模电复习要点

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完整版模电知识点复习总结共136页

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13、遵守纪律的风气的培养,只有领 导者本 身在这 方面以 身作则 才能收 到成效 。—— 马卡连 柯 14、劳动者的组织、纪律性、坚毅 精神以 及同全 世界劳 动者的 团结一 致,是 取得最 后胜利 的保证 。—— 列宁 摘自名言网
15、机会是不守纪律的。——雨果
46、我们若已接受最坏的,就再没有什么损失。——卡耐基 47、书到用时方恨少、事非经过不知难。——陆游 48、书籍把我们引入最美好的社会,使我们认识各个时代的伟大智者。——史美尔斯 49、熟读唐诗三百首,不会作诗也会吟。——孙洙 50、谁和我一样用功,谁就会和我一样成功。——莫扎特
完整版模电知识点复习总结
11、战争满足了,或曾经满足过人的 好斗的 本能, 但它同 时还满 足了人 对掠夺 ,破坏 以及残 酷的纪 律和专 制力的 欲望。 ——查·埃利奥 特 12、不应把纪律仅仅看成教育的手段 。纪律 是教育 过程的 结果, 首先是 学生集 体表现 在一切 生活领 域—— 生产、 日常生 活、学 校、文 化等领 域中努 力的结 果。— —马卡 连柯(名 言网)

模电各章重点内容及总复习

模电各章重点内容及总复习

《模电》第一章重点掌握内容:一、概念1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子。

5、P型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素,便形成P型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。

6、N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流。

其死区电压:S i管约0。

5V,G e管约为0。

1 V ,其死区电压:S i管约0.5V,G e管约为0.1 V 。

其导通压降:S i管约0.7V,G e管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时,相当正向导通的二极管。

(压降为0.7V,)②加反向电压时截止,相当断开。

③加反向电压并击穿(即满足U﹥U Z)时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。

二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第二章再判)参考答案:a、因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通。

是硅管。

b 、二极管反偏截止。

f 、因V的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通,(将二极管短路)使输出电压为U0=3V 。

