金属位错理论
金属塑性变形物理基础位错理论
E螺=
Gb2
4
ln
R r0
E刃=
Gb2 ln R
4 (1 ) r0
则 E刃=
1
1
E螺，一般取0.3，
2
所以 E 螺= 3 混合位错
E混=
Gb 2
4 (1 )
E刃 （1-cos2)ln
R r0
• 汇集一点的位错线，它们的柏氏矢量和 为零；
• 一根位错线不能终止在晶体内部，只能 终止在晶体表面。
位错环 b
1.2.3 位错密度——描述位错多少的参数 (1) 定义：单位体积中位错的总长度。
V = L cm/cm3
(2) 位错的形成——液态结晶时形成。晶体 经过塑性变形回复和再结晶及其它热处 理，位错的密度变化。
体的一边贯通到另一边，而是有时终止 在晶体的中部。
1934年，提出了位错的概念，
1947年低碳钢的屈服效应，位错理论得到 了很大发展，
1950年以后，用电镜直接观察到位错。至 此，位错的存在才最终得到间接证明。 从此以后，位错理论得以迅速发展。它 是一门很重要的基本理论。
1.2 位错模型和柏氏矢量 1.2.1 位错的分类：
如1-2图所示,若位错线上的原子沿切 应力方向移动不到一个原子间距,周围其 它原子稍作调整,多余半原子面和位错线 就可以向前移动一个原子间距。可见位 错移动具有易动性。
• 图1-2示出了位错由晶体的一端扫到另一端
（2）螺位错的滑移运动 如图所示位错线上的原子只需在切应
力作用下向前移动一个原子间距的分数倍 的距离，位错线可以向左移动一个原子间 距。
设m= b
化简得
金属材料的强化方法和位错的关系
陶瓷材料和聚合物材料虽然比较脆，但也有滑移面的存在。
金属材料的变形主要是通过滑移实现的，位错对于理解金属材料的一些力学行为特别有用。
而位错理论可以解释材料的各种性能和行为，特别是变形、损伤和断裂机制，相应的学科为塑性力学、损伤力学和断裂力学。
另外，位错对晶体的扩散和相变等过程也有较大影响。
首先，滑移解释了金属的实际强度与根据金属键理论预测的理论强度低得多的原因。
此外，金属材料拉伸断裂时，一般沿450截面方向断裂而不会沿垂直截面的方向断裂，原因在于材料在变形过程中发生了滑移。
其次，滑移赋予了金属材料的延性。
如果材料中没有位错，铁棒就是脆性的，也就不可能采用各种加工工艺，如锻造等将金属加工成有用的形状。
第三，通过干预位错的运动，进行合金的固溶强化，控制金属或合金的力学性能。
把障碍物引入晶体就可以阻止位错的运动，造成固溶强化。
如板条状马氏体钢( F12钢)等。
第四，晶体成型加工过程中出现硬化，这是因为晶体在塑性变形过程中位错密度不断增加，使弹性应力场不断增大，位错间的交互作用不断增强，因而位错运动变得越来越困难。
第五，含裂纹材料的疲劳开裂和断裂、材料的损伤机理以及金属材料的各种强化机制都是以位错理论为基础。
金属的强化strengthening of metals通过合金化、塑性变形和热处理等手段提高金属材料的强度，称为金属的强化。
所谓强度是指材料对塑性变形和断裂的抗力，用给定条件下材料所能承受的应力来表示。
随试验条件不同，强度有不同的表示方法，如室温准静态拉伸试验所测定的屈服强度、流变强度、抗拉强度、断裂强度等（见金属力学性能的表征）；压缩试验中的抗压强度；弯曲试验中的抗弯强度；疲劳试验中的疲劳强度（见疲劳）；高温条件静态拉伸所测的持久强度（见蠕变）。
每一种强度都有其特殊的物理本质，所以金属的强化不是笼统的概念，而是具体反映到某个强度指标上。
一种手段对提高某一强度指标可能是有效的，而对另一强度指标未必有效。
金属材料的四种强化方式最全总结
