电力电子填空题资料

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【电力电子技术期末考试】必考填空题整理

【电力电子技术期末考试】必考填空题整理

填空1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管IGBT ;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦,输出电流波形为方波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100安。

6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_ 同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_ 不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采用控制角α大于β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

(写出四种即可)10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+ 、 Ⅰ- 、 Ⅲ+ Ⅲ- 四种 。

11、双向晶闸管的触发方式有:I+ 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T 2接 负 电压;门极G 接 正 电压,T2接 负 电压。

I- 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T2接 负 电压;门极G 接负 电压,T2接 正 电压。

Ⅲ+触发:第一阳极T1接 负 电压,第二阳极T2接 正 电压,门极G 接正 电压,T2接 负 电压。

Ⅲ-触发:第一阳极T1接 负 电压,第二阳极T2接 正 电压;门极G 接 负电压,T2接 正 电压。

12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫(脉冲) 换流。

电力电子考试题库 (含答案)

电力电子考试题库 (含答案)

一、填空(每空1分)1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;图形符号为;可关断晶闸管GTO;图形符号为;功率场效应晶体管MOSFET;图形符号为;绝缘栅双极型晶体管IGBT ;图形符号为;IGBT是 MOSFET 和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。

6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关 、 控制快速移相使输出电压下降。

(写出四种即可)10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+、 Ⅰ-、 Ⅲ+、 Ⅲ- 四种 。

11、双向晶闸管的触发方式有:I+ 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T 2接 负 电压;门极G 接正 电压,T2接 负 电压。

I- 触发:第一阳极T1接 正 电压,第二阳极T2接 负 电压;门极G 接 负 电压,T2接 正 电压。

Ⅲ+触发:第一阳极T1接 负电压,第二阳极T2接正 电压;门极G 接正电压,T2接 负 电压。

Ⅲ-触发:第一阳极T1接 负电压,第二阳极T2接 正电压;门极G 接 负电压,T2接 正 电压。

电力电子选择填空复习题

电力电子选择填空复习题

填空题:1、门极驱动电路是电路和主电路的接口。

2、栅极,集电极和是IGBT的三端。

3、门极驱动电路通常要提供电气隔离环节,一般采用光隔离和。

4、使晶闸管维持导通所必需的最小电流,称为。

5、三相桥整流电路的有源逆变工作状态中,允许采用的最小逆变角一般取.7、在单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为.8、在三相桥式全控整流电路中,电阻负载移相范围是。

9、单相桥式全控整流电路阻感负载(其中电感很大)时,交流侧电流谐波次数为:次(用k=1,2,3,…,表示)。

10、在单相半波可控整流电路中α=60°, U2=100V, 输出电压平均值U d=V.11、在降压斩波电路中,E=20V ,U o=10V, α= .12、对于星形连接的三相三线交流调压电路电阻负载时,电路的移相范围是。

13、就换流方式而言,IGBT直流斩波电路采用换流,串联二极管式晶闸管逆变电路采用换流。

14、在三相电压源型逆变电路中,其基本工作方式是导电方式。

15、在PWM 逆变器中,提高直流电压利用率的方法之一是用代替正弦波做调制信号。

16、,阳极和阴极是晶闸管的三端。

17、晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号,能维持通态所需要的最小阳极电流,是。

18、门极驱动电路通常要提供电气隔离环节,一般采用和。

19、在三相桥式全控整流电路中,触发延迟角α 和逆变角β 关系是。

20、在单相桥式全控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为。

21、在单相桥式全控整流电路中,电阻负载移相范围是,阻感负载(电感足够大)移相范围是。

22、三相桥式全控整流电路阻感负载(其中电感很大)时,交流侧电流谐波次数为:次(用k=1,2,3,…,表示)。

23、在单相桥式全控整流电路中α=60°, U2=100V, 输出电压平均值U d=V.24、在升压斩波电路中,E=30V,β=0.5,则输出电压平均值U o= V.25、交流调压电路和交流调功电路的电路形式完全相同,所不同的是 .26、对于电流源型逆变器,交流侧电流是波。

