低频典型例题--部分参考答案
第五章低频功率放大电路习题及答案
第五章低频功率放大电路一、填空题1、以功率三极管为核心构成的放大器称__________ 放大器。
它不但输出一定的_________ 还能输出一定的_______ ，也就是向负载提供一定的功率。
2、功率放大器简称_____ 。
对它的要求与低频放大电路不同，主要是：__________ 尽可能大、_______ 尽可能高、 _______ 尽可能小，还要考虑_________ 管的散热问题。
3、功放管可能工作的状态有三种：______ 类放大状态，它的失真_______ 、效率___ ；_____ 它的失真 ______ 、效率 ______ 。
4、功率放大电路功率放大管的动态范围大，电流、电压变化幅度大，工作状态有可能超越输出特性曲线的放大区，进入 ___________ 或 __________ ，产生______ 失真。
5、所谓“互补”放大器，就是利用________ 型管和 _____ 型管交替工作来实现放大。
6、OTL电路和OCL电路属于 ____ 工作状态的功率放大电路。
7、为了能使功率放大电路输出足够大的功率，一般晶体三极管应工作在 ______ 。
8、当推挽功率放大电路两只晶体管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性_______ ，故在两管交替工作时产生 _______ 。
9、对于乙类互补称功放，当输入信号为正半周时，_________ 型管导通， ______ 型管截止；当输入信号为负半周时， ______ 型管导通，________ 型管截止；输入信号为零（Ui=O ）时，两管 ____ ，输出为________ 。
10、乙类互补对称功放的两功率管处于偏置工作状态，由于电压的在存在，当输入信号在正负半周交替过程中造成两功率管同时―, 引起 _________ 的失真，称为_____ 失真。
11、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：__________ 类功放、___________类功放和 ___________ 类功放电路。
低频电子线路 练习题
（2）无负反馈放大器增益：
Av
v0 vi
4 40 0.1
由此可得: BvAA vvfA Avvf4 40 0 2 20 00.025
习题4.4
解：
负反馈所能抑制的干扰和噪声是 B 。 A、 输入信号所包含的干扰和噪声 B、 反馈环内的干扰和噪声 C、 反馈环外的干扰和噪声 D、 输出信号中的干扰和噪声
(g)电压串联负反馈
Ri ,R0, 可稳定 v0
(h)电压并联负反馈
Ri ,R0, 可稳定 v0
习题4.3 一个电压串联负反馈放大器，
当输入电压为0.1V时，输出电压为2V。 去掉负反馈后，对于0.1V的输入电压，输出 电压为4V ，计算它的电压反馈系数B v。
解：（1）负反馈放大器增益：
A vfv v0 i 1A A vvB v A vf0 2 .120
解：（1）电压并联负反馈
（2）由图可得：
if
v0 Rf
,
ii
vi Rs
在理想集成运放电路中：由“虚地”有：
ii if
v v0 i R R 1 f 3 vi1 V v03 V
习题4.13 判断图题4-13中各电路反馈的极性 及交流反馈的组态。
解：（a）电流串联负反馈
（b）电流并联负反馈 （c）电压并联负反馈
解法一：
（1）拆环等 效交流通路
信号源变换后等效交流通路
在深度负反馈条件下 并联负反馈的 R if 很 小，一般有 Rif Rs
（2）由图可得： if 1 , ii 1 v0 Rf vs Rs
在深度负反馈条件下： ii if
v0 v0 ii v0 ii vs ii vs if vs
Rf 3000 10 Rs 300
低频电子线路复习题一
低频电子线路复习题一1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是 [ ]A.NPN 型硅管 B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 图1.1 2V 6V D. PNP 型锗管 1.3V1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]A. 饱和B. 放大C. 截止 图1.2D. 已损坏1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]A.I CBOB.I CESC.I CERD.I CEO1.7二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时，三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
低频标准试题(A卷)
低频电子线路课程理论考试题（A 卷）参考教材： 《电子线路》 机械工业出版社 林理明【闭卷】班级： 学号： 姓名： 成绩：1、电子线路包含了3门主要课程，它们是 。
A 、 模拟电子线路、数字电子线路、电子线路B 、 低频电子线路、高频电子线路、数字电子线路C 、 电工、电子技术、数字电子线路D 、 移动通信、模拟通信、数字通信2、一个PN 结构成了一个二极管，二极管具有 。
A 、双向导电性 B 、单向导电性 C 、双向绝缘性 D 、放大作用3、三极管在放大状态下的电流分配关系是 。
A 、E I =B I +C I B 、E I ＜B I +C I C 、E I ＞B I +C I D 、E I ≠B I +C I4、外加电压使三极管的 ，三极管工作于放大状态。
A 、发射结零偏，集电结零偏 B 、发射结反偏，集电结反偏 C 、发射结正偏，集电结正偏 D 、发射结正偏，集电结反偏5、放大电路的静态是指输入交流信号 时的电路状态。
