MOS2010-PPT讲义
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MOS概述及应用PPT课件
与MOS相关的控制器问题
*
（5）、控制器中的MOS经常“坏掉”，到底是什么原因？ 1. 控制器温度过高，将功率管“烧”坏，打开控制器可以看到功率管上面的塑封体被烧化了.这主要是控制器长期在大电流下运行造成的，可能是MOS与散热片上的螺丝未拧紧导致散热不良。连接MOS的螺丝和塑料粒子也容易变形烧坏，可以在塑料粒子和螺丝之间再垫上金属平垫片和弹簧垫片，保证塑料粒子被压紧，同时散热性能也会好点。 2.另外，控制器软件和硬件保护做的又不到位，还有驱动电路与功率管不匹配都会导致这种问题。建议客户将样品寄给我们，以便匹配； 3. 电机本身设计的不好。这点从相对地波形容易看出。如果相对地波形不是梯形波，而是有明显的电压突变现象，就会使dV/dt过大，也会导致MOS管易坏，这点建议电机厂修改电机。
*
垂直导电MOSFET
根据栅氧槽形状，可分成VMOS、UMOS、TMOS、DMOS等
*
1001M导电结构
1001纵向剖面图
*
MOS主要应用范围
高压MOS： 1、 PC电源：2N60、4N60、10N60 2、节能灯：830（5A500V）、840（8A500V）、 3、 电子镇流器：830、840、5N50； 4、 充电器、笔记本适配器：1N60、2N60、4N60、5N60、6N60、7N60、8N60、10N60； 低压MOS： 5、 电动工具：60N06、； 6、 电动车： 1001、1808 ； 7、 锂电池保护：8205； 8、 UPS：1001、1707；
MOS动态参数
*
MOS参数中英文对照表
*
MOS动态参数
gfs---正向跨导 。表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值. dv/dt---电压上升率（控制器电路参数） 由于MOSFET的封装电感和线路的杂散电感的存在，在MOSFET反向恢复电流Irr突然关断时，MOSFET上的电压Vds会出现振铃，导致Vds超过MOSFET的BVDSS从而发生雪崩现象。 若MOSFET的米勒电容Cgd 偏大的同时且VTH又偏小，则MOSFET在关闭的瞬间，将在GS端感应出电压（与dv/dt、Cgd、Cgs、RG相关），若该电压大于VTH，则将导致Cdv/dt感应导通。
*
（5）、控制器中的MOS经常“坏掉”，到底是什么原因？ 1. 控制器温度过高，将功率管“烧”坏，打开控制器可以看到功率管上面的塑封体被烧化了.这主要是控制器长期在大电流下运行造成的，可能是MOS与散热片上的螺丝未拧紧导致散热不良。连接MOS的螺丝和塑料粒子也容易变形烧坏，可以在塑料粒子和螺丝之间再垫上金属平垫片和弹簧垫片，保证塑料粒子被压紧，同时散热性能也会好点。 2.另外，控制器软件和硬件保护做的又不到位，还有驱动电路与功率管不匹配都会导致这种问题。建议客户将样品寄给我们，以便匹配； 3. 电机本身设计的不好。这点从相对地波形容易看出。如果相对地波形不是梯形波，而是有明显的电压突变现象，就会使dV/dt过大，也会导致MOS管易坏，这点建议电机厂修改电机。
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垂直导电MOSFET
根据栅氧槽形状，可分成VMOS、UMOS、TMOS、DMOS等
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1001M导电结构
1001纵向剖面图
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MOS主要应用范围
高压MOS： 1、 PC电源：2N60、4N60、10N60 2、节能灯：830（5A500V）、840（8A500V）、 3、 电子镇流器：830、840、5N50； 4、 充电器、笔记本适配器：1N60、2N60、4N60、5N60、6N60、7N60、8N60、10N60； 低压MOS： 5、 电动工具：60N06、； 6、 电动车： 1001、1808 ； 7、 锂电池保护：8205； 8、 UPS：1001、1707；
MOS动态参数
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MOS参数中英文对照表
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MOS动态参数