电力电子考试题库(附含答案解析)

电力电子考试题库(附含答案解析)

一、填空(每空1分)1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;图形符号为;可关断晶闸管GTO;图形符号为;功率场效应晶体管MOSFET;图形符号为;绝缘栅双极型晶体管IGBT ;图形符号为;IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。

6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

(写出四种即可)10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ- 四种。

11、双向晶闸管的触发方式有:I+ 触发:第一阳极T1接正电压,第二阳极T2接负电压;门极G接正电压,T2接负电压。

I- 触发:第一阳极T1接正电压,第二阳极T2接负电压;门极G接负电压,T2接正电压。

Ⅲ+触发:第一阳极T1接负电压,第二阳极T2接正电压;门极G接正电压,T2接负电压。

Ⅲ-触发:第一阳极T1接负电压,第二阳极T2接正电压;门极G接负电压,T2接正电压。

12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫(脉冲)换流。

电力电子复习材料及答案解析

电力电子复习材料及答案解析

电力电子技术一填空题1、电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。

2、电力变换通常可分为四大类,分别是整流、逆变、直流斩波、交流变交。

3、电力电子技术是一门由电力技术、电子技术、控制技术三个学科交叉而形成的。

4、电力电子器件一般工作在开关状态,在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时你,功率损耗主要为开关损耗。

5、一个周期内,下列整流电路整流电压波形的脉动次数:单相半波可控电路脉动__1____次;单相全控桥式整流电路脉动__2____次;三相半波可控电路脉动____3__次;三相全控桥式整流电路脉动___6___次。

6、电压型三相逆变器,电路的基本工作方式是___180°__导电方式,任一瞬间,有___3_____个IGBT 同时导通;电流型三相逆变器,电路的基本工作方式是___120°__导电方式,任一瞬间,有____2____个IGBT同时导通。

7、同一晶闸管,维持电流IH与掣住电流I L在数值大小上有I L> I H。

8、电力电子器件一般都工作在开关状态。

9、晶闸管和门极可关断晶闸管的英文名字的缩写分别为SCR 和GTO 。

10、按照直流侧电源性质划分,逆变电路可分为电流型逆变电路和电压型逆变电路。

11、单结晶体管张弛振荡电路的原理是利用单结晶体管的___负阻____特性和RC电路的___充放电____特性。

12、当发射极电压等于____峰点电压__时,单结晶体管导通。

导通后,当发射极电压小于__谷点电压___时,单结晶体管关断。

13、晶闸管内部是四层半导体结构,它的三个电极分别是阳极、阴极、门极。

14、整流电路的作用是交流电能将变为直流电能供给直流用电设备。

15、自换流逆变电路采用器件换流和强迫换流两种换流方式,外部换流逆变电路采用电网换流和负载换流两种换流方式。

16、IGBT是绝缘栅双极晶体管,是三端器件,三个电极分别是发射极、栅极、集电极。

电力电子技术填空题整理

电力电子技术填空题整理

1、通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。

2、电力电子器件的分类:①半控型,晶闸管及其派生元件。

②全空型,IGBT,GTO,GTR,MOSFET。

③不可控型元件。

单极型电力电子器件有电力MOSFET,双极型:GTO,GTR,复合型:IGBT,可控器件中,容量最大的是:GTO,工作频率最高的是:电力MOSFET,属于电压驱动的是:电力MOSFET,IGBT,属于电流驱动的是:SCR,GTO,GTR3、单相交流调压电路带电阻负载,其导通控制角α的移相范围是180°,随α的增大,Uo减小,功率因数减小.4、把直流变成交流的电路称为逆变电路,当交流侧有电源时称为有源逆变,当交流侧无电源时称为无源逆变。

逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为电压型逆变电路,当直流侧为电流源时,成此电路为电流型逆变电路。

5、半桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为1/2Ud,全桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为1Ud。

6、三相电压型逆变电路中,每个桥臂的导电角度为180°,各相开始导电的角度依次相差120°,在任意时刻,有3个桥臂导通。

电压型逆变电路一般采用全控型器件,换流方式为器件换流,电流型逆变电路中较多采用半控型器件,换流方式有的采用负载换流,有的采用强迫换流。

7、直流斩波电路中最基本的两种电路时降压斩波电路和升压斩波电路。

复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可以看做是一个升压斩波电路和一个降压斩波电路的组合;多相多重斩波电路中,3相3重斩波电路相当于3个降压斩波电路并联。

8、按照加在两端信号的波形有①脉冲触发型②电平控制型;按照器件内部空穴参加导电的情况①单极型器件②双极型器件③复合型器件;按照信号的性质①电流驱动型②电压驱动型9、电力二极管的主要类型①普通二极管②快恢复二极管③肖特基二极管10、晶闸管的基本工作特性概括为①正向有触发则导通②反向截止③一旦导通,无论门极触发电流是否存在都保持导通。

电力电子复习材料及答案解析

电力电子复习材料及答案解析

电力电子技术一填空题1、电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。

2、电力变换通常可分为四大类,分别是整流、逆变、直流斩波、交流变交。

3、电力电子技术是一门由电力技术、电子技术、控制技术三个学科交叉而形成的。

4、电力电子器件一般工作在开关状态,在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时你,功率损耗主要为开关损耗。

5、一个周期内,下列整流电路整流电压波形的脉动次数:单相半波可控电路脉动__1____次;单相全控桥式整流电路脉动__2____次;三相半波可控电路脉动____3__次;三相全控桥式整流电路脉动___6___次。

6、电压型三相逆变器,电路的基本工作方式是___180°__导电方式,任一瞬间,有___3_____个IGBT 同时导通;电流型三相逆变器,电路的基本工作方式是___120°__导电方式,任一瞬间,有____2____个IGBT同时导通。

7、同一晶闸管,维持电流IH与掣住电流I L在数值大小上有I L> I H。

8、电力电子器件一般都工作在开关状态。

9、晶闸管和门极可关断晶闸管的英文名字的缩写分别为SCR 和GTO 。

10、按照直流侧电源性质划分,逆变电路可分为电流型逆变电路和电压型逆变电路。

11、单结晶体管张弛振荡电路的原理是利用单结晶体管的___负阻____特性和RC电路的___充放电____特性。

12、当发射极电压等于____峰点电压__时,单结晶体管导通。

导通后,当发射极电压小于__谷点电压___时,单结晶体管关断。

13、晶闸管内部是四层半导体结构,它的三个电极分别是阳极、阴极、门极。

14、整流电路的作用是交流电能将变为直流电能供给直流用电设备。

15、自换流逆变电路采用器件换流和强迫换流两种换流方式,外部换流逆变电路采用电网换流和负载换流两种换流方式。

16、IGBT是绝缘栅双极晶体管,是三端器件,三个电极分别是发射极、栅极、集电极。

电力电子技术填空题汇总

电力电子技术填空题汇总

1. 电流源型逆变器的输出电流波形为矩形波。

2. 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°。

3. 将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为有源逆变器。

4. 电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。

5.同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流IL在数值大小上有I L_=(2~4)______I H。

6. 对于三相半波可控整流电路,换相重叠角的影响,将使用输出电压平均值下降。

7.晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是___静态均压_____措施。

8.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______三角形和星形__二种方式。

9.抑制过电压的方法之一是用____储能元件____吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。