A 、幅值不变 B 、频率不变 C 、幅值为零 D 、相位不变6、某放大器的输入信号电压为10mV ，输出电压是1V ，则电压放大倍数 V A 倍A 、10B 、100C 、1D 、10007、放大电路引入反馈之后，如果反馈信号x f 与输入信号x i 反相，使净输入信号减少，这种反馈方式称为 。
A 、正反馈B 、交流反馈C 、直流反馈D 、负反馈8、在负反馈放大电路中，反馈元件通常接在 之间。
A、电源与地B、输入与地C、输出与地D、输入与输出9、要提高放大电路的输入电阻，降低放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈10、直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是。
A、放大倍数太小B、放大倍数太大C、外界存在干扰太大D、环境温度的变化引起器件参数变化11、抑制零点漂移最有效的措施是放大电路采用。
A、直接耦合放大电路B、差分放大电路C、负反馈放大电路D、正反馈放大电路12、在下图所示的复合管中，组合方式是合理的。
低频期末复习题及答案
低频期末复习题及答案一、填空1、通常在半导体中掺入微量元素，制成掺杂半导体，掺杂半导体分为和_ 两类。
Ｐ型半导体是在本征半导体中加入少量的元素构成的杂质半导体。
在N型半导体中，多数载流子是，少数载子是。
2、PN结未加外部电压时，扩散电流漂流电流，加正向电压时，扩散电流漂流电流，其耗尽层；加反向电压时，扩散电流漂流电流，其耗尽层。
3、PN结加正向电压时, 加反向电压时__ __。
4、晶体二极管具有单向导电性，即正向电阻小，反向电阻大。
5、要使稳压二极管具有稳压作用，应使其工作在反向击穿区。
6、要使放大器的输入电阻和输出电阻均提高，应采用反馈。
7、三极管工作在饱和区时，发射结为，集电结为，工作在放大区时，发射结为，集电结为。
8、由三极管组成的放大电路,在正常放大工作状态时,测得该管三个电极对地的电位分别为U1=3Ｖ，U2=-3Ｖ，U3=-2.7Ｖ。
试问此管的类型为_______型，管脚1为_____极，管脚2为_________极,管脚3为________极。
9、工作在放大区的三极管，其中共基组态只能放大；共集组态只能放大；共射组态既能放大也能放大。
10、试判断下图电路的反馈类型和反馈极性为______________。
11、乙类功率放大电路的效率比甲类功放电路_______。
甲类功放电路的效率最大不超过_______；乙类功放电路的效率最大为_______。
12、类互补对称低频功率放大器存在交越失真，应调整电路结构使其工作在类。
13、甲类功放电路是指放大管的导通角等于______，乙类功放电路则其导通角等于______，在甲乙类功放电路中，放大管导通角为______。
14、差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的，共模信号是两个输入端信号的。
15、在差动放大电路中，若U I1=10ｍＶ，U I2=8ｍＶ，则输入差模电压U Id=______ｍＶ，共模输入电压U Ic=______ｍＶ；若差模电压增益A ud=-10，共模电压增益A uc=-0.2，则差动放大电路单端输出电压U01=______ｍＶ。
低频标准试题(D卷)
低频电子线路课程理论考试题（D卷）参考教材：《电子线路》机械工业出版社林理明一、单项选择：（从下列四个答案中，选出一个正确的答案填入空格）40分1、电子技术中所说的“信号”是指：A、变化的电压B、变化的电流C、变化的电压或电流D、变化的功率2、关于对扩音机的描述，下列哪个正确：A、扩音机是一种常见的小信号放大电路B、扩音机只能对微弱的电信号进行电压放大，不能进行功率放大C、扩音机是把微弱的电信号经过电压放大和功率放大后，输出较强的电信号驱动扬声器D、扩音机的输出功率比输入功率小3、如果一个二极管的正、反向电阻值都很小，则该二极管：A、正常B、已被击穿C、内部断路D、无法判断4、三极管是一种的半导体器件。
A、电压控制B、电流控制C、既是电压控制又是电流控制D、既不是电压控制也不是电流控制5、NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是：A、基极B、集电极C、发射极D、无法判断6、有四只晶体三极管，除β和I CBO不同外，其他参数一样，用作放大器件时，应选用管为好。
A、β=50，I CBO=0.5μAB、β=100，I CBO= 2.5μAC、β=10，I CBO=3μAD、β=40，I CBO=0.5μA7、三级管内部有二个PN结，三极管具有。
A、电流放大作用B、电压放大作用C、双向导电性D、既有电流放大作用，也有电压放大作用8、放大电路的交流通路是指。
A、电压回路B、电流流过的路径C、交流信号流过的路径D、直流信号流过的路径9、共射极放大电路的输入信号加在三极管的之间。
A、基极和发射极B、基极和集电极C、发射极和集电极D、基极和电源10、小信号放大电路采用分压式偏置电路，主要目的是。
A、降低输出阻抗B、稳定静态工作点C、提高输入阻抗D、提高放大能力11、某工艺要求选用一个输入电阻大，输出电阻小的单管放大电路作为阻抗变换电路，应选用。
A、基本放大电路B、分压式偏置电路C、射极输出器D、任意一个单管放大电路12、要使放大电路的输出电阻提高，应选用负反馈。
低频练习
一、填空题(每空1分，共50分)1、N型半导体中的多数载流子是，P型半导体中的多数载流子是。
PN结具有的特性，是构成二极管和三极管的基本条件晶体二极管是利用PN结的特性制成的，其正向电阻，反向电阻。
2、硅材料二极管加上正向电压，开启电压大约是，充分导通时的管压降大约在左右。
二极管加反向电压时处于状态，如果反向电压太大，可能出现现象。
3、晶体管按极性可分为和两种类型，均具有两个PN结即和。
三极管工作在饱和区时，发射结偏，集电结偏；工作在截止区时，发射结偏，集电结偏。
三极管工作在放大区时，发射结偏，集电结偏。