模电知识点总结

模电知识点总结

模电知识点总结1. 电路基本原理电路是电子技术的基础,它是由电阻、电容和电感等元件组成的。

在模拟电子技术中,我们经常需要分析和设计各种电路。

因此,了解电路基本原理是学习模拟电子技术的第一步。

电路分析包括欧姆定律、基尔霍夫定律、节点电压法和网孔电流法等。

这些原理是分析电路的重要工具,可以帮助我们理解电路中各个元件之间的关系。

2. 放大器放大器是模拟电子技术中的重要部分,它的作用是放大电压或电流信号。

放大器包括各种类型,例如运放放大器、电子管放大器和功率放大器等。

学习放大器的原理和特性可以帮助我们设计各种类型的放大器电路。

在实际应用中,放大器经常用于音频放大、信号处理和通信系统等领域。

3. 滤波器滤波器是模拟电子技术中的重要部分,它的作用是通过滤波器电路来处理信号中的不同频率成分。

常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。

了解滤波器的原理和特性可以帮助我们设计滤波器电路以及实现信号处理和分析等功能。

4. 模拟信号处理电路模拟信号处理电路是模拟电子技术的核心内容,它包括各种模拟信号处理和传输电路。

常见的模拟信号处理电路包括模拟加减法器、积分器、微分器、比较器和信号发生器等。

了解这些电路的原理和特性可以帮助我们设计各种模拟信号处理系统和仪器。

5. 模拟数字转换模拟数字转换(ADC和DAC)是模拟电子技术中的重要部分,它的作用是将模拟信号转换为数字信号或将数字信号转换为模拟信号。

了解ADC和DAC的原理和特性可以帮助我们设计各种模拟数字转换电路以及实现数字信号处理和传输等功能。

总之,模拟电子技术是电子工程中的一个重要分支,它在通信、音频、视频和医疗等领域都有广泛的应用。

通过学习模拟电子技术的知识点,我们可以掌握电子技术的基本原理和技能,为未来的工作和研究打下良好的基础。

希望以上总结的知识点能对学习模拟电子技术的朋友们有所帮助。

模电考前知识点总结

模电考前知识点总结

模电考前知识点总结模拟电子技术主要研究内容包括模拟电路的设计和分析、模拟信号的处理和传输、模拟电子系统的设计和调试等。

在模拟电子技术中,最基本的理论是基于几种基本电路元件,如二极管、三极管等,建立各种电路方程模型,进而解决各种电子电路问题。

在学习模拟电子技术的过程中,有一些知识点是必须要掌握的。

以下是一些常见的模拟电子技术知识点总结:一、基本电路分析方法1. 谈论母线电力超过220伏特进行电压升降的原理和方法。

2. 需要了解R-L,R-C 串并联电路的等效变换原理及实际应用。

3. 掌握电容电压跟踪积分电路和非积分电路的基本工作原理和参数设计方法。

4. 对于理想电感,理解它在激励下的等效原理。

5. 了解关于画感性理想电感变压器、绕组波音特性原理。

以上是一些基本电路分析方法的知识点总结。

在模拟电子技术中,学生需要通过理论学习和实践操作,熟练掌握这些方法,才能更好地理解和应用模拟电子技术。

二、线性集成电路线性集成电路是模拟电子技术中非常重要的一部分,主要包括放大器、滤波器、示波器、振荡器、计算和计算机等。

掌握了线性集成电路基本的分析与设计方法,可以更好地应用模拟电子技术。

1. 熟悉主要的线性集成电路,了解其特性和使用方法。

2. 了解基于 MOS 器件的模拟 IC 结构、工作原理和指标。

会设计基于 MOS 器件的模拟集成电路电路图。

以上是一些线性集成电路方面的知识点总结。

掌握了这些知识之后,可以更好地理解和应用模拟电子技术,从而更好地解决实际电路问题。

三、信号处理技术在模拟电子技术中,信号处理技术也是一个重要的方面。

掌握了信号处理技术相关知识后,能更好地理解和应用模拟电子技术。

1. 掌握基本信号的表示方法, 变换,系统特性的描述(零-极点,频域与时域的转换)2. 会进行系统励波,知道辨别各种非线性工作特性3. 了解控制工程与信号处理之间的联系和区别4. 实现对系统行为与性能的评估、设计,调节;5. 了解基于 DSP 的数字控制技术,了解模拟电子技术的近期发展,结合数字技术提出新的功能要求。

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。

2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流,从而控制集电极电流,实现信号放大。

3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大,共集电极放大倍数最小。

三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。

2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。

3.共基极放大电路---具有电压放大的作用,输入电阻较低。

4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置,使其工作在放大区,保证放大电路的稳定性。

四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。

2.开关---控制大电流的通断。

3.振荡器---产生高频信号。

4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性,实现稳定的输出电压。

模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,如硅Si、锗Ge。

2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子,是半导体中的两种主要载流体。

5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

根据掺杂元素的不同,可分为P型半导体和N型半导体。

6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。

7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结,具有单向导电性和接触电位差等特性。

8.PN结的伏安特性是指在不同电压下,PN结的电流和电压之间的关系。

二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。

1.半导体二极管具有单向导电性,即只有在正向电压作用下才能导通,反向电压下截止。

2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似,具有正向导通压降和死区电压等特性。

3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。

三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管,其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区,具有稳压的作用。