10. 控制角α与逆变角β之间的关系为β=л-α。

11.SPWM有两种调制方式:单极性和___双极性___调制。

12.逆变器可分为无源逆变器和__有源____逆变器两大类。

1、普通晶闸管内部有两个PN结,,外部有三个电极,分别是阳极A 极阴极K 极和门极G 极。

2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时,门极上加上触发电压,晶闸管就导通。

3、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态,正向导通状态和反向阻断状态。

4、某半导体器件的型号为KP50—7的,其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管,50表示额定电流50A ,7表示额定电压100V 。

5、只有当阳极电流小于维持电流电流时,晶闸管才会由导通转为截止。

6、当增大晶闸管可控整流的控制角α,负载上得到的直流电压平均值会减小。

7、按负载的性质不同,晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载,电感性负载和反电动势负载三大类。

8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会减小,解决的办法就是在负载的两端并接一个续流二极管。

9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角小、电流波形不连续、呈脉冲状、电流的平均值小。

(完整版)电力电子技术总复习

(完整版)电力电子技术总复习

《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、开关型DC/DC 变换电路的3个基本元件是 、 和 。

2、逆变角β与控制角α之间的关系为 。

3、GTO 的全称是 。

4、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有 斩波电路; 斩波电路; --——斩波电路.5、变频电路从变频过程可分为 变频和 变频两大类。

6、晶闸管的工作状态有正向 状态,正向 状态和反向 状态。

7、只有当阳极电流小于 电流时,晶闸管才会由导通转为截止.8、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 角.9、GTR 的全称是 。

10、在电流型逆变器中,输出电压波形为 波,输出电流波形为 波。

11、GTO 的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。

12、普通晶闸管的图形符号是,三个电极分别是 , 和 。

13、整流指的是把 能量转变成 能量.14脉宽调制变频电路的基本原理是:控制逆变器开关元件的 和 时间比,即调节 来控制逆变电压的大小和频率。

15、型号为KP100—8的元件表示 管、它的额定电压为 伏、额定电流为 安.16、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括: 和 。

二、判断题1、KP2—5表示的是额定电压200V ,额定电流500A 的普通型晶闸管。

2、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。

3、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极.4、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。

5、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。

6、普通晶闸管内部有两个PN 结。

7、逆变失败,是因主电路元件出现损坏,触发脉冲丢失,电源缺相,或是逆变角太小造成的。

8、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明,其电路中发生的“逆变”称有源逆变. 9、单相桥式可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为22U 。

10、MOSFET属于双极型器件.11、电压型逆变电路,为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。

电力电子技术 填空题大全

电力电子技术 填空题大全

一,填空题1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管IGBT ;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦,输出电流波形为方波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100安。

6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_ 同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_ 不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采用控制角α大于β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

(写出四种即可)10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ- 四种。

11、双向晶闸管的触发方式有:I+ 触发:第一阳极T1接正电压,第二阳极T2接负电压;门极G接正电压,T2接负电压。

I- 触发:第一阳极T1接正电压,第二阳极T2接负电压;门极G接负电压,T2接正电压。

Ⅲ+触发:第一阳极T1接负电压,第二阳极T2接正电压,门极G接正电压,T2接负电压。

Ⅲ-触发:第一阳极T1接负电压,第二阳极T2接正电压;门极G接负电压,T2接正电压。

12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫(脉冲)换流。

13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。

电力电子技术填空题

电力电子技术填空题

1、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。

2、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

3、面积等效原理指的是,_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,应用最为广泛的是___________。

5、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。

6、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。

7、_________存在二次击穿现象,____________存在擎住现象。

8、功率因数由和这两个因素共同决定的。

9、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是_措施。

10、同一晶闸管,维持电流I H与掣住电流I L在数值大小上有I L_ I H。

11、电力变换通常可分为:、、和。

12、在下图中,_______和________构成降压斩波电路使直流电动机电动运行,工作于第1象限;___和_______构成升压斩波电路,把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行,工作于____象限。

13、请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管;可关断晶闸管;功率场效应晶体管;绝缘栅双极型晶体管;IGBT是和的复合管。