金属材料的四种强化方式最全总结固溶强化1. 定义合金元素固溶于基体金属中造成一定程度的晶格畸变从而使合金强度提高的现象。
2. 原理溶入固溶体中的溶质原子造成晶格畸变，晶格畸变增大了位错运动的阻力，使滑移难以进行，从而使合金固溶体的强度与硬度增加。
这种通过溶入某种溶质元素来形成固溶体而使金属强化的现象称为固溶强化。
在溶质原子浓度适当时，可提高材料的强度和硬度，而其韧性和塑性却有所下降。
3. 影响因素溶质原子的原子分数越高，强化作用也越大，特别是当原子分数很低时，强化作用更为显著。
溶质原子与基体金属的原子尺寸相差越大，强化作用也越大。
间隙型溶质原子比置换原子具有较大的固溶强化效果，且由于间隙原子在体心立方晶体中的点阵畸变属非对称性的，故其强化作用大于面心立方晶体的；但间隙原子的固溶度很有限，故实际强化效果也有限。
溶质原子与基体金属的价电子数目相差越大，固溶强化效果越明显，即固溶体的屈服强度随着价电子浓度的增加而提高。
4. 固溶强化的程度主要取决于以下因素基体原子和溶质原子之间的尺寸差别。
尺寸差别越大，原始晶体结构受到的干扰就越大，位错滑移就越困难。
合金元素的量。
加入的合金元素越多，强化效果越大。
如果加入过多太大或太小的原子，就会超过溶解度。
这就涉及到另一种强化机制，分散相强化。
间隙型溶质原子比置换型原子具有更大的固溶强化效果。
溶质原子与基体金属的价电子数相差越大，固溶强化作用越显著。
5. 效果屈服强度、拉伸强度和硬度都要强于纯金属；大部分情况下，延展性低于纯金属；导电性比纯金属低很多；抗蠕变，或者在高温下的强度损失，通过固溶强化可以得到改善。
加工硬化1. 定义随着冷变形程度的增加，金属材料强度和硬度提高，但塑性、韧性有所下降。
2. 简介金属材料在再结晶温度以下塑性变形时强度和硬度升高，而塑性和韧性降低的现象。
又称冷作硬化。
产生原因是，金属在塑性变形时，晶粒发生滑移，出现位错的缠结，使晶粒拉长、破碎和纤维化，金属内部产生了残余应力等。
金属材料组织缺陷形成机理分析
金属材料组织缺陷形成机理分析金属材料的组织缺陷常常是导致其力学性能下降的主要原因之一。
对于金属材料组织缺陷形成机理的深入研究，有助于我们理解金属材料的性能变化规律，并进一步提高金属材料的性能。
金属材料的组织缺陷主要包括晶界、孔隙、位错和析出相等。
晶界是金属晶粒之间的界面，是金属材料中不可避免的一种缺陷形态。
晶界的存在对金属材料的塑性变形和热稳定性都会产生显著影响。
孔隙是金属材料中的空隙，常常由于金属材料的制备过程中留下的气体或液体引起。
孔隙的存在会导致金属材料的强度降低以及疲劳寿命缩短。
位错是金属晶体内部的线性缺陷，通常由于金属材料的加工过程或外力作用引起。
位错的存在会导致金属材料的变形行为和力学性能发生变化。
析出相是金属材料中存在的非基底相，常常由于固溶体中的固溶度限制或金相转变引起。
析出相的存在会引起金属材料的显微硬化和晶界强化效应。
金属材料组织缺陷的形成机理具有复杂性和多样性。
首先，金属材料的制备过程中存在的化学反应、相变行为和成分偏析等都会导致组织缺陷的形成。
例如，金属材料的合金化过程中，不同元素之间的化学反应会导致相变和析出相的形成。
其次，金属材料的加工过程中的机械变形会引起位错的形成和运动。
金属材料在加工过程中所经历的塑性变形会导致晶界的运动和分布的变化，从而形成晶界缺陷。
此外，金属材料在高温条件下的热处理也会影响组织缺陷的形成。
热处理过程中的相变行为和固溶体的析出相会改变金属材料的晶界、孔隙和位错等缺陷的分布和性质。
为了深入理解金属材料组织缺陷的形成机理，研究人员通常采用多种先进的材料表征技术和数值模拟方法。