模电知识点识点总结

模电知识点识点总结

模电知识点识点总结一、电路分析电路分析是模拟电子技术中的基础知识点,它涉及到电路的基本元件、电路定律、戴维南定理、诺顿定理、等效电路、交流电路分析等内容。

在电路分析中,学生需要掌握电路元件的特性和参数,熟练掌握欧姆定律、基尔霍夫电压定律、基尔霍夫电流定律等基本定律,能够准确分析电路中的电压、电流和功率等参数。

二、放大电路放大电路是模拟电子技术中的重要内容之一,它是指通过放大器将输入信号放大的过程。

学生需要掌握放大器的基本分类、放大器的基本参数、放大器的频率特性等知识,理解放大器的工作原理,能够设计各种类型的放大电路。

三、模拟信号处理模拟信号处理是模拟电子技术中的核心内容之一,它涉及到模拟信号的获取、处理、传输和存储等过程。

学生需要掌握模拟信号的采样定理、量化处理、模拟信号滤波等知识,能够设计模拟信号处理系统,提高模拟信号处理的质量和效率。

四、模拟滤波器设计滤波器是模拟电子技术中的重要内容之一,它是指用于对信号进行滤波处理的电路。

学生需要掌握滤波器的分类、滤波器的性能指标、滤波器的设计方法等知识,能够设计各种类型的模拟滤波器,提高信号的质量和准确性。

五、集成电路设计集成电路设计是模拟电子技术中的核心内容之一,它涉及到集成电路的设计原理、工艺流程、器件制造等一系列内容。

学生需要掌握集成电路的基本结构、工作原理、设计方法等知识,能够设计各种类型的集成电路,提高集成电路的性能和可靠性。

总之,模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门课程,它涉及到电路分析、放大电路、模拟信号处理、模拟滤波器设计、集成电路设计等方面的知识。

学生在学习模拟电子技术的过程中,需要注重理论与实践相结合,通过实验和项目设计来提高自己的技能水平,从而更好地应用模拟电子技术知识解决实际问题。

模电各章重点内容及总复习带试题和答案综述

模电各章重点内容及总复习带试题和答案综述

《模电》第一章重点掌握内容:一、概念1、半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子。

5、P型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素,便形成P型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。

6、N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏时截止,呈大电阻,零电流。

其死区电压:S i管约0。

5V,G e管约为0。

1 V ,其死区电压:S i管约0.5V,G e管约为0.1 V 。

其导通压降:S i管约0.7V,G e管约为0.3 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时,相当正向导通的二极管。

(压降为0.7V,)②加反向电压时截止,相当断开。

③加反向电压并击穿(即满足U﹥U Z)时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。

二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第二章再判)参考答案:a、因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通。

是硅管。

b 、二极管反偏截止。

f 、因V的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通,(将二极管短路)使输出电压为U0=3V 。

模电必考知识点总结

模电必考知识点总结

模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础,了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。

2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。

3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法,包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。

4. 传输线理论了解传输线的基本特性,包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。

二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理,包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。

2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法,包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。

3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性,包括截止频率、增益带宽积等相关知识。

4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类,了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。

三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性,包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。

2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用,掌握运算放大器的基本应用方法。

四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用,包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。

2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法,了解它们在滤波电路中的应用。

3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻(陷波)滤波器的设计方法和特性,掌握模拟滤波器的设计技巧。

五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法,包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。

模电重点总结复习必备

模电重点总结复习必备
H参数的确定
混合型等效电路
简化的混合型等效电路
场效应管等效电路
其中:gmugs是压控电流源,它体现了输入电压对输出电流的控制作用。

-
+
+
d
g
s
gs
u
u
ds
i
d
+

+
+
-
gs
m
u
gs
u
u
-
S
ds
g
g
d
S
d
i
运算放大器
工作在线性区时的特点
虚短 虚断
工作在非线性区时的特点
虚断
波特图
画复杂电路或系统的波特图,关键在于一些基本因子
(4)输出电阻
反馈放大电路
反馈类型的判断
负反馈对放大电路性能的影响
深度负反馈下的近似估算
反馈稳定性判断
深度负反馈条件下的近似计算
一、 估算的依据
深度负反馈:
深度负反馈条件下,闭环增益只与反馈系数有关。


方法一:
估算电压增益
方法二:
根据

代入上式

即:输入量近似等于反馈量
净输入量近似等于零
截止频率的计算方法是“时间常数法”,即根据信号传递的具体情况,求出每一个起作用的电容所在RC回路的时间常数,进而求出截止频率。
直流稳压电源
工作原理
整流
滤波
稳压
计算
(1)差模电压增益
(3)差模输入电阻
不论是单端输入还是双端输入,差模输入电阻Rid是基本放大电路的两倍。
单端输出时, 双端输出时,
等效电路法

模电 知识点总结

模电 知识点总结

模电知识点总结一、基本概念1. 电路元件:模拟电子技术的基本元件包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。