14、晶闸管对触发脉冲的要求是、和。

15、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题,解决的方是。

电力电子填空题知识讲解

电力电子填空题知识讲解

电力电子填空题电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。

9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。

电力电子技术试题库

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电力电子技术试题库一、填空题(每空格1分,共110分)1.晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的有螺栓式与_______。

2.晶闸管象二极管一样,具有可控_______特性。

3.为了保证晶闸管可靠与迅速地关断,通常在管子阳极电压下降为零之后,加一段时间的____电压。

4.选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大_______倍,使其有一定的电压裕量。

5.选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以_______。

6.在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是_______极。

7.单相半波可控整流电路,当电感性负载接续流二极管时,控制角的移相范围为_______。

8.在反电动势负载时,只有_______的瞬时值大于负载的反电动势,整流桥路中的晶闸管才能随受正压而触发导通。

9.把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为_______。

10._______可控整流电路,是三相可控整流电路最基本的组成形式。

11.三相半波可控整流电路,带大电感负载时的移相范围为_______。

12.采用晶闸管共阳极接法的缺点是:要求三个触发电路的输出线圈_____。

13.触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲冲触发两种方法,目前采用较多的是_____触发方法。

14.由于电路中共阴极与共阳极组换流点相隔60o,所以每隔60o有一次____。

15.三相桥式整流电路控制角α的起算点,如α=30o,在对应的线电压波形上脉冲距波形原点为_______。

16.双窄脉冲触发是在触发某一号晶闸管时,触发电路同时给_______一号晶闸管补表一个脉冲。

17.在三相可控整流电路中,α=0o的地方(自然换相点)为相邻线电压的交点,它距对应线电压波形的原点为_______。

18.在三相半波可控整流电路中,电阻性负载,当控制角_______时,电流连续。

19.在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角_______时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二级管。

20套电力电子技术选择填空题和答案

20套电力电子技术选择填空题和答案

考试试卷( 1 )卷一、填空题(本题共8小题,每空1分,共20分)1、电子技术包括_____和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时,__开关_______损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为_____________,当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。

在逆变电路的输出频率围划分成若干频段,每个频段载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是,_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大2反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源,则称为逆变,如果接到负载,则称为逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段,电流的通路为________;(2) t1~t2时间段,电流的通路为_______;(3) t2~t3时间段,电流的通路为_______;(4) t3~t4时间段,电流的通路为_______;(5) t4~t5时间段,电流的通路为_______;1 / 42二、选择题(本题共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是()A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通,V2常断,V3与V4交替通断C、V1与V4关断,V2与V3导通D、V1常断,V2常通,V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中,输出电压的波形如下图所示,在t1~t2时间段,有()晶闸管导通。

电力电子考试题库附含答案解析

电力电子考试题库附含答案解析

一、填空(每空1分)r1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:円、片电力晶体管_GT _;图形符号为____________________ ;L"■"■■■::::'可关断晶闸管GTQ;图形符号为________________ ;功率场效应晶体管_MOSFET ;图形符号为_________________ ;绝缘栅双极型晶体管」GBT 图形符号为_____________ ;IGBT是—MOSFET和___ GTR_ 的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是 ________ 要有足够的驱动功率_、___________ 触发脉冲前沿要陡幅值要高 ____________ 和 _____ 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑—均流—的问题,解决的方法是 ___________ 串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为—正弦波 _,输出电流波形为 _______________ 方波_。

5、型号为KS100-8的元件表示 _________ 双向晶闸管—晶闸管、它的额定电压为_____ 800 _____伏、额定有效电流为—100 ___________ 。

6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在—同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在—不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会—增加、正反向漏电流会下降当温度升高时,晶闸管的触发电流会—下降_、正反向漏电流会________________________________________ 增加_。

8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经—逆变电源_______ 、 _______ 逆变桥而不流经—负载—的电流。