gfs---正向跨导 。表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值. dv/dt---电压上升率（控制器电路参数） 由于MOSFET的封装电感和线路的杂散电感的存在，在MOSFET反向恢复电流Irr突然关断时，MOSFET上的电压Vds会出现振铃，导致Vds超过MOSFET的BVDSS从而发生雪崩现象。 若MOSFET的米勒电容Cgd 偏大的同时且VTH又偏小，则MOSFET在关闭的瞬间，将在GS端感应出电压（与dv/dt、Cgd、Cgs、RG相关），若该电压大于VTH，则将导致Cdv/dt感应导通。
MOS 2010讲义
制作人：赫亮
14
更新当前索引，以便使其包括文档内的所有文本 “罗素”。
制作人：赫亮
15
在文档个人信息一节中的所有字段旁添加文本域 （窗体控件）。
制作人：赫亮
16
为复选框型窗体域“其他”添加帮助键文本，内容 为“其他选项请勾选此处！”。
制作人：赫亮
17
添加“其他需求”作为格式文本内容控件的标题， 并锁定此内容控件，使其无法被删除。
制作人：赫亮
7
设置所有“标题2”文本的格式，以使首行缩进1厘 米，行间距为1.8 。
制作人：赫亮
8
为文档加载模板“W02-02-B.dotx”，并自动更新 文档样式。
制作人：赫亮
9
开启文档“W02-03.docx”，在其中删除文档 “W02-03-B.dotx”中的样式“论文标题”，并保 存该文档。
制作人：赫亮
5
在工作表“ABC电脑销售量统计”的单元格C10中， 使用HLOOKUP函数，查找西南区域的销售经理的总 销售量。 案例素材
制作人：赫亮
6
在工作表“ABC电脑销售量统计”的单元格B12中， 使用VLOOKUP函数，查找华东区域的销售经理的 总销售量。 案例素材
制作人：赫亮
7
配置Excel，以使用红色标识检测到的公式错误。 案例素材
制作人：赫亮
2
调整节2的字符间距，使用0.6磅的加宽间距。
制作人：赫亮
3
将页面上方两个文本框进行链接。
制作人：赫亮
4
为第5页上的表格添加可选文字“西方主要哲学家 一览”，并将表格的指定宽度设置为80%。
MOS场效应晶体管的结构 工作原理幻灯片PPT
B G
B
N沟道增强型MOSFET的符号
如左图所示。左面的一个衬底在内部
S
S
与源极相连，右面的一个没有连接，
使用时需要在外部连接。动画2-3
2 N沟道增强型MOSFET的工作原理
对N沟道增强型MOS场效应三极管的工作原理，分两个方面进展讨
论，一是栅源电压UGS对沟道会产生影响，二是漏源电压UDS也会对
2．漏源电压UDS的控制作用
设UGS＞UGS(th)，增加UDS，此时沟道的变化如下。
U DS
U G S＞ U G S (th )
ID
SG
预夹断
D
++ ++
S iO 2
N+
N+
P 型衬底
空穴 电子 正离子 负离子
显然漏源电压会对沟道产生影响，因 为源极和衬底相连接，所以参加UDS后， UDS将沿漏到源逐渐降落在沟道内，漏极 和衬底之间反偏最大，PN结的宽度最大。 所以参加UDS后，在漏源之间会形成一个 倾斜的PN结区，从而影响沟道的导电性。
I D/ m A
4 3 2 1
O 123
U th(on)
U DS 10V
4
U GS /V
N沟道增强型MOSFET的转移 特性曲线如左图所示，它是说明栅源
电压UGS对漏极电流ID的控制关系，
可用这个关系式来表达，这条特性曲 线称为转移特性曲线。
转移特性曲线的斜率gm反映了
栅源电压对漏极电流的控制作用。
当UGS=0时，对应的漏极电流用IDSS表示。当UGS＞0时，将使ID进 一步增加。UGS＜0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。 对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UGS(off)表示，有时也用UP表示。
《MOS存储器》PPT课件
（２）动态DRAM，利用电容来存储信息，需刷新．
优点：存储单元的元件数少，单元面积小，功耗低，适
合大规模集成；
缺点：需要复杂的刷新电路，对时序有严格要求，速度
比静态慢．
精选课件ppt
3
4.顺序存取存储器SAM(sequential access memory)
非随机存取的，存取次序受到限制: (1)先进先出存储器FIFO(first-in first-out ); (2)后进先出存储器LIFO(last-in first-out ); (3)移位寄存器(shift register); (4)按内容存取存储器(contents-addressable memory,CAM).