其中,电阻用于限制电流,电容用于储存电荷,电感用于储存能量,二极管用于整流、开关等,晶体管用于放大、开关等。

2. 信号:在模拟电子技术中,信号是指随时间或空间变化的电压或电流。

常见的信号形式有直流信号、交流信号、脉冲信号等。

3. 放大器:放大器是模拟电子技术中的重要元件,用于放大输入信号的幅度。

常见的放大器有运放放大器、晶体管放大器等。

4. 滤波器:滤波器是用于选择特定频率范围内的信号,常用于滤除噪声、提取特定频率成分等。

5. 调制解调:调制是将基带信号调制到载波上,解调是将载波信号解调还原为基带信号。

调制解调技术是模拟电子技术中的重要应用之一。

二、基本电路1. 电阻电路:电阻是最基本的电路元件之一,常用于限制电流、调节电压和波形、分压等。

常见的电阻电路包括电压分压电路、电流分压电路、电阻网络等。

2. 电容电路:电容是能存储电荷的元件,常用于滤波、积分、微分等。

常见的电容电路包括RC电路、LC电路、多级滤波器等。

3. 电感电路:电感是储存能量的元件,常用于振荡器、磁耦合放大器等。

常见的电感电路包括RLC电路、振荡电路、滤波器等。

4. 滤波器电路:滤波器是用于选择特定频率范围内的信号的电路,常用于滤除杂散信号、提取特定频率成分等。

常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、陷波滤波器等。

5. 放大器电路:放大器是用于放大电压、电流信号的电路,常用于信号调理、传感器信号放大、运算放大器电路等。

常见的放大器电路包括运算放大器电路、放大器电路、多级放大器电路等。

6. 混频器电路:混频器是用于将两路信号进行混频得到中频信号的电路,常用于调频收音机、超外差接收机等。

常见的混频器电路包括倍频器电路、调频接收机电路、超外差接收机电路等。

7. 调制解调电路:调制解调电路是用于调制解调信号的电路,常用于调制解调的通信系统、调幅收音机、调频收音机等。

《模拟电路》重点复习内容

《模拟电路》重点复习内容

《模拟电路》重点复习内容第一章半导体器件掌握:1,二极管、稳压管二极管的伏安特性。

2,三极管的输入特性、输出特性。

3,场效应管的输出特性、转移特性。

理解:1,PN结的单向导电性。

2,三极管的放大作用。

3,场效应管的放大作用。

了解:1,半导体中的两种载流子。

2,N型半导体和P型半导体以及PN结的形成。

第二章放大电路的基本原理和分析方法(重点)掌握:1,放大的基本概念;放大电路主要技术指标的含义。

2,放大电路的静态和动态、直流通路和交流通路的概念及其画法。

3,放大电路的静态工作点(Q点)求解以及动态技术指标A u,R i,R o的分析和计算。

(必考)理解:1,三极管放大电路的三种组态(共射、共集、共基)的电路组成、工作原理和性能特点。

2,场效应管组成的共源和共漏放大电路的电路组成、工作原理和性能特点。

了解:1,多级放大电路的三种耦合方式(阻容耦合、变压器耦合、直接耦合)的原理和特点。

2,多级放大电路放大倍数和输入电阻、输出电阻的估算方法。

3,场效应管放大电路与双极型放大电路相比较的特点。

第三章放大电路的频率响应掌握:1,频率响应的基本概念。

理解:1,含有一个时间常数的单管共射放大电路中f L、f H的估算方法。

2,波特图的意义和画法。

了解:1,频率失真的含义。

2,三极管频率参数的含义。

3,多级放大电路的通频带与其各级放大电路的通频带之间的定性关系。

第四章功率放大电路理解:OTL和OCL互补对称电路的组成和工作原理,最大输出功率和效率的估算。

了解:1,功率放大电路的主要特点和类型;2,集成功率放大电路的特点。

第五章集成运算放大电路(重点)掌握:1,集成运放主要技术指标的含义。

2,差分放大电路的静态工作点,以及差模电压放大倍数、差模输入电阻和差模输出电阻的计算方法。

理解:1,差分放大电路的组成和工作原理,以及差分放大电路在四种不同输入、输出方式时差分放大电路的性能特点。