环流可在电路中加 ______ 电抗器______________ 来限制。

为了减小环流一般米控用控制角a_______ 大于B的工作方式。

电力电子技术

电力电子技术

《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时,门极上加上电压,晶闸管就导通。

2、开关型DC/DC变换电路的3个基本元件是、和。

3、逆变指的是把能量转变成能量。

4、逆变角β与控制角α之间的关系为。

5、GTO的全称是。

6、整流指的是把能量转变成能量。

7、只有当阳极电流小于电流时,晶闸管才会由导通转为截止。

8、脉宽调制变频电路的基本原理是:控制逆变器开关元件的和时间比,即调节来控制逆变电压的大小和频率。

9、在电流型逆变器中,输出电压波形为波,输出电流波形为波10、GTO的关断是靠门极加出现门极来实现的11、当电源电压发生瞬时与直流侧电源联,电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载,这称为或。

12、晶闸管的工作状态有正向状态,正向状态和反向状态。

13、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括:和。

14、逆变角β与控制角α之间的关系为。

二、判断题1、KP2—5表示的是额定电压200V,额定电流500A的普通型晶闸管。

()2、增大晶闸管整流装置的控制角α,输出直流电压的平均值会增大。

()3、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。

()4、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极。

()5、普通晶闸管额定电流的定义,与其他电气元件一样,是用有效值来定义的。

()6、三相桥式全控整流电路,输出电压波形的脉动频率是150H Z。

()7、MOSFET属于双极型器件。

()8、同一支可关断晶闸管的门极开通电流和关断电流是一样大的。

()2U。

()9、单相桥式可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为210、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。

()11、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。

()12、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。

()13、普通晶闸管内部有两个PN结。

()14、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。

()15、逆变失败,是因主电路元件出现损坏,触发脉冲丢失,电源缺相,或是逆变角太小造成的。

电力电子填空

电力电子填空

考试试卷(1)1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。

当器件的工作频率较高时,__开关_______损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______,当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。

4、面积等效原理指的是,_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时,其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是___MOSFET______,单管输出功率最大的是____GTO_________,应用最为广泛的是___IGBT________。

6、设三相电源的相电压为U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其承受的最大正向电压为√2U27、逆变电路的负载如果接到电源,则称为有源逆变,如果接到负载,则称为无源逆变。

8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1)0~t1时间段内,电流的通路为___VD1_____;(2) t1~t2时间段内,电流的通路为__V1_____;(3)t2~t3时间段内,电流的通路为_VD2______;(4)t3~t4时间段内,电流的通路为____V2___;(5) t4~t5时间段内,电流的通路为VD1考试试卷(2)1、__GTR_______存在二次击穿现象,___IGBT_________存在擎住现象。

2、功率因数由基波电流转移和电流波形畸变这两个因素共同决定的。

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电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。

9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。

第2章整流电路3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O_,单22和2;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为2_2_;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。

4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。

5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于__2_,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o _,使负载电流连续的条件为__o 30≤α__(U2为相电压有效值)。

6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _,当它带阻感负载时,α的移相范围为__0-90o _。

7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的相电压;这种电路 α 角的移相范围是_0-120o _,u d 波形连续的条件是_o 60≤α_。

8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值__下降_。

9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中,空载时,输出电压为2_,随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_,通常设计时,应取RC≥_1.5-2.5_T ,此时输出电压为Ud ≈__1.2_U 2(U 2为相电压有效值,T 为交流电源的周期)。

10.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流 id 断续和连续的临界条件是_=RC ω。

11.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 _增大_,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而_减小_。

12.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为_有源逆变_,欲实现有源逆变,只能采用__全控_电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在__整流_状态; π /2< α < π 时,电路工作在__逆变_状态。

13.在整流电路中,能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角α > 90O ,使输出平均电压U d 为负值_。