4、为了实现三极管的电流放大作用，必须给三极管的加正向电压，加反向电压。
对NPN 管，三个电极的电位关系是V C V B V E．三极管的电流分配关系为，电流放大系数。
5、如下图所示硅稳压管稳压电路，当Vi=30V时，流过限流电阻R的电流I=________。
6、PN结正偏是指P区电位N区电位。
在本征半导体中掺入微量的五价元素，则形成型半导体，其多子为，少子为。
7、. 若测得放大电路中某三极管的三个电极对地电压分别为U1=-4V、U2=-1.5V、U3=-4.7V，则管为材料型的三极管，其中U1对应的管脚为极、U2对应的管脚为极、U3对应的管脚为极。
管型为（填NPN或PNP），材料为（填硅或锗）。
8、稳压管具有稳定的作用，工作于状态。
9、三极管的基本结构为三个区：、、 ;二个结：、 ;三个极：、、。
10、二极管具有特性，当二极管加一定的正向电压时，加反向电压时。
稳压二极管必须工作在电击穿状态，这样才能在较大的电流变化范围保持电压稳定。
11、三极管由于外部施加电压的极性不同，可处于放大、和状态。
其中处于放大状态的外部条件是正偏，反偏。
二、判断题：（６分）1、发光二极管工作于正向偏置。
（）2、光敏二极管工作在正向偏置状态。
（）3、稳压二极管正常工作时必须处于反向击穿状态。
（）三、简答题（共22分）1、．判断三极管的工作状态:状态状态状态状态状态状态2、已知三极管处在放大状态时各电极电位如图，判断各管的管脚、类型及材料。
低频电子线路习题(4～7章)(1)
图（f）电压串联负反馈，输入电阻高，输出电阻低。 图（g）Rf、Rg 引入级间电压串联负反馈（1）Rf 一端接在 T3 管输出端上，另一端 接在差分放大器同相输入端（T2 管）上，因此 Rf 引入级间反馈。 （2）假设输出端短路，Rf 引入的反馈消失，故为电压反馈。假设输入端短路（令υid＝0）电阻 Rg 上的反馈作用依然 存在，故为串联反馈。 （3）假设输入端υi1 为＋→则υc2 为＋→υe3 为＋→Rg 上端为＋。显 然， 作用在反相输入端电阻 Rg 上的反馈电压υf， 使差模输入电压υid 减小 （υid＝υi1－υf） ， 故为负反馈。 图（h）ib＝ii－if＜ii，电压并联负反馈，稳定输出电压，输入、输出电阻低。 4-10 倍数 o 判断题图 4-10 所示电路的反馈极性和组态，估算深度负反馈条件下的电压放大
6
则增益带宽积为
GBW Asm f H 71 729 10 3 51.8 10 6 Hz
高频区频率特性表达式为
A s
Avsm 1 j f fH
第6章 6-1 分别选择“反相”或“同相”填入下列空内。 （1） 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而 比例运算电路中集 成运放两个输入端的电位等于输入电压。 （2） 比例运算电路的输入电阻大，而 比例运算电路的输入电阻小。 （3） 比例运算电路的输入电流等于零，而 比例运算电路的输入电流等于 流过反馈电阻中的电流。 （ 4） 比例运算电路的比例系数大于 1，而 比例运算电路的比例系数小于 零。 解 （1） 反相 比例运算电路中集成运放反相输入端为虚地，而 同相 比例运算电路 中集成运放两个输入端的电位等于输入电压。 （2） 同相 比例运算电路的输入电阻大，而 反相 比例运算电路的输入电阻小。 （3） 同相 比例运算电路的输入电流等于零，而 反相 比例运算电路的输入电流等于 流过反馈电阻中的电流。 （4） 同相 比例运算电路的比例系数大于 1，而 反相 比例运算电路的比例系数小于 零。 6-5 电路如题图 6-5 所示，已知 R1＝50 kΩ，R2＝100 kΩ，R3＝2 kΩ，R4＝100 kΩ， R5＝R1∥(R2＋R3∥R4)，试求： （1）输入电阻； （2）比例系数。 解： （1）由题图 6-5 所示电路可见，这是一个反相比例运算电路。 Ri＝R1＝50 kΩ （2）由以下联立方程
低频电子电路第二章题解(何)
+4.7V
(c)
+0V
(d)
(b)
+4.9V
(+9V) (+4.2V)
解：
+0V
■
+11V
vBE 0 (0.7) 0.7V 0
vBC 0 11 11V 0
发射结正偏，集电结反偏。晶 体管工作在放大状态；
(a)
-0.7V +4.7V
vBE 4.7 (4.9) 0.2V 0
3
■
2-6
问：⑴ 已知某电路中未损坏晶体管的各端电位
如题图2-1 (a) (b) 所示，请判断该晶体管所处的工作 状态；⑵ 处于放大状态的晶体管各端电位如题图2-1
(c) (d) 所示，请标明该晶体管各电极名称、晶体管类
型和制造晶体管材料类型。
+11V +4.7V (+4V) (a) -0.7V (-10V) (-5V) (-5.7V)
微增大。
或者：基区调宽效应是——在晶体管的放大区，
随着集电结反偏的增加，基极电流 iB 略微减小, 集电极电流 iC略微增大。
7
■
2-11
场效应管的输出特性曲线如题图2-3所示，请画
出相应的转移特性曲线，指出管子类型，写出饱和 区转移特性表达式和相应的条件。
8
■
（c）
（d）
9
■
解：(a) 图相应的转移特性曲线如下
2
n COXW
2l
(vGS VGS(th) )
2
n COXW
2l
(vGS 1.5) 2
条件：
vGS > VGS(th) ， VGS(th) < 0 vDS > vGS–VGS(th) > 0
2013高考大揭秘 专题三 三年一考·低频点(共60张课件)
解析 从材料中可知，“乐活族”的消费考虑 了健康和生态环境，这表明他们重视了商品和 服务的品质，属于理性的消费行为，③④符合 题意；材料未涉及到精神消费和生产的问题， ①②与题无关。 答案 C
3．一般化妆品一旦开封，都很容易坏掉，不但效果大 打折扣，甚至会伤害皮肤。针对这点，精明的商家 推出了小巧的化妆品保鲜冰箱。这种美容冰箱一上 市就得到了许多消费者的青睐。随着美容冰箱这一 新鲜概念逐渐被人们认知，相关公司已开始下大力 气开拓市场。上述材料说明 ( )。 A．消费对生产具有反作用 B．消费结构决定生产结构 C．消费方式决定生产方式 D．生产水平决定消费水平