2,各种电流源(镜像电流源、比例电流源、微电流源)的工作原理和特点。

模电期末复习重点

模电期末复习重点

PN结的单向导电性
3. 二极管各参数的物理意义
4. 特殊二极管——稳压管
5. 三极管实现放大必须具备的内部结构条件和外部 条件: (1)对其内部结构要求: ①发射区进行高掺杂,因而其中的多数载 流子浓度很高。
②基区很薄,且掺杂比较少,则基区中多
子的浓度很低。 ③集电区 掺杂浓度要比发射区低;
结面积比发射区要大。
V Ro o I o
RL 0 V s
(求R o时不能算R L!)
VT mV 记住公式: rbe rbb 1 I CQ mA (或rb) 常温时 VT 26mV rbb取100~300
注意
共集电极放大电路的动态分析较复杂。
1 射极输出器,电压跟随器 (A ,但 1 ) V
所有电容都短路;
直流电源相当于交流接地。
双极型三极管的H参数(或称微变)等效电路: ib ic b c
vbe
βib
vce e
,R ,R ③对H参数等效电路进行动态分析——求 A V i o
不要死背结果,要会分析电路。
V V o o A 或 A V VS Vi V s V Ri i I i
3. 各类电流源电路的原理分析 4. 差分放大电路 (1)“零点漂移”概念(或称温漂)及产生原因 (2)差分放大电路的作用:放大差模信号,抑制共
模信号。
要求能够分析由BJT构成的双入双出型差分 放大电路的静态电路及动态电路,由FET管 构成的不作重点要求。

理想集成运放的特性
(1)vP=vN→ AV=∞ (2)Ri=∞→iP=iN=0 (3)Ro=0
常 数
i B f v BE v
iB /μA vCE =0V

模电知识点复习总结

模电知识点复习总结

模电知识点复习总结模拟电子技术(模电)是电子工程中的重要基础学科之一,主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。

下面是我对模电知识点的复习总结:一.基础知识1.电路基本定律:欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。

2.信号描述与频域分析:时间域与频域的关系。

傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。

3.理想放大器:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。

4.放大器基本电路:共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。

二.放大器设计1.放大器的参数:增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。

2.放大器的稳定性:稳态稳定性和瞬态稳定性。

3.放大器的频率响应:截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。

4.放大器的非线性失真:交趾略失真、交调失真、互调失真等。

5.放大电路的优化设计:负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。

三.运算放大器1.运算放大器的基本性质:增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。

2.电压放大器:非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。

3.运算放大器的应用电路:比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。

4.运算放大器的非线性失真:输入失真、输出失真、交调失真等。

四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理:输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。