例如，透射电子显微镜（TEM）和扫描电子显微镜（SEM）可以观察到金属材料中的晶界和位错等缺陷形态。
X射线衍射（XRD）和能谱分析技术可以分析金属材料中的析出相和化学成分。
此外，通过应用分子动力学模拟、有限元分析和相场模型等数值模拟方法，可以模拟金属材料的相变行为、位错运动以及晶界演化等过程。
位错
3.2.1 位错类型及特征
问题1：实际晶体的强度比 理论强度低3~4数量级？ 问题2：金属材料为何出现 屈服和加工硬化现象？ 问题3：为何钢热轧时一般 选择在奥氏体相区？ 问题4：为何出现铝塑性变 形后形貌？
经7%形变的铝的 形变的铝的 表面图象
位错的基本概念
理论切变强度的估算
Gb G τ≈ ≈ 2πa 2π
位错理论发展简史
• 早期模型建立（1930年前） 早期模型建立（ 年前） 年前 • 1939年Burgers提出描述位错的一个重要 年 提出描述位错的一个重要 特征量-柏氏矢量 同时引入了螺位错。 柏氏矢量， 特征量 柏氏矢量，同时引入了螺位错。 • 位错理论的丰富及应用。（四、五十年代） 位错理论的丰富及应用。（ 。（四 五十年代） • 位错的电镜观测及证实。（ 位错的电镜观测及证实。（ 。（1956年） 年 • 计算机的模拟。（近代） 计算机的模拟。（近代） 。（近代
3.2.3 位错的弹性性质
位错在晶体中的存在，使其周围原子偏离平 衡位置而导致点阵畸变和弹性应力场的产生。 1．位错的应力场 采用弹性连续介质模型来进行计算： (1)该模型首先假设晶体是完全弹性体，服从虎 (1) 克定律； (2)其次，把晶体看成是各向同性的； (3)第三，近似地认为晶体内部由连续介质组成， 晶体中没有空隙，因此晶体中的应力、应变、 位移等量是连续的，可用连续函数表示。
柏氏矢量表示法: 柏氏矢量表示法
立方晶系中 立方晶系中 b=（a/n）[uvw] ，其大小成为位 错强度， 错强度，用模表示 ，模的大小表示该晶向上 原子间的距离。 原子间的距离。 六方晶系中: 六方晶系中: b=（a/n）[uvtw] 晶体中，柏氏矢量愈大， 晶体中，柏氏矢量愈大，表明该位错导致点阵 畸变愈严重，它所在处的能量也愈高。 畸变愈严重，它所在处的能量也愈高。能量 较高的位错通常倾向于分解为两个或多个能 量较低的位错：b1→b2＋b3，以使系统的自 量较低的位错： ＋ ， 由能下降。 由能下降。
位错动力学应用范围
位错动力学应用范围一、金属合金的性能和微观结构位错动力学在金属合金的性能和微观结构研究中具有重要应用。
通过研究位错在金属合金中的运动和交互作用，可以深入了解合金的力学性能、热学性能以及电学性能，进一步指导合金的成分设计、工艺优化和性能调控。
二、固态相变和晶体生长位错动力学在固态相变和晶体生长过程中也发挥着重要作用。
通过研究位错在相变过程中的运动规律和作用机制，可以揭示相变过程的本质和规律，为固态相变和晶体生长的理论研究和实际应用提供重要指导。
三、晶体材料的力学行为和断裂位错动力学对于晶体材料的力学行为和断裂研究具有重要意义。
通过研究位错在晶体材料中的运动和交互作用，可以揭示晶体材料的变形机制、断裂机理以及裂纹扩展路径，为晶体材料的强度设计、韧性提升以及耐久性评估提供重要依据。
四、纳米材料和微结构中的位错行为随着纳米材料和微结构研究的深入，位错动力学在其中的应用也越来越广泛。
通过研究纳米材料和微结构中的位错行为，可以揭示纳米材料和微结构的力学性能、热学性能以及电学性能的变化规律，为纳米材料和微结构的优化设计提供重要支持。
五、机械和物理性能的调控位错动力学在机械和物理性能的调控方面具有重要应用。