第三部分
2013高考大揭秘
专题三 三年一考· 低频点
※三年一考·低频点一 消费
年 题 份 号
命题 情景材 知识 料 点
2013预测
201
25
树立 正确
近三年高考对该考点的 考查既有选择题，也有 非选择题。预计2013年 将可能从以下三个方向 命题：结合具体的消费 居民的 行为判断该行为属于什 通货膨 么类型或者属于哪一种 胀预期
1．党和国家高度重视新时期民族工作，“兴边富民” 行动实施10多年来，随着边疆和民族地区群众生活 的明显改善，各民族群众的凝聚力和向心力也明显 增强。这说明 ( )。 A．民族平等是民族团结的前提条件 B．各民族共同繁荣是民族团结的物质保证 C．民族凝聚力是国家综合国力的重要标志 D．民族团结是民族平等的政治基础
解析 本题考查处理民族关系的基本原则。生活的改善使凝聚 力和向心力增强，体现了B项；A、D两项中的“民族平等”、 C项中的“综合国力”与材料无关。答案 B
2．2012年4月30日，第九届中国生态旅游发展论坛暨中国州长 论坛在贵州省黔西南布依族苗族自治州举行，全国11个少数 民族自治州的州长及代表汇聚中国贵州，共论少数民族地区 生态旅游及经济社会发展。关于民族区域自治州的说法正确 的是 ( )。 A．该州自治权由所有少数民族享有 B．自治州的自治权由州人大和政府行使 C．自治州是是民族区域自治的最低级别 D．实行州级自治有利于实现共同富裕
低频电子线路课后习题答案1-3
低频电子线路习题第1章1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别？解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。
在室温的情况下，由本征激发产生自由电子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度kTE i g eT A n 22300-=与温度有关。
杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入5价元素的杂质可得到N 型半导体，N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。
在杂质半导体中，多子的浓度取决于杂质的浓度，而少子的浓度与2i n 或正比，即与温度有很大的关系。
若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。
1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。
1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么？ 解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流1-4 在PN 结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？解：PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN 结上，而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。
漂移大于扩散，由于在P 区及N 区中少子的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。
1-5 将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。
而一般由导体构成的电阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。
（1） 二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。
正向电阻很小，而反向电阻很大。
第2章 晶体三极管的基础知识
第二章晶体三极管和单级低频小信号放大器第一节晶体三极管的基础知识知识点1 理解晶体三极管的结构、分类、符号和基本联接方式【典型例题】【例1】判断题（）在共发射极接法中，输入信号从基极入，集电极出。
【解析】共发射极接法的公共端为发射极，信号从基极和发射极之间输入，从集电极和发射极之间输出。
本题描述不清晰，易导致误会。
【答案】答案为×。
【例2】选择题晶体三极管基本连接方式中既能放大电流又能放大电压的联接方式是（）。
A.共发射极B.共集电极C.共基极D.共漏极【解析】共集电极接法只有电流放大作用，没有电压放大；共基极接法只有电压放大作用，没有电流放大;只有共发射极接法既能放大电流又能放大电压。
【答案】选择A。
【一课一练】一、判断题（）1.晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是锗NPN和硅PNP 两种三极管。
（）2.晶体三极管的管脚有三个，分别是发射极、门极、基极。
（）3.晶体管由两个PN结组成，所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。
（）4.晶体三极管的集电极和发射极可以互换使用。
（）5.用万用表黑表笔固定三极管的某一个电极，红表笔分别接三极管另外两电极，观察指针偏转情况。
若两次的测量阻值都大或是都小，则引脚所接就是基极。
二、选择题1.晶体三极管在三个掺杂区域中，位于中间的区域为（）。
A.发射区B.集电区C.基区D.共极区2.晶体三极管的图形符号中，有箭头的电极为（）。
A.发射极B.基极C.集电极D.公共极3.如图2-2-4所示，该电路为（）电路。