2.双向可调电源的电路结构:移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。

3.双向可调电源的控制方式:串行控制和并行控制。

五.滤波器设计1.常见滤波器类型:低通、高通、带通和带阻滤波器。

2.滤波器的频率响应特性:通频带、截止频率、衰减量。

3.滤波器的传输函数:频率选择特性、阶数选择。

4.滤波器的实现方法:RC、RL、LC和电子管等。

六.可控器件1.二极管:理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。

2.可控硅:双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。

3.功率晶体管:NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。

模电知识点总结笔试

模电知识点总结笔试

模电知识点总结笔试一、基础理论知识1. 电子学基础(1)电子学的基本概念:电子、电荷、电流、电压等。

(2)半导体物理学:半导体材料的性质、PN结的特性等。

2. 电路基础(1)电路分析方法:基尔霍夫定律、戴维南定理、叠加原理等。

(2)电路中的元件:电阻、电容、电感等实际应用。

二、模拟信号处理1. 信号与系统(1)信号的分类:连续信号、离散信号、周期信号、非周期信号等。

(2)系统的分类:线性系统、非线性系统、时变系统、时不变系统等。

2. 模拟滤波(1)滤波器的分类:低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器等。

(2)滤波器的设计:巴特沃斯滤波器、切比雪夫滤波器、椭圆滤波器等。

三、放大电路1. 放大器的基本概念(1)放大器的分类:按输入输出信号类型分为模拟放大器和数字放大器。

(2)放大器的性能参数:增益、带宽、输入阻抗、输出阻抗等。

2. 放大电路设计(1)基本放大电路:共射放大器、共集放大器、共基放大器等。

(2)放大电路稳定性分析:稳定性条件、负反馈、电容耦合等。

四、信号发生与调制1. 信号发生器(1)基本信号源:RC震荡器、LC震荡器、晶体振荡器等。

(2)信号源的稳定性分析:频率稳定度、振幅稳定度、相位噪声等。

2. 调制技术(1)调制原理:调频、调幅、调相等基本调制方式的原理和特点。

(2)调制电路设计:频率调制电路、幅度调制电路、相位调制电路等。

五、反馈电路1. 反馈的基本概念(1)反馈电路的分类:正反馈、负反馈。

(2)反馈电路的性能:增益稳定、带宽拓展、非线性失真降低等。

2. 反馈网络设计(1)反馈网络结构:电流负反馈、电压负反馈。

(2)反馈网络应用:放大电路、振荡器、滤波器等反馈电路的设计。

六、运算放大器1. 运算放大器的特性(1)运算放大器的基本原理:差分输入、单端输出、大增益、高输入阻抗等。

(2)运算放大器的理想模型:无输入偏置电流、无输入偏置电压等。

2. 运算放大器的应用(1)运算放大器在电路中的基本应用:比较器、积分器、微分器等。

模拟电子电路复习重点

模拟电子电路复习重点

第0章绪论电子系统组成:模电的核心主线:“电压放大”模电/数电的区别与联系:信号上:时间/幅度上是否离散/量化器件:三极管工作区域:放大 / 饱和、截至联系:理论:采样定理/电路:AD/DA转换课程要求:基本概念+基本电路+基本分析方法+一定的设计综合(应用)能力。

第1章常用半导体基础(数/模电基础)本征/杂志半导体中的两种载流子:多子/少子的概念PN结原理:多子扩散/少子漂移的平衡及偏置对平衡的影响结果PN结单向导电性:二极管等效电路:三极管特性:(三极2结)放大原理:Ib控制IC(流控电流源—>电流分配)Ube控制IC(压控电流源)三极管的输入输出特性曲线与三个工作区:放大(模拟)/饱和截至(数字电路)温度对三极管输入输出曲线、特性等的影响: 温度影响电路性能的本质!ICBO:增加1倍/10°。

输入曲线:左移输出曲线:上移动(与二极管相同:沿远点逆时针转动)场效应管(不要求)第2章**基本放大电路(三种放大电路接法)----重点!放大概念:(电压/电流/功率放大:突出有源器件的作用之一)衡量电路放大性能的参数及其意义:Ri:从前往后看到底,包含RL,不含RSRo: 从后往前看到底,包含Rs,不含RL负载效应/匹配的概念---》举例:大马拉小车/小马拉大车A U / AUS/AUL定义(负载效应)其他参数:通频带/非线性失真系数/最大不失真输出电压/最大功率效率等线性失真/非线性失真区别。

放大电路原理:直流偏置与信号放大的关系:非线性系统的分段线性化:y=kx:线性系统y=kx+b线性,本质上非线性系统(齐次性+叠加性)直流分析:正确偏置Q点在线性区!发射结正偏,集电结反偏,会正确判断交流分析:图解法:特征点/交直流负载线参数法:h参数低频交流小信号模型等效参数:三种方法电路的比较:共射/共集/共基等效电阻的“看法”:三种放大电路接法:第3章多级放大电路1、耦合方式:直接耦合/非直接耦合比较2、多级放大电路的计算(输入输出电阻/放大倍数):Ri:看到底,往往决定于第一级Ro:看到底,往往决定于最后级Au: 多级放大倍数之积(特别注意负载效应!)后级输入是前级的负载前级输出是后级的信号源内阻。

模电复习各章要点

模电复习各章要点

1半导体二极管1.本征半导体在本征激发后导电,载流子浓度与温度T 有关。

2.P 型半导体中多子为空穴,少子为电子; N 型半导体中多子为电子,少子为空穴。

掺入杂质后,半导体的导电能力会有显著提高。

3.PN 结又称空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区,有单向导电性:正向电阻很小,反向电阻很大。

4.二极管的伏安方程是:)1(-=TV V s eI I ,其中:s I 是二极管的反向饱和电流,与温度有关;T V 是温度的电压当量,室温下为0.026mV 。

二极管正偏时,TV V s eI I ≈,反偏时,s I I -≈5.二极管反向偏置电压达到击穿电压BR V 时,其PN 结发生电击穿(雪崩击穿和齐纳击穿),此时电流变化很大而电压变化不大——由此做成稳压管。

2 晶体管1.晶体管(BJT )是双极型电流控制器件,晶体管进行电流放大的前提是发射结正偏置、集电结反偏置。

2.晶体管的外部电流关系是E C I I α≈、B C I I β≈、B C E I I I +=3.晶体管有三个工作区域:放大区、饱和区、截止区,晶体管通过电流控制实现信号放大的条件是工作在放大区。