C S :电荷转移比
C S C BL
C S 一般为0.05PF CBL约为１PF，电荷转移比一般在
1%-10%之间．△V≈250m精v选课件ppt
9
讨论： ① △V很小，要有灵敏放大器； ②转移比要尽量大，在小面积得到尽可能大的电容是设计关
键； ③读取过程是“破坏性”的，CS中的电荷量发生了变化，读
• 谁也不连接，称为浮栅
• 2 因为有浮栅，跨导↓，VT ↑（相比普通MOS管） • 3 VT可以改变，即可以编程。当在源与栅漏之间加
15~20V的编程电压时，DS方向强电场会引发雪崩效应， 电子获得足够的能量（>3.2ev），借助VGS而穿过SiO2 进入浮栅。所以浮栅晶体管也称为浮栅雪崩注入MOS 管(floating gate avalanche-injection MOS transistor-FAMOS)
N+
N+
p
字线
位线
SiO2
W
公共电容
《mos管工作原理》ppt课件
数字电路
用于逻辑电路、时序电路等。
其他应用
如LED驱动、传感器等。
02
Mos管的结构与原理
Mos管的内部结构
金属层
作为导电通道，提供良好 的电导性。
氧化层
作为绝缘层，隔离金属层 和其他部分。
半导体层
作为电流控制开关，通过 调节电压来控制电流的通 断。
Mos管的电路符号
箭头表示开关状态
箭头朝上表示开关导通，箭头朝下表示开关断开。
03
Mos管的特性与参数
Mos管的直流特性
开启电压
Mos管在导通之前需要达到 一定的电压才能开启。
导通电阻
Mos管导通后，有一定电阻值， 影响电流的流通。
截止电压
当Mos管两端电压小于某一特定值 时，管子处于关断状态。
Mos管的频率特性
频率响应
Mos管在高频信号下的响应能 力，受到寄生参数和电容的影
它由金属、氧化物和半导体材料制成，具有极高的电路集成 度和可靠性。
Mos管的分类
01
02
03
按开关速度分类
分为高速型和低速型两类 。
按工作方式分类
分为N沟道和P沟道两类 。
按结构形式分类
分为单极型、双极型和互 补型三类。
Mos管的应用场景
电源电路
用于开关电源、DC/DC转换器等。
模拟电路
用于放大器、振荡器等。
THANKS
感谢观看
集成元件控制电路
02
使用集成元件（如运算放大器、比较器等）构成开关控制电路
。
数字信号控制电路
03
使用数字信号（如TTL、CMOS等）构成开关控制电路。
Mos管的保护电路
过电压保护电路
《MOS概述及应用》课件
智能家居设备
MOS技术支持智能家居设备的 联网和智能控制功能。
医疗设备
MOS技术在医疗设备中的应用， 提高了设备的精度和稳定性。
MOS系统特点
1
高度集成
MOS技术可以实现高度集成，将大量的电子元器件集成到一个芯片上。
2
低功耗
MOS技术具有低功耗特性，有助于延长电子设备的电池寿命。
3
稳定性强
MOS技术可以提供稳定可靠的性能，适用于各类计算和控制应用。
放大器
MOS可以作为放大器使用，放大电信号的幅 度。
逻辑电路
MOS技术支持各种逻辑电路的设计，例如与 门、或门、非门等。
开关电路
MOS技术在开关电路中广泛应用，用于控制 和调节电流的流动。
MOS电容与电压关系
电容与电压关系
MOS的电容与门极电压相关， 可以通过改变电压来改变电容 的大小。
电荷储存
MOS的电容可以储存电荷，用 于存储和传输信息。
电压控制
改变门极电压可以控制电容中 的电荷，实现信息的读取和写 入。
ห้องสมุดไป่ตู้
MOS开关电路设计
1
分析需求
根据实际应用需求，分析开关电路的功能和性能要求。
2
电路设计
根据需求设计合适的电路拓扑结构和元件参数。
3
性能测试
对设计的开关电路进行性能测试，评估其稳定性和可靠性。
MOS工作原理
引入感应电荷
MOS通过控制门极电压，引 入感应电荷来控制电流的流 动。
阈值电压
当门极电压高于阈值电压时， MOS处于导通状态；低于阈 值电压时，处于截止状态。
控制电流流动
改变门极电压可以控制沟道 中电荷的浓度，从而控制电 流的流动。
MOS场效应管PPT课件
G
U G
U G
S NEMOS
转移特性
ID
S NDMOS
ID
S PEMOS
ID
D
ID
U
S PDMOS
ID
23
0 VGS(th) VGS
VGS(th) 0
VGS
.