通过调控位错的运动和交互作用，可以实现对材料机械性能和物理性能的有效调控，进一步优化材料的综合性能，满足不同应用场景的需求。
六、高温超导材料中的位错行为高温超导材料是当前研究的热点之一，位错动力学在高温超导材料的研究中具有重要应用。
通过研究高温超导材料中的位错行为，可以揭示高温超导材料的形成机制、传输特性和应用前景，为高温超导材料的研究和应用提供重要支持。
七、金属玻璃中的位错行为金属玻璃是一种新型的非晶态金属材料，具有优异的力学性能、电学性能和热学性能。
位错动力学在金属玻璃的研究中具有重要应用。
通过研究金属玻璃中的位错行为，可以揭示金属玻璃的力学行为、物理性质以及相变过程，为金属玻璃的制备和应用提供重要指导。
金属材料与热处理简答
答：①在一定外力作用下不同晶粒的各滑移系的分切应力值相差很大。②它的变形不是孤立的和任意的，临近的晶粒之间必须相互协调配合③多晶体的塑性具有不均匀性。
【19】问：对霍尔-佩奇公式可做如下说明？
答：在多晶体中，屈服强度是与滑移从先塑性变形的晶粒转移到相邻晶粒密切相关的，而这种转移能否发生，主要取决于在已滑移晶粒晶界附近的位错塞积群所发生的应力集中能否激发相邻晶粒滑移系中的位错源，使其开动起来，从而进行协调性的多滑移。根据τ=nτ0的关系式，应力集中τ的大小决定于塞积群的位错数目n，n越大，则应力集中也越大。当外加应力和其他条件一定时，位错数目n是与引起塞积的障碍——晶界到位错源的距离成正比。晶粒越大，则这个距离越大，n也就越大，所以应力集中也越大；晶粒小，则n也小，应力集中也小，因此在同样外加应力下，大晶粒的位错塞积所造成的应力集中激发相邻晶粒发生塑性变形的机会比小晶粒要大的多。小晶粒的应力集中小，则需要再较大的外加应力下才能使相邻晶粒发生塑性变形。这就是为什么晶粒越细，屈服强度越高的主要原因。
【11】问：影响表面能的因素？
答：①外部介质的性质②裸露晶面的原子密度③晶体表面的曲率。此外，表面能的大小还与晶体的性质有关。
【12】问：金属的结晶形核要点？
答：①液态金属的结晶必须在过冷的液体中进行，液态金属的过冷度必须大于临界过冷度，经胚尺寸必须大于临界晶核半径rk。②rk值大小与晶核表面能成正比，与过冷度成反比。③形核既需要结构起伏，也需要能量起伏，二者皆是液体本身存在的自然现象。④晶核的形成过程是源自的扩散迁移过程，因此结晶必须在一定温度下进行。⑤在工业生产中，液体金属的凝固总是以非均匀形核方式进行。
【17】问：孪生的主要特点？
答：①孪生是在切应力的作用下发生的，但孪生所需的临界切应力远远高于滑移时的临界切应力。②只有在滑移很难进行的条件下，晶体才发生孪生变形，如一些具有密排六方结构的金属滑移系少，在晶体取向不利于滑移时常以孪生方式进行塑性变形③孪生变形速度极快，常引起冲击波，并伴随声响。4由于孪晶的形成改变了晶体的位向，从而使其中某些原来位于不利取向的滑移系转变到有利于发生滑移的位置，可以激发进一步的滑移变形，使金属的变形能力得到提高。
1-位错的定义及柏氏矢量
两岸的相对位移D 一般能分解为一个平移分量b 两岸的相对位移D(r)一般能分解为一个平移分量b和一个转动 分量ω=w×r，r是原点在割面上的矢径。如果D(r)只有平移分量， 是原点在割面上的矢径。如果D 则形成的位错称平移位错（Dislocation）；如果D 则形成的位错称平移位错（Dislocation）；如果D(r)只有旋转分量， 则形成的位错称旋转位错，简称为向错（Dislination）。 则形成的位错称旋转位错，简称为向错（Dislination）。 