4.晶体管处于正常放大状态时,发射结正偏置,集电结反偏置,为满足此条件,NPN 型晶体管的各极电位关系应该是E B C V V V >>;PNP 型晶体管的各极电位关系应该是E B C V V V <<。

5.当th BE V v >且BE CE v v >时,晶体管工作于放大区;当th BE V v ≤且BE CE v v ≥时,晶体管工作于截止区;当th BE V v >且BE CE v v ≤时,晶体管工作于饱和区。

6.场效应管(FET )是单极型电压控制器件,栅源电阻大。

场效应管有三个工作区域:可变电阻区、恒流区、击穿区,场效应管通过电压控制实现信号放大的条件是工作在恒流区。

7.放大器的直流栅源电压的偏置应保证场效应管能正常工作,以N 沟道为例,结型场效应管的0≤GS v 后有D i ,GS v 越负,D i 越小;增强型绝缘栅场效应管的T GS V v >(T V 为正)后有D i ,GS v 越正,D i 越大;耗尽型绝缘栅场效应管的V GS 可正可负,GS v 越大,D i 越大, P GS V v =(P V 为负)时0=D i 。

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模电基础知识
一、填空题:(每空1分共40分)
1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。

2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;
4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ),
(1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。

13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;
OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy )
1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。

2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。

3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。

6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。

7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路和静态工作点,采用(直流)负反馈,为了减小输出电阻采用(电压)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数Af=(A/1+AF ),对于深度负反馈Af=(1/F )。

10、共模信号是大小(相等),极性(相同)的两个信号。

11、乙类互补功放存在(交越)失真,可以利用(甲乙)类互补功放来克服。

12、用低频信号去改变高频信号的频率称为(调频),低频信号称为(调制)信号,高频信号称高频(载波)。

13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路(好),fa=(1+B )fβ。

14、要保证振荡电路满足相位平衡条件,必须具有(正反馈)网络。

15、在桥式整流电阻负载中,理想二极管承受最高反压是(2U2 )。

二、选择题(每空2分共30分)
1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在(B )状态,但其两端电压必须(C )它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于( F )状态。

A、正偏
B、反偏
C、大于
D、小于
E、导通
F、截止
2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是( C ),该管是(D )型。

A、(
B、
C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)
D、(NPN)
E、(PNP)
3、对功率放大器的要求主要是( B )、( C )、(E )。

A、U0高
B、P0大
C、功率大
D、Ri大
E、波形不失真
4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为( B ),此时应该(E )偏置电阻。

A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、增大
E、减小
5、差分放大电路是为了( C )而设置的。

A、稳定Au
B、放大信号
C、抑制零点漂移
6、共集电极放大电路的负反馈组态是( A )。

A、压串负
B、流串负
C、压并负
7、差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ(B )倍。

A、1
B、2
C、3
8、为了使放大器带负载能力强,一般引入(A )负反馈。

A、电压
B、电流
C、串联
9、分析运放的两个依据是(A )、(B)。

A、U-≈U+
B、I-≈I+≈0
C、U0=Ui
D、Au=1
1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是(A )。

A、12V
B、5V
C、9V
2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是(C),该管是( E )型。

A、(
B、
C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)
D、(PNP)
E、(NPN)
3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为( B )失真,下半周失真时为(A)失真。

A、饱和
B、截止
C、交越
D、频率
4、差分放大电路是为了(C )而设置的。

A、稳定Au
B、放大信号
C、抑制零点漂移
5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标,它反映放大电路( A )能力。

A、放大差模抑制共模
B、输入电阻高
C、输出电阻低
6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在(B)之间变化。

A、0~20
B、20~200
C、200~1000
7、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=( C )Uz
A、0.45
B、0.9
C、1.2
8、当集成运放线性工作时,有两条分析依据(A)(B )。

A、U-≈U+
B、I-≈I+≈0
C、U0=Ui
D、Au=1
9、对功率放大器的主要要求有(B )(C )(E )。

A、U0高,
B、P0大
C、效率高
D、Ri大
E、波形不失真
10、振荡器的输出信号最初由(C )而来的。

A、基本放大器
B、选频网络
C、干扰或噪声信号。

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