶种存在。剪切力成核和 接触成核。
晶核的形成是一个新相产生的过程,需 要消耗一定的能量才能形成固液界面;
因此,在恒温、恒压条件下,形成一个半径 为r 的晶核,其总吉布斯自由能的变化为: ΔG=4 πr2(σ+(r/3) ΔGv)
ΔGv—形成单位体积晶体的吉布斯自由能变化 23
临界半径(rc)
临界晶核半径是指ΔG为最 大值时的晶核半径;
r<rc 时, ΔGs占优势,故 ΔG>0,晶核不能自动形成;
因此,结晶过程是一个表面化学反应 过程。
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晶体的形成
形成新相(固体)需要一定的表面自由能。 因此,溶液浓度达到饱和溶解度时,晶体 尚不能析出,只有当溶质浓度超过饱和溶 解度后,才可能有晶体析出。
首先形成晶核,由Kelvin公式,微小的晶 核具有较大的溶解度。实质上,在饱和溶 液中,晶核是处于一种形成—溶解—再形 成的动态平衡之中,只有达到一定的过饱 和度以后,晶核才能够稳定存在。
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过饱和度S:
S c c*
最先析出的微小颗粒是以后晶体的中心,称为晶核。
晶体的形成过程: 过饱和溶液的形成 晶核的形成 晶体生长 其中,溶液达到过饱和状态是结晶的前提;过 饱和度是结晶的推动力。
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温度与溶解度的关系
由于物质在溶解时要吸收热量、结晶 时要放出结晶热。因此,结晶也是一 个质量与能量的传递过程,它与体系 温度的关系十分密切。
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真空蒸发冷却法 使溶剂在真空下迅速蒸发,并结合绝 热冷却,是结合冷却和部分溶剂蒸发 两种方法的一种结晶方法。 设备简单、操作稳定
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化学反应结晶 加入反应剂产生新物质,当该新物质 的溶解度超过饱和溶解度时,即有晶 体析出; 其方法的实质是利用化学反应,对待 结晶的物质进行修饰,一方面可以调 节其溶解特性,同时也可以进行适当 的保护;
(Vs=Vd) 固体溶质加入过饱和溶液——晶体析出
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过饱和溶液的形成
热饱和溶液冷却(等溶剂结晶)
适用于溶解度随温度升高而增加的体 系;同时,溶解度随温度变化的幅度 要适中;
自然冷却、间壁冷却(冷却剂与溶液
隔开)、直接接触冷却(在溶液中通
入冷却剂)
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部分溶剂蒸发法(等温结晶法) 适用于溶解度随温度降低变化不大的 体系,或随温度升高溶解度降低的体 系; 加压、减压或常压蒸馏
2M
c * RTr
C*---小晶体的溶解度;
C---颗粒半径为r的溶质溶解度
σ---固体颗粒与溶液间的界面张力;
ρ---晶体密度
R---气体常数;
T---绝对温度 7
结晶过程的实质
结晶是指溶质自动从过饱和溶液中析 出,形成新相的过程。
这一过程不仅包括溶质分子凝聚成固 体,还包括这些分子有规律地排列在 一定晶格中,这一过程与表面分子化 学键力变化有关;
r>rc 时, ΔGv占优势,故 ΔG<0,晶核可以自动形成, 并可以稳定生长;
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过饱和度
临界晶体半径
r<rc 晶体自动溶解 r>rc晶体自动生长
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临界成核功( ΔG max)
ΔG max相当于形成临界大小晶核时,外界 需消耗的功。
Gmax
1 3
Gs
临界成核功仅相当于形成临界半径晶核时表面吉布斯自由能的 1/3,亦即形成晶核时增加的ΔG s中有2/3为ΔG v的降低所抵 消.
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23.1结晶过程分析
饱和溶液:当溶液中溶质浓度等于该 溶质在同等条件下的饱和溶解度时, 该溶液称为饱和溶液;
过饱和溶液:溶质浓度超过饱和溶解 度时,该溶液称之为过饱和溶液;
溶质只有在过饱和溶液中才能析出; 溶质溶解度与温度、溶质分散度(晶
体大小)有关。
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凯尔文(Kelvin)公式
c ln
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结晶过程中,体系总的自由能变化分为两 部分,即:表面过剩吉布斯自由能(ΔGs) 和体积过剩吉布斯自由能( ΔGv)
晶核的形成必须满足: ΔG= ΔGs+ ΔGv<0
通常ΔGs>0,阻碍晶核形成; ΔGv<0
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临界半径与成核功
假定晶核形状为球形,半径为r,则 ΔGv=4/3(πr3 ΔGv);若以σ代表液固界面的 表面张力,则ΔGs= σ ΔA=4 πr2 σ;
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