实在晶体并不是真正的连续介质，它存在各向异性及结构的 不连续，所以在Volterra过程中的D 不连续，所以在Volterra过程中的D(r)不是任意的，只能根据晶体 的特点取有限的值。不论平移分量或旋转分量都必须符合晶体点 阵的对称性质。例如平移只能是晶体的点阵平移矢量，旋转角必 须是晶体的基转角。在以后我们会知道，由于能量的原因，真正 位错线的平移矢量也不可能是任意的点阵平移矢量，而是其中较 短的几个矢量。 对于向错，晶体的旋转对称性最多为六次对称，也就是说， 对于向错，晶体的旋转对称性最多为六次对称，也就是说， 在晶体中产生向错最小的旋转角也要60°，它会引起很大的畸变， 60° 随着离开中心的距离加大畸变加大，所以旋错的能量很高，所以 随着离开中心的距离加大畸变加大，所以旋错的能量很高，所以 在晶体中除了个别特殊情况，一般是不会出现向错。而在液晶中 向错却是常见的线缺陷。
这个线缺陷的弹性性质显然取决于位错环C的位置以及产生位错 时割面两侧的相对位移D(r)。但是，无论割面两侧位移多大，周界 的应力是无限大的。为了避免周界这样的应力发散，一般沿周界 挖一个空心管道，这个非常小的空心管道区域就是介质中的线缺 陷。 线缺陷是晶体（有序介质）中原子（或分子）出现的严重错排 仅集中在线附近的小区域内，远离这条线只有弹性畸变，并且这 些畸变随着离开这条线的距离而急剧减小。可以把严重错排区域 用类似一个“管道”来描述，这个管道的直径通常仅有几个原子 间距，并贯穿于有序介质之中。在管道内，原子间的坐标与在完 整有序介质中很不同，而在管道之外的原子的坐标接近于完整有 序介质。这里的所谓管道“内部”和管道“外部”之间并无明确 界线，它们之间是逐渐过渡的，并且管道的截面也不一定是圆形。 管道“内部”这个定义不很精确的区域是线缺陷的核心 还要注意的是，“产生”线缺陷的沃特拉过程只是用以描述线 缺陷的奇异性本质，以及描述线缺陷的结构，而实际的线缺陷并 不是用沃特拉过程的方式产生的。
《材料成型金属学》教学资料：第一章位错理论基础
晶界特点
1） 晶界—畸变—晶界能—向低能量状态转化—晶粒长大、 晶界变直—晶界面积减小； 2） 阻碍位错运动— 流变应力↑ 细晶强化； 3） 位错、空位等缺陷多—晶界扩散速度高； 4） 晶界能量高、结构复杂—容易满足固态相变的条件— 固态相变首先发生地； 5） 化学稳定性差—晶界容易受腐蚀； 6） 微量元素、杂质富集。
1 位错理论基础
Fundamentals of dislocation theory
理想晶体 完全按照空间点阵有规则排列
实际晶体 不可能完全规则排列，存在晶格缺陷 lattice defect
1.1 晶体缺陷概述
晶体中的缺陷： 原子排列偏离完整性的区域
点缺陷－在三个方向上尺寸都很小 线缺陷－在二个方向上尺寸很小 面缺陷－在一个方向上尺寸很小
Ae-q / kT
空位迁移速度与绝对温度T和空位迁移能量q的关系 式中：A为常数，k为玻尔兹曼常数。
点缺陷对晶体性质的影响
晶格畸变：点缺陷引起晶格局部弹性变形。
空位缺陷
间隙粒子缺陷 杂质粒子缺陷
点缺陷引起的三种晶格畸变
点缺陷对材料性能的影响
点缺陷的存在会使其附近的原子稍微偏离原结点位置才能平 衡，即造成小区域的晶格畸变。
Low Angle Grain Boundary －小角晶界
(a)倾侧晶界模型；(b)扭转晶界模型
小角晶界可理解为位错墙 位向差θ<10°
亚结构
变形→位错密Leabharlann 增加→位错缠结 高位错密度区将位错密度低的区域隔开 → 晶粒内部出现“小晶粒” ，取向差不大→ 胞状亚结构
.