VGS(th) 0 VGS
0 VGS(th VGS
)
饱和区（放大区）外加电压极性及数学模型
▪ VDS极性取决于沟道类型 N沟道：VDS > 0， P沟道：VDS < 0
▪ VGS极性取决于工作方式及沟道类型 增强型MOS管： VGS 与VDS 极性相同。 耗尽型MOS管： VGS 取值任意。
▪ 饱和区数学模型与管子类型无关
24
ID C 2 O lW X(VGS VGS()t2h)
.
临界饱和工作条件
|VGS| > |VGS(th) |， |VDS | = | VGS – 饱和区（放大区）工作VG条S(件th) |
之间PN结反偏，衬底应接电路最低电位（N沟道）或最高电
位（P沟道）。
- VD+S
U -VU+S S -VG+S G
D
P+
N+
N+
ID/mA VUS = 0
-2V -4V
P
O
VGS /V
若| VUS | 阻挡层宽度 耗尽层中负离子数
19
因VGS不变（G极正电荷量不变） 表面层中电子数 ID
根据衬底电压对ID的控制作. 用，又称U极为背栅极。
.
▪ 若考虑沟道长度调制效应
则VDS →沟道长度l →沟道电阻Ron略。
《MOS管教程》课件
利用两个或多个MOS管的 串并联，可以实现与逻辑 功能。
OR门
利用两个或多个MOS管的 串并联，可以实现或逻辑 功能。
NOT门
通过一个MOS管可以实现 非逻辑功能。
04
MOS管的驱动与保护
驱动电路
栅极驱动电路
提供合适的栅极电压，使MOS管正常工作。
源极驱动电路
控制源极的电压，使MOS管在正确的状态下工作。
音频放大
音频功率放大
利用MOS管的放大特性，可以用于音 频信号的功率放大，广泛应用于音响 设备中。
耳机驱动
音频信号处理
在音频信号处理电路中，MOS管可以 作为运算放大器或比较器使用，实现 音频信号的滤波、均衡等处理。
通过控制MOS管的导通和截止，可以 实现耳机的音量控制和音源切换。
数字逻辑门
AND门
漏极驱动电路
控制漏极的电流，使MOS管在合适的电流下工作。
保护电路
01
过流保护电路
当电流过大时，自动切断电源， 防止MOS管烧毁。
02
过压保护电路
03
欠压保护电路
当电压过高时，自动切断电源， 防止MOS管损坏。
当电压过低时，自动切断电源， 防止MOS管工作异常。
安全工作区
电压安全工作区
确保MOS管在正常工作电压范围内工作，避免过压或欠压。
预防措施
在电路设计时，应充分考虑导通电阻的影响，并留有一定的余量。
开关噪声
总结词
开关过程中产生的噪声
详细描述
MOS管在开关过程中会产生噪声，这种噪 声可能会对周围电路产生干扰。
解决方案
预防措施
采用低噪声的MOS管产品，并合理设计电 路布局和布线，减小电磁干扰。
OR门
利用两个或多个MOS管的 串并联，可以实现或逻辑 功能。
NOT门
通过一个MOS管可以实现 非逻辑功能。
04
MOS管的驱动与保护
驱动电路
栅极驱动电路
提供合适的栅极电压，使MOS管正常工作。
源极驱动电路
控制源极的电压，使MOS管在正确的状态下工作。
音频放大
音频功率放大
利用MOS管的放大特性，可以用于音 频信号的功率放大，广泛应用于音响 设备中。
耳机驱动
音频信号处理
在音频信号处理电路中，MOS管可以 作为运算放大器或比较器使用，实现 音频信号的滤波、均衡等处理。
通过控制MOS管的导通和截止，可以 实现耳机的音量控制和音源切换。
数字逻辑门
AND门
漏极驱动电路
控制漏极的电流，使MOS管在合适的电流下工作。
保护电路
01
过流保护电路
当电流过大时，自动切断电源， 防止MOS管烧毁。
02
过压保护电路
03
欠压保护电路