A.共基极B.共发射极C.共集电极图2-2-44.用指针式万用表的电阻档测量晶体三极管时，应该打的档位是（）。
A.R×1B.R×10C.R×100D.R×10K5.晶体三极管在组成放大器时，根据公共端的不同，连接方式有（）。
A.1B.2C.3D.4【知识点1参考答案】一、判断题ⅹⅹⅹⅹⅹ二、选择题 CACCC知识点2 识记晶体三极管的放大条件、放大作用和电流分配关系【典型例题】【例1】选择题三极管工作在放大状态时，其两个PN结必须满足（）。
何丰主编低频电子电路习题参考答案
)
V D1
截止，情况如下：
> V D ( on ) = 0.6V
V D 2 导通
I
+
+ vi −
1k Ω
VD( on ) −
1k Ω
+ v0 −
v0 =
vi − v D ( on ) = 2 I
1 2 1 = 2
(v (v
i
− v D (o n ) + v D (o n ) + v D (o n
i
+10V
10k Ω
D1
B A
D3
C
+ vI −
V
D2
E
D4
10k Ω
10k Ω
−10V
解：根据题意得： 假设 D1 可得 D2 D3 D4 断开
vD1 = 10 − vI
VD
2
= 1 0V
V D 3 = 1 0V
当
vD 4 = 10 + vI
可得 v
E
v
I
> 0
时， D4 优先导通
= v I − 0 .7
e
b
b
c
NPN
c
PNP
e
2-7 解：根据题意得：
e
V B E = − 3 .2 + 2 .5 = − 0 .7 V V C E = − 7 + 2 .5 = − 4 .5 V
放大
VBE = VB −VE = −3.2 + 2.5 = −0.7V
⑵、
VCE = VC −VE = 7 − 3.2 = 3.8V
C
V
+
7V 0. −
低频练习题
《低频电子线路》练习题一、单项选择题1、无线电波的波长是100m ，则其频率是A 、30MHzB 、3KHzC 、10MHzD 、10KHz2、晶体三极管工作在饱和状态时，集电极电流C i 将（ ）。
A 、随B i 增加而增加 B 、随B i 增加而减少C 、与B i 无关，只决定于e R 和CE uD 、不变3、在当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时， 它的低频跨导g m 将（ ）。
A. 增大 B 、不变 C 、减小 D 、等于04、石英晶体的串联谐振频率f p 和并联谐振频率f s 的关系是A 、f p ≤f sB 、f p =f sC 、f p >f sD 、f p <f s5、超外差调幅收音机的中频是A 、365kHzB 、465kHzC 、100kHzD 、500kHz6、RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（）。
A. 基本共射放大电路B. 基本共集放大电路C. 反相比例运算电路D. 同相比例运算电路7、谐振回路的有载品质因素Q L 为10，中心频率是40MHz ，则通频带B 0.7是A 、0.4MHzB 、2.5MHzC 、4MHzD 、100MHz8、集成运放制造工艺使得同类半导体管的（ ）。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响C. 参数一致性好D. 使用寿命延长9、电路的A uc 越大表示（ ）。
A. 温漂越大B. 抑制温漂能力越强C. 对差模信号的放大能力越强D. 抑制零点漂能力越强10、在调频信号中，调制信息包含在载波的哪种选项中?A 、频率变化之中B 、幅度变化之中C 、相位变化之中D 、相差变化之中11、混频器的中频是f I ＝100kHz ，输入信号载频f c ＝1000kHz ，则本振信号f L 的频率为。
A 、1800kHzB 、800kHzC 、200 kHzD 、1100kHz12、锁相环路的简称是A 、AGCB 、APC C 、PLLD 、ANC13、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（ ）放大电路A. 共发射极B. 共集电极C. 共基极D.共集-共基14、高频小信号调谐放大器的工作状态是A、甲类B、乙类C、丁类D、丙类15、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。
低频电子电路习题答案及指导 何丰
1-8 在题图1-4所示的硅二极管电路中，输入交流信号V im 为5mV ，问输出交流电压V om 为多少？设电容C 对交流信号的容抗可忽略不计。
【分析思路】 （1）从电路结构出发，在两个电源作用下，电路中每个元器件的电压和电流原则上均包含两部分响应，即不变的直流和变化的交流；（2）具体说来，电容所在支路因电容的存在不可能含直流电流的流动，即Ω25电阻上无直流电压降；（3）考虑到交流电压的变化范围较小，由此在各元件上引起的变化电压和电流也不会大，即相对于直流属于小信号。
综合起来，该题可以采用在直流工作点下的小信号分析方法。
【解答】（1）在令交流电压源为零条件下，画出原电路的直流通路如图1-8-1（a ）所示。
（a ）题图1-4在V im =0时的电路图 （b ）直路分析图 （c ）二极管分析模型图1-8-1 题图1-4的直流通路获取在只提供二极管为“硅管”信息条件下，我们能采用的最精确二极管模型也只有图1-8-1（c ）的模型了。
据此，得V 3.57.06直o =-=V ，mA 04.11.5/3.5直D ==I ；管子处于导通状态。
（2）在令原图中直流电压源为零条件下，画出原电路的交流通路如图1-8-2（a ）所示，在二极管用小信号电阻替代，容抗为零的电容用短路线替代后得小信号等效图（c ）。