透射电镜 （TEM）
大角晶界
理想晶体原子 面堆积
含有刃型位错晶 体原子面堆积
金属材料中位错动力学行为的数值模拟研究
金属材料中位错动力学行为的数值模拟研究金属材料是各种工业领域中最基础的材料之一。
在材料科学领域中，对金属材料中位错动力学行为的研究已经成为一个热门话题。
位错是晶体中的一个特殊的缺陷，它是晶体中的一条线，其周围的晶体结构发生了扭曲，从而导致原子的错位。
位错在各种材料的力学行为中起着至关重要的作用。
金属材料中位错的动力学行为是影响金属的力学性能的一个重要因素。
因此，不断地深化我们对位错动力学行为的研究，对于提高金属材料的力学性能具有非常重要的意义。
位错的动力学行为在过去几十年中一直是材料科学领域中的一个研究热点。
最初，人们主要是通过用透射电镜等成像技术来研究位错的行为。
而现在，随着计算机科学技术的不断发展，越来越多的科学家们开始使用计算机模拟技术研究位错的动力学行为。
这种方法不仅可以实现对复杂的三维结构进行模拟，而且可以掌握到位错行为的更为微观的细节。
位错的动力学行为中，位错滑移是其中的重要过程之一。
如果位错在晶体中进行滑动，那么材料就会发生变形。
位错的滑移通常受到多个因素的影响，比如温度、应力等。
在材料科学领域，人们通常使用分子动力学法、蒙特卡罗法、有限元法等来掌握位错滑移的动力学行为。
分子动力学法是一种基于牛顿力学原理的计算方法。
它可以非常精确地模拟分子之间的相互作用以及其运动方式。
在分子动力学法中，位错被看作是晶体中一连串不断变化的原子。
使用分子动力学法，科学家们可以观察到位错滑移的详细过程，这对于更好地分析位错的滑移机制具有重要作用。
蒙特卡罗法是一种模拟物理过程的方法，可以用于计算位错的滑移过程。
这种方法基于量子力学理论以及统计力学原理，能够模拟材料的温度、压强、化学的变化。
蒙特卡罗法主要是通过对各个原子位置的概率分布进行随机采样来模拟位错的运动。
有限元法是一种数值计算方法，可以分析任意形状的物体在外部力作用下的变形情况。
在使用该方法进行位错滑移的研究时，将晶体内部的位错看作是一个点，通过计算力学变形进行位错滑移的模拟。
金属位错理论
⾦属位错理论⾦属位错理论位错的概念最早是在研究晶体滑移过程时提出来的。
当⾦属晶体受⼒发⽣塑性变形时，⼀般是通过滑移过程进⾏的，即晶体中相邻两部分在切应⼒作⽤下沿着⼀定的晶⾯晶向相对滑动，滑移的结果在晶体表⾯上出现明显的滑移痕迹——滑移线。
为了解释此现象，根据刚性相对滑动模型，对晶体的理论抗剪强度进⾏了理论计算，所估算出的使完整晶体产⽣塑性变形所需的临界切应⼒约等于G/30，其中G为切变模量。
但是，由实验测得的实际晶体的屈服强度要⽐这个理论值低3~4数量级。
为解释这个差异，1934年，Taylor，Orowan和Polanyi ⼏乎同时提出了晶体中位错的概念，他们认为：晶体实际滑移过程并不是滑移⾯两边的所有原⼦都同时做刚性滑动，⽽是通过在晶体存在着的称为位错的线缺陷来进⾏的，位错再较低应⼒的作⽤下就能开始移动，使滑移区逐渐扩⼤，直⾄整个滑移⾯上的原⼦都先后发⽣相对滑移。
按照这⼀模型进⾏理论计算，其理论屈服强度⽐较接近于实验值。
在此基础上，位错理论也有了很⼤发展，直⾄20世纪50年代后，随着电⼦显微镜分析技术的发展，位错模型才为实验所证实，位错理论也有了进⼀步的发展。
⽬前，位错理论不仅成为研究晶体⼒学性能的基础理论，⽽且还⼴泛地被⽤来研究固态相变，晶体的光、电、声、磁和热学性，以及催化和表⾯性质等。
⼀、位错的基本类型和特征位错指晶体中某处⼀列或若⼲列原⼦有规律的错排，是晶体原⼦排列的⼀种特殊组态。
从位错的⼏何结构来看，可将他们分为两种基本类型，即刃型位错和螺型位错。
1、刃型位错刃型位错的结构如图1.1所⽰。