当电压过高时，自动切断电源， 防止MOS管损坏。
当电压过低时，自动切断电源， 防止MOS管工作异常。
安全工作区
电压安全工作区
确保MOS管在正常工作电压范围内工作，避免过压或欠压。
预防措施
在电路设计时，应充分考虑导通电阻的影响，并留有一定的余量。
开关噪声
总结词
开关过程中产生的噪声
详细描述
MOS管在开关过程中会产生噪声，这种噪 声可能会对周围电路产生干扰。
解决方案
预防措施
采用低噪声的MOS管产品，并合理设计电 路布局和布线，减小电磁干扰。
MOS管工作原理详解ppt课件
IDR
C1 + ui
—
+ VDD Rd
Rg1 d C2 +
gT
s
uo
Rg3 Rg2
R
C
—
计算Q点：
已知UP ，由
UGS
Rg2 Rg1 Rg2
VDD
IDR
ID
IDSS (1
UGS )2 UP
可解出Q点的UGS 、 ID
再求： UDS =VDD- ID (Rd + R )
该电路产生的栅源电压可正 可负，所以适用于所有的场 效应管电路。
两个PN结夹着一个N型沟道。 三个电极：
g：栅极 d：漏极 s：源极
栅 极g
-
符号：
-d
g
--
-d
g
--
s N沟道
s P沟道
漏 极d
-
p+
p+
N
源-极s
11
2. 结型场效应管的工作原理
（1）栅源电压对沟道的控制作用
在栅源间加负电压uGS ，令 uDS =0
①当uGS=0时，为平衡PN结，导电 沟道最宽。
9
4. MOS管的主要参数
（1）开启电压UT （2）夹断电压UP （3）跨导gm ：gm=iD/uGS uDS=const （4）直流输入电阻RGS ——栅源间的等效
电阻。由于MOS管栅源间有sio2绝缘层， 输入电阻可达109～1015。
10
二. 结型场效应管
1. 结型场效应管的结构（以N沟为例）：
T
s
Rg3
C2 +
Rg2
R uo RL
-
g
《MOS管教程》课件
MOS管作为交流大器的应用
MOS管可以构成交流放大电路和振 荡器，使其被广泛应用于音频放大 器等。
五、MOS管的实验
1
MOS管的基本性质实验
通过测量MOS管的输入输出特性曲线、阈值电压等实验，了解MOS管的基础特性。
2
MOS管的放大电路实验
通过组合特定的电路，观察MOS管的放大性能等实验，了解MOS管的放大性能。
MOS管与JFET管的比较
MOS管和JFET管都是场效应管，但 MOS管具有更高的输入阻抗、更低 的噪声和更小的功耗。
二、MOS管的工作原理
MOS管的导通状态和截 止状态
MOS管的导通状态由栅极电压 控制，截止状态则需要保证栅 极电压低于阈值电压。
MOS管阈值电压和阈值 电压调节
MOS管的阈值电压是使得漏电 流达到一定值时栅极电压的绝 对值。可以使用工艺调节阈值 电压。
《MOS管教程》PPT课件
MOS管是一种常用的电子元器件，本课件介绍MOS管的概述、工作原理、参 数特性、应用及实验等内容，帮助大家更好地理解和运用MOS管。
一、MOS管概述
MOS管的定极等 构成。
MOS管的分类
MOS管可以分为功率MOS管和信号 MOS管，以及N沟道、P沟道、增强 型、耗尽型等。
MOS管的应用前景广阔，市场前景可观，有着不可忽视的商业价值。
MOS管的反型和欧姆型 导电
如果引入P型衬底，则引起一个 反型道；未引入，则是欧姆型 导电。
三、MOS管的参数特性
1
MOS管的噪声和温度特性
2
MOS管存在热噪声和随机噪声，且其特性随
温度的变化而变化。
3
MOS管的零、一、二、三象限
零象限表示栅极源极电压为0，一、二、三 象限分别对应放大、正比例作用和反比例作 用。
mos工作原理ppt课件
作业： P.45. 2.2.1 P.63. 2.2 2.4