（a ）令原图直流源为零时的电路 （b ）整理后的交流通路 （c ）小信号等效图题图1-4图1-8-2 题图1-4的交流分析图获取Ω≈=≈25mA 04.1mV26DQ T d 常温I V r ()()[]mV 5.225//105.125//105.12533imom ≈⨯⨯⨯+=V V 【结论】 在二极管直流压降V 3.5直D =V ，交流压降mV 5.2m d =交V 条件下，可知满足计算前的“小信号分析”假设条件，因此分析合理，即mV 5.2om ≈V 。
1-9 请思考下列说法是否正确：（1）二极管的结电容越大二极管允许的最高工作频率越高；（2）二极管的结电容与外加电压的关系是线性的；（3）二极管的结电容由势垒电容和扩散电容组成；（4）在反偏时主要由扩散电容起作用。
大学生电子方案设计书竞赛G题低频功率放大器题解分享
2009年全国大学生电子设计竞赛G题低频功率放大器题解分享本主题由 soso 于 2009-10-30 16:47 解除置顶裸片初长成芯币4693 枚∙个人空间∙发短消息∙加为好友∙当前离线xu__changhua的全部文章楼主大中小发表于 2009-9-8 01:06 只看该作者2009年全国大学生电子设计竞赛G题低频功率放大器题解分享2009年全国大学生电子设计竞赛G题是一个设计功率放大器的题，主要考核学生模拟电子技术的基础技能，要求是一定要用场效应晶体管做末级放大，且电路增益要求很大，如5mV的输入要达到5W（8欧负载）的输出，算下来要1265倍，这么大倍数的放大器还要求噪声非常小，小到5mV，失真度1%，这题相对来说是比较难的。
此外，还要检测放大器的输出功率、电源供给功率以及效率，这部分稍微容易些，但是也不是那么轻易就能解决的。
先说说实现方案吧。
功率放大器实现方法有几类，低频的有甲、乙、甲乙、丁等几种。
甲类效率很低，约20%左右，但是其失真度可以做的非常小，如0.1%，效率没做评分要点，只是适当考虑，所以可以采用；乙类的只能有半周输出，失真度太大所以不能采用。
甲乙类是解决甲类的效率和乙类的失真度的综合途径，推荐采用；丙类肯定不用了，那是高频功率放大器专用的类型，这里是低频的（10Hz~50KHz），所以不能采用；丁类的（就是所谓的D类）采用H桥的开关方式工作，输入的信号要进行PWM（PWM是脉冲宽度调制），H桥输出后是一个开关量，要经过LC滤波转变为模拟量，再传送给扬声器。
这种方法效率极高，但是电路复杂，调试困难，且效率不做评分的主要依据，建议舍弃这种方案。
经过综合权衡考虑，宜采用甲乙类比较合适。
再说下电路组成结构该课题有三个主要部分构成，1：功率传输部分；2：电压放大部分（1265倍以上）；3：信号测量部分功率传输部分没得选，课题已经规定了，一定得用场效应管，最好是P沟道和N沟道互补，这么大功率的场效应管要用V-MOS的，需要查场效应管资料来选型，尤其注意其源极电阻要小，这样才能发挥出优秀的转换效率，此外就是电压和电流的选型。
低频电磁场强和干扰场强综合试卷解析及答案
1．500kV超高压送变电工程电磁辐射环境影响评价的初步评价报告书应在建设方获得许可文件(证)后进行。
①答案：工程项目规划建设2．500kV超高压送变电工程电磁辐射环境影响评价的最终评价报告书，应该在项目运行后左右完成。
①答案：一年3．500kV超高压送变电工程电磁辐射环境影响评价的初步评价报告书，以相关调查资料、以及理论计算为主，对项目的电磁环境影响作出预测。
①答案：类比测量4．500kV超高压送变电工程电磁辐射环境影响评价的最终评价报告书，应以本项目设施正常运行时环境监测规定的数据为准作出实际环境影响评价。
①答案：实测5．电磁辐射环境影响报告书是一个独立的、完整的、正式的有法律效力的技术文件，须由持有的单位和有资格的技术人员编写。
①答案：电磁辐射环境影响评价专项证书6．500kV超高压送电工程电磁辐射环境影响，应分别按变电所和送电线路在施工期和的电磁辐射环境影响进行说明。
①答案：运行期7．对于500kV超高压送电工程高压送电线路的无线电干扰限值，根据国家标准《高压交流架空送电线无线电干扰限值》(GB 15707-1995)规定在距边相导线投影20m距离处，测试频率为0.5MHz的晴天条件下不大于。
①答案：55dB(μV／m)8．关于超高压送变电设施的工频电场、磁场强度限度值目前尚无国家标准。
为便于评价，根据我国有关单位的研究成果，送电线路设计规定和参考各国限值，推荐暂以 kV／m作为居民区工频电场评价标准。
①答案：49．关于超高压送变电设施的工频电场，磁场强度限度值目前尚无国家标准。
为便于评价，推荐应用国际非电离辐射保护协会关于对公众全天辐射的工频限值 mT作为磁感应强度的评价标准。
①10．干扰场强单位为μV／m，用dB表示时1μV／m对应为 dB(μV／m)。
④答案：011．在高压输变电无线电干扰测试中，参考测量频率为 MHz。
④答案：0.512．在高压输变电无线电干扰测试中，有效的测量是电磁环境电平至少比来自被测对象的干扰电平低 dB。
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复习题一、填空：1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，必须具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。
2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（磷（+5））元素物质后形成的杂质半导体。
3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。
4.在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。
5．集成运放主要包括输入级、( 中间级)、( 输出级)和 ( 偏置)电路。
其中输入级一般采用( 差分放大)电路。
6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。
7．甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（效率高，管耗小），其最高效率可达到（ 78.5% ），但容易产生（交越）失真。