设含位错的晶体为简单⽴⽅晶体，晶体在⼤于屈服值的切应⼒作⽤下，以ABCD⾯为滑移⾯发⽣滑移。
多余的半排原⼦⾯EFGH犹如⼀把⼑的⼑刃插⼊晶体中，使ABCD ⾯上下两部分晶体之间产⽣了原⼦错排，故称“刃型位错”。
晶体已滑移部分和未滑移部分的交线EF就称作刃型位错线。
图1.1 含有刃型位错的晶体结构刃型位错结构的特点：（1）刃型位错有⼀个额外的半原字⾯。
高等金属学(位错理论)
一、影响扩散系数的因素有哪些？1、温度：温度越高，扩散越快2、晶体结构：结构不同，扩散系数不同3、固溶体类型：不同类型的固溶体，溶质原子扩散激活能不同，间隙原子扩散激活能比置换原子的小所以扩散速度比较快4、晶体缺陷：晶界，位错，空位都会对扩散产生影响。
5、固体浓度：浓度越大，扩散越容易二、什么是柯肯达尔效应，如何解释柯肯达尔效应。
（1）由置换互溶原子因相对扩散速度不同而引起标记移动的不均衡现象称为柯肯达尔效应。
（2）把Cu ，Ni 两金属对焊在一起，并在焊接面钨丝作为晶界标志，加热且长时间保温后，晶界向Ni 一侧移动了一段距离，表明Ni 向Cu 一侧扩散过来的原子数目比Cu 向Ni 一侧扩散过来的原子数目多，过剩的Ni 原子使Cu 侧发生点阵膨胀，而Ni 侧原子减少的地方发生点阵收缩导致界面向Ni 一侧漂移，这就是柯肯达尔效应三、若已知跳跃频率为ν，晶格常数为a ，求简单立方晶格金属和面心立方晶格金属的自扩散系数。
设浓度分别为C 1和C 2，扩散的单位间距为α则面密度为n 1=C 1α n 2=C 2α扩散通量为()dx dC k dx dC k C C k n k n k J 22121ναανανανν-=⎪⎭⎫ ⎝⎛-∙=-=-= 其中k 为原子跳过扩散面的概率又根据菲克第一定律：J=-D dxdC ,则2ναk D = 在简单立方晶格中，k=1/6，a =α，所以D=1/62a ν在面心立方晶格中，k=1/4，a 33=α，所以D=1/122a ν 四、位错反应的条件是什么，面心立方晶格金属中[][]a a a 110211121266-⎡⎤→+⎢⎥⎣⎦能否进行？ 1，几何条件：根据柏氏矢量b r 守恒性，反应后诸位错的柏氏矢量k b 之和应等于反应前诸位错 的柏氏矢量i b 之和 即 k b ∑=ib ∑ 能量条件：位错反应必须是一个伴随着能量降低的过程即反应后各位错能量之和小于反应 前各位错能量之和，由于位错能量正比于其柏氏矢量的平方故2i b ∑>2k b ∑2，几何条件a a a 1=21266⨯⨯+⨯ a a a 1=12266⨯⨯+⨯ a a a 0=11266⨯⨯-⨯从几何条件看b r =1b r +2b r 满足，从能量条件看2a 2>2a 6+2a 6=2a 3。
材料成型金属学-位错理论基础
（2）线缺陷 line defect
刃型位错 Edge dislocation 螺型位错 Screw dislocation 混合位错 Mixed dislocation
位错概念的引入
1934年 Taylor/Orowan/Polanyi 为解释实测的晶体临界切应力值与理论计算
“重合位置点阵”模型
相界面
共格界面 半共格界面 非共格界面
弹性能？ 界面能？
（a）共格界面；（b）部分共格界面；（c）非共格界面
应用 applications
广泛用于金属材料科学的各个领域
金属的屈服、加工硬化、断裂等力学性能 物理性能（电阻、电磁性能） 扩散、相变 其他结构敏感性性质
Edge Dislocation
螺位错的运动
螺位错的运动
混合位错的运动
混合位错的运动
为了便于描述晶体中的位错，更确切地表征不同
类型位错的特征，1939年伯格斯提出了采用柏氏回 路（Burgers Circuit)来定义位错，借助一个规定的 矢量来揭示位错的本质。