15.直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行,当其处于第一象限时,电动机作_电动__运行,电动机_正__转,正组桥工作在_整流_状态;当其处于第四象限时,电动机做_发电_运行,电动机_反转_转,___正_组桥工作在逆变状态。

第3章 直流斩波电路1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。

2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。

3.斩波电路有三种控制方式:_脉冲宽度调制(PWM )_、_频率调制_和_(t on 和T 都可调,改变占空比)混合型。

4.升压斩波电路的典型应用有_直流电动机传动_和_单相功率因数校正_等。

5.升降压斩波电路呈现升压状态的条件为__)(15.0为导通比αα<<______。

8.斩波电路用于拖动直流电动机时,降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限,升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限,_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。

9.桥式可逆斩波电路用于拖动直流电动机时,可使电动机工作于第_1、2、3、4_象限。

10.复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合;多相多重斩波电路中,3相3重斩波电路相当于3个__基本__斩波电路并联。

第4章 交流—交流电力变换电路1.改变频率的电路称为_变频电路_,变频电路有交交变频电路和_交直交变频_电路两种形式,前者又称为_直接变频电路__,后者也称为_间接变频电路_。

2.单相调压电路带电阻负载,其导通控制角α的移相范围为_0-180O_,随 α 的增大, Uo _降低_,功率因数λ_降低__。

3.单相交流调压电路带阻感负载,当控制角α<ϕ(ϕ=arctan(ωL/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间__逐渐延长_。

4.根据三相联接形式的不同,三相交流调压电路具有多种形式,TCR 属于_支路控制三角形_联结方式,TCR 的控制角 α 的移相范围为_90O -180O _,线电流中所含谐波的次数为_6k ±1_。

6.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为__交交变频电路_。

7.单相交交变频电路带阻感负载时,哪组变流电路工作是由_输出电流的方向_决定的,交流电路工作在整流还是逆变状态是根据_输出电流方向和输出电压方向是否相同_决定的。

8.当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz 时,单相交交变频电路的输出上限频率约为_20Hz__。

9.三相交交变频电路主要有两种接线方式,即_公共交流母线进线方式_和_输出星形联结方式_,其中主要用于中等容量的交流调速系统是_公共交流母线进线方式_。

10.矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。

它采用的开关器件是_全控_器件;控制方式是_斩控方式__。

1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。

4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波波,输出电流波形为方波波。

6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。

8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

(写出四种即可)10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器,电压型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是180º度;而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是120º度。

11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路;升压斩波电路;升降压斩波电路。

12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。

13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。

14、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK快速晶闸管;200表示表示200A,9表示900V。

15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉脉冲;主要用于驱动小功率的晶闸管;锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲;可以触发大功率的晶闸管。

17、为了减小变流电路的开、关损耗,通常让元件工作在软开关状态,软开关电路种类很多,但归纳起来可分为零电流开关与零电压开关两大类。

18、直流斩波电路在改变负载的直流电压时,常用的控制方式有等频调宽控制;等宽调频控制;脉宽与频率同时控制三种。

19、由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于 1.57倍I T(AV),如果I T(A V)=100安培,则它允许的有效电流为157安培。

通常在选择晶闸管时还要留出 1.5—2 倍的裕量。

20、通常变流电路实现换流的方式有 器件换流,电网换流,负载换流,强迫换流四种。

21、在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是 π→0 ,负载是阻感性时移相范围是 πϕ→ 。

22、在电力晶闸管电路中,常用的过电压保护有 避雷器;阻容吸收;硒堆;压敏电阻;整流式阻容吸收等几种。

23、。

晶闸管的维持电流I H 是指在温40度以下 温度条件下,门极断开时,晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小 阳极 电流。

25、普通晶闸管的图形符号是 ,三个电极分别是 阳极A , 阴极K 和门极G 晶闸管的导通条件是阳极加正电压,阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通;关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流I H 时,导通的晶闸管关断。

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