8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（零漂、温漂）。
9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（ 10 ）。
10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（ RC ）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（ LC ）振荡器。
11．半导体二极管具有（单向导电）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。
12．晶体三极管是一种（电流控制电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（正偏）集电结（反偏），而场效应管是一种( 电压控制电流 ) 控制型器件。
13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。
14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。
15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。
16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共集电极组态、共基极组态）输入电阻最小的是（ 共基极 ）电路。
17．在一个交流放大电路中，测出某晶体管三个管脚对地电位为：（1）端为1.5V ，（2）端为4V ，（3）端为2.1V ，则（1）端为（ 发射 ）极；（2）端为（ 集电 ）极；（3）端为（ 基 ）极；该管子为（ NPN ）型晶体管。
18．若要设计一个输出功率为10W 的乙类功率放大器，则应选择P CM 至少为（ 4 ）W的功率管两只。
19．电流串联负反馈放大器是一种输出端取样量为（ 电流 ），输入端比较量为（ 电压 ）的负反馈放大器，它使输入电阻（ 增大 ），输出电阻（ 增大 ）。
20．在一个交流放大电路中，测出某晶体管三个管脚对地电位为：（1）端为1.5V ，（2）端为4V ，（3）端为2.1V ，则（1）端为（ 发射 ）极；（2）端为（ 集电 ）极；（3）端为（ 基 ）极；该管子为（ NPN ）型晶体管。
21.在电容滤波和电感滤波中，（ 电感 ）滤波适用于大电流负载，（ 电容 ）滤波的直流输出电压高。
22．在图所示电路中， 已知V CC ＝12V ，晶体管的 ＝100，'b R ＝100k Ω。
（1）当i U ＝0V时，测得U BEQ ＝0.7V ，若要基极电流I BQ ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和R b ≈（ 600 ）k Ω；而若测得U CEQ＝6V ，则R c ≈（ 3 ）k Ω。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数uA ≈（ 120 ）。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载后输出电压有效值o U ＝（ 0.3 ）V 。
23．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 。
24．为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器，应选用（ HPF 高通 ） 滤波电路。
已知输入信号的频率为10kHz ～12kHz ，为了防止干扰信号的混入，应选用（BEF 带通 ） 滤波电路 。
为了获得输入电压中的低频信号，应选用（ LPF 低通 ）滤波电路 。
25．某放大器的放大倍数为A v ＝1000，加入电压串联负反馈后电压增益为A vF ＝100，该电路的反馈深度为（ 10 ）、反馈系数为（ 0.009 ）。
26. 当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈 （ 阻性 ）；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈 （ 感性 ）；其余情况下石英晶体呈（ 容性 ）。
二、选择1．OTL互补对称功率放大电路如图，静态时电容C2两端的电压U C2等于（）①U CC②1／2U CC③1／4U CC ④1／6U CC2.在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是( 2 )；输入电阻最大的是（ 2 ）；输出电阻最大的是（ 4 ）。
①共射②共集③共基④不定3．要求某放大器的输出电阻小，且输入电阻大，应引入（ 1 ）负反馈。
①电压串联②电流串联③电压并联④电流并联4.多级直接耦合放大器中，零点漂移影响最严重的一级是（ 1 ）；零点漂移最大的一级是（ 4 ）。
①输入级②中间级③输出级④增益最高的一级5.如图所示电路的极间交流反馈为（ 3 ）。
①电压并联正反馈；②电流串联负反馈③电流并联正反馈；④电压串联负反馈6．用示波器观察NPN管共射极单管放大器输出电压波形，若输入信号为正弦波，发现输出信号正负波峰均出现削波失真，则该失真是（ B ）。
A. 截止失真B.输入信号过大引起的削波失真C.饱和失真D. 交越失真7．现有电路：?A. 同相比例运算电路B. 反相比例运算电路C. 加法运算电路D. 微分运算电路E. 积分运算电路（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用（ A ）。
（2）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用（ C ）。