• 2、结型场效应管工作时PN结必须反偏、 MOS管则由于栅极被绝缘，故场效应管的 输入阻抗大大高于三极管。
• 3、集成度高。 • 4、使用注意事项。
2-2 基本放大电路
放大电路的目的是将微弱的变化信号不失真地放大成较大的信号。 这里所讲的主要是电压放大电路。
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网络表示，如图：
ID
UGS>0 UGS=0
VT 0
UGS 0
UGS<0
U DS
N沟道耗尽型MOS管的特点 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。
2-2-2 结型场效应管（J-FET）
与双极型晶体管的比较
• 1、只有多子参与导电，受温度影响较小 （热稳定性较好），抗辐射能力较强。
UGS较小时，导 电沟道相当于电
阻将D-S连接起
来，UGS越大此 电阻越小。
N
N
P
三、增强型N沟道MOS管的特性曲线
输出特性曲线
iD(mA)
4 3
2 1
uGS=6V
uGS=5V uGS=4V uGS=3V
10V
转移特性曲线 iD=f(uGS)uDS=常数
iD(mA)
4
3
2
1
u
DS
(V)2Biblioteka 46UT（VT）场效应管是电压控制元件,只有多子参与导电，输 入阻抗高，热稳定性好。
场效应管
绝缘栅场效应管 增强型
耗尽型
结型场效应管 N沟道
P沟道
N沟道 P沟道
《第五章MOS器件》PPT课件
• 对于MOSFET来说，最令人关注的是反型的 表面状态。当栅偏压VG 0时，P型半导 体表面的电子浓度将大于空穴浓度，形成 与原来半导体导电类型相反的N型导电层， 它不是因掺杂而形成的，而是由于外加电 压产生电场而在原P型半导体表面感应出来 的，故称为感应反型层。这一反型层与P型 衬底之间被耗尽层隔开，它是MOSFET的导 电沟道，是器件是否正常工作的关键。反 型层与衬底间的P－N结常称为感应结。
电荷。单位为C/cm2。 QGQS 0
• 由于Q0是不变的，因此
2021/4/27
实用文档
15
中国科学技术大学物理系微电子专业
6、半导体表面状态
2021/4/27
实用文档
16
积累:
电荷分布 QS
中国科学技术大学物理系微电子专业
积累情况下能带图及电荷分布
-d
x
Qm
EiEF
PP nie
kT
E(X) 电场分布 靠近氧化层的半导体表面
形成空穴积累
x
2021/4/27
实用文档
17
耗尽:
Vg>0
EF
2021/4/27
中国科学技术大学物理系微电子专业
Ec
Ei EF E
v
(x) Qm
电荷分布
wx -d
电场分布
QscqNAW
E(X)
实用文档
x
18
强反型:
中国科学技术大学物理系微电子专业
2021/4/27
np nieEFEik T
实用文档
氧化物陷阱电荷Qot：和SiO2的缺陷有关，分布在SiO2 层内，和工艺过程有关的Qot可以通过低温退火除掉 大部分。
可动离子电荷Qm：如Na＋等碱金属离子，在高温和高 压下工作时，它们可以在氧化层内移动。因此，在
MOS场效应晶体管ppt课件
MOS 场效应晶体管基本结构示意图
16
2. MOS管的基本工作原理
MOS 场效应晶体管的工作原理示意图
17
4.2.2 MOS 场效应晶体管的转移特性
MOS 场效应晶体管可分为以下四种类型:N沟增强型、 N沟耗尽型、P沟增强型、P沟耗尽型。 1. N沟增强型MOS管及转移特性
18
2. N沟耗尽型MOS管及转移特性 3.P沟增强型MOS管及转移特性
理想 MOS 二极管不同 偏压下的能带图及 电荷分布
a) 积累现象 b) 耗尽现象 c) 反型现象
3
2.表面势与表面耗尽区 下图给出了P型半导体MOS结构在栅极电压UG>>0情况 下更为详细的能带图。
4
在下面的讨论中，定义与费米能级相对应的费米势为
F
(Ei
EF )体内 q
因此，对于P型半导体， F
如图所示，当漏源电压UDS增高到某一值时，漏源电流 就会突然增大，输出特性曲线向上翘起而进入击穿区。 关于击穿原因，可用两种不同的击穿机理进行解释：漏 区与衬底之间PN结的雪崩击穿和漏-源之间的穿通。
41
1. 漏区-衬底之间的PN结击穿 在MOS晶体管结构中，栅极金属有一部分要覆盖在漏极上。 由于金属栅的电压一般低于漏区的电位，这就在金属栅极 与漏区之间形成附加电场，这个电场使栅极下面PN结的耗 尽区电场增大，如下图，因而使漏源耐压大大降低。
a) N 沟 MOS b) P 沟 MOS
29
3. 衬底杂质浓度的影响
衬底杂质浓度对阀值电压的影响
30
4. 功函数差的影响
功函数差也将随衬底杂质浓度的变化而变化。但实验证明， 该变化的范围并不大。 从阀值电压的表示式可知，功函数越大，阀值电压越高。 为降低阀值电压，应选择功函数差较低的材料，如掺杂多 晶体硅作栅电极。
16
2. MOS管的基本工作原理
MOS 场效应晶体管的工作原理示意图
17
4.2.2 MOS 场效应晶体管的转移特性
MOS 场效应晶体管可分为以下四种类型:N沟增强型、 N沟耗尽型、P沟增强型、P沟耗尽型。 1. N沟增强型MOS管及转移特性
18
2. N沟耗尽型MOS管及转移特性 3.P沟增强型MOS管及转移特性
理想 MOS 二极管不同 偏压下的能带图及 电荷分布
a) 积累现象 b) 耗尽现象 c) 反型现象
3
2.表面势与表面耗尽区 下图给出了P型半导体MOS结构在栅极电压UG>>0情况 下更为详细的能带图。
4
在下面的讨论中，定义与费米能级相对应的费米势为
F
(Ei
EF )体内 q
因此，对于P型半导体， F
如图所示，当漏源电压UDS增高到某一值时，漏源电流 就会突然增大，输出特性曲线向上翘起而进入击穿区。 关于击穿原因，可用两种不同的击穿机理进行解释：漏 区与衬底之间PN结的雪崩击穿和漏-源之间的穿通。
41
1. 漏区-衬底之间的PN结击穿 在MOS晶体管结构中，栅极金属有一部分要覆盖在漏极上。 由于金属栅的电压一般低于漏区的电位，这就在金属栅极 与漏区之间形成附加电场，这个电场使栅极下面PN结的耗 尽区电场增大，如下图，因而使漏源耐压大大降低。
a) N 沟 MOS b) P 沟 MOS
29
3. 衬底杂质浓度的影响
衬底杂质浓度对阀值电压的影响
30
4. 功函数差的影响
功函数差也将随衬底杂质浓度的变化而变化。但实验证明， 该变化的范围并不大。 从阀值电压的表示式可知，功函数越大，阀值电压越高。 为降低阀值电压，应选择功函数差较低的材料，如掺杂多 晶体硅作栅电极。
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市场部： 这个客户找我说 要赞助电台节目， 顺便谈下广告 栏目组 栏目组： 感谢你的信息， 我马上联系客户！
市场部
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电子数据交换的是什么？
电子数据交换 (EDI - Electronic Data Interchange)
− 是利用电脑应用系统,由一台电脑运用标准协定及 统一标准数据格式，经过电子化的数据传递方式， 将数据传送到另一台电脑的电脑应用系统
你 的 电 脑 商 业 伙 伴 的 电 脑