（3）欲实现Au＝－100的放大电路，应选用（ B ）。
（4）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用（ E ）。
（5）欲将方波电压转换成尖顶波电压，应选用（ D ）。
8．已知交流负反馈有四种组态：A．电流并联负反馈 B．电流串联负反馈C．电压并联负反馈 D．电压串联负反馈（1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（ C ）；（2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（ B ）；（3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（ D ）；（4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（ A ）。
9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ），则说明引入的反馈是负反馈。
A．输入电阻增大 B．输出量增大C．净输入量增大 D．净输入量减小10．在P型半导体中，少数载流子是（ 3 ）①正离子②负离子③自由电子④空穴11．在放大电路中引入电压串联负反馈对放大器的输入电阻、输出电阻的影响为（ 2 ）。
①增大输入电阻，增大输出电阻②增大输入电阻，减小输出电阻③减小输入电阻，增大输出电阻④减小输入电阻，减小输出电阻12．共模抑制比Kcmr越大，表明电路的（ 3 ）①放大倍数越稳定②交流放大倍数越大③抑制温漂和干扰信号的能力越强④输入信号中差模成份越大13．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ B ），而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( A )。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适14.为了把一个正方波波形变为一个正三角波波形，可以采用运放构成的信号运算电路是：（ A ）A、积分电路B、微分电路C、对数运算电路D、反对数运算电路15．互补输出级采用共集形式是为了使 C 。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强 D．提高电路稳定性16．功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大 A 。
A．交流功率 B．直流功率 C．平均功率Ｄ．损耗功率17．测试放大电路输出电压幅值与频率的变化，可以得到它的幅频响应，条件是（ A ）。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化D.输入电压的幅值与频率都不变化18．交流负反馈是指 C 。
A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B．只有放大交流信号时才有的负反馈C．在交流通路中的负反馈Ｄ．在交直流通路中的负反馈19．PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽20．已知图所示电路中V CC＝12V，R C＝3kΩ，静态管压降U CEQ＝6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3kΩ。
①该电路的最大不失真输出电压有效值U om≈ C ；A.2VB.3VC.6V②当iU ＝1mV 时，若在不失真的条件下，减小R W ，则输出电压的幅值将 A ； A.减小 B.不变C.增大 ③若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将 C 。
A.R W 减小 B.R c 减小 C.V CC 减小21．在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为 C 。
A ．1WB ．0.5WC ．0.2W22．互补输出级采用共集形式是为了使 C 。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强三、综合题1. 在放大电路中引入负反馈对放大器性能有什么影响？1提高增益的稳定性；2减小非线性失真；3抑制反馈环内噪声。
2. 根据放大电路的组成原则，判断下述电路图对正弦交流信号是否具有放大作用，若没有请改正。
3．小功率的直流稳压电源由那几部分组成?各部分的作用是什么？4．晶体三极管具有放大作用必须具备的内部条件和外部条件分别是什么？2. 指出以下两种说法对哪种（甲类、乙类）功率放大器是正确的。
（1）收音机末级功率放大器在没有信号输入时，喇叭不发声，管子功耗也最小；（2）收音机音量开得越大，电源消耗越大。
5．根据单相桥式整流电路的工作原理，分析下图所示电路在出现下述故障时会产生什么现象？（1）D1的正负极接反 （2）D1短路 （3）D1开路6.设图所示电路所加输入电压为正弦波。
试问：（1）1u A =o1U /i U ≈? 2u A =o2U /iU ≈? （2）画出输入电压和输出电压u i 、u o1、u o2 的波形（10分）7. 电路如图所示， 已知β＝50。
1.估算电路的静态工作点；2.画出电路的微变等效电路；3.估算BJT 的输入电阻r be ，5.若输出端接入4kΩ的负载，计算A V＝V O／V i、A VS＝V O／V S8.电路如下。
A1、A2、A3均为理想运放。
（1）A1、A2、A3分别组成何种基本运算电路；（2）列出V01、V02、V03的表达式；9.工作在乙类的OCL电路如图，已知V CC＝12V，R L＝8Ω，Vi为正弦电压。