柏氏矢量
确定方法： 首先在原子排列基本正常区域作一个包含 位错的回路，也称为柏氏回路，这个回路包含了位错发生 的畸变。然后将同样大小的回路置于理想晶体中，回路当 然不可能封闭，需要一个额外的矢量连接才能封闭，这个 矢量就称为该位错的柏氏(Burgers)矢量。
特征： 无多余半原子面，原子错排呈轴对称； 螺型位错线与滑移矢量平行， 因此一定是直线； 纯螺型位错的滑移面不唯一； 螺型位错周围发生点阵畸变； 线缺陷。
混合位错(mixed dislocation)
滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而与位错 线相交成一定角度。
镁合金位错滑移和加载方向关系 -回复
镁合金位错滑移和加载方向关系-回复标题：镁合金位错滑移与加载方向的关系一、引言位错是材料科学中的重要概念，它是晶体结构中线性缺陷的一种，对材料的力学性能和塑性变形有着显著影响。
在镁合金中，位错的运动和分布状态直接影响其机械性能和加工行为。
加载方向，作为外部应力作用的一个关键参数，对位错滑移的过程和模式具有决定性作用。
本文将详细探讨镁合金中位错滑移与加载方向的关系。
二、位错的基本概念位错是晶体中原子排列的局部畸变，可以分为刃型位错和螺型位错两种类型。
刃型位错表现为一排原子相对于理想晶格发生横向位移，形成一个类似于刀刃的线性缺陷；螺型位错则是晶格轴旋转形成的螺旋形线性缺陷。
三、位错滑移理论位错滑移是金属塑性变形的主要机制之一。
在外部应力的作用下，位错会沿着特定的晶面（滑移面）和晶向（滑移方向）进行移动，导致相邻晶面的原子发生相对滑动，从而实现塑性变形。
四、镁合金的晶体结构与位错特性镁合金主要由镁元素和其他元素（如铝、锌、锰等）组成，其晶体结构通常为六方密堆积（HCP）结构。
这种特殊的晶体结构使得镁合金的位错运动具有一定的复杂性。
在HCP结构中，只有部分晶面和晶向允许位错滑移，这被称为“滑移系统”。
五、加载方向对位错滑移的影响加载方向对位错滑移的影响主要体现在以下几个方面：1. 激活滑移系统：不同的加载方向可能会激活不同的滑移系统。
在镁合金中，由于其独特的HCP结构，只有某些特定的滑移系统能够在特定的加载方向下被激活。
2. 位错交互作用：加载方向也会影响位错之间的相互作用。
例如，当加载方向与位错线平行时，位错间的交互作用较弱，滑移阻力较小；而当加载方向与位错线垂直时，位错间的交互作用增强，滑移阻力增大。
3. 孪生变形：在某些加载条件下，位错滑移可能会引发孪生变形。
孪生是一种特殊的塑性变形机制，它涉及到两个或多个位错系统的协同运动。
加载方向对孪生变形的发生和演化具有重要影响。
六、实验研究与实例分析为了深入理解加载方向对镁合金位错滑移的影响，科学家们进行了大量的实验研究和模拟计算。
关于金属材料的变形机理研究
关于金属材料的变形机理研究金属材料可以说是现代工业和科技发展中不可或缺的材料之一，其在汽车、航空航天、轨道交通等领域都有广泛的应用。
金属材料的机械性能是其应用的重要性能指标之一，而材料的变形行为是影响机械性能的主要因素之一。
因此，对金属材料的变形机理研究有重要的理论意义和实际应用价值。
一、金属材料变形机理的基本概念金属材料的变形是指在受外力作用下改变其形状或大小的过程。
在金属材料中，一个力的作用会引起金属晶体内部的位移和形变，从而使整个材料发生变形。
晶体变形是外部力作用下金属材料内部原子的位置发生改变，进而引起原子间的相互关系发生变化，新的位错密度产生。
位错是晶体中的一种原子错位，是形成蠕变和屈服的主要原因。
位错密度越大，金属材料的力学性能越差。
材料的变形机理可以通过位错理论进行解释。
受外界力作用，位错随着晶体的滑移产生位移，使晶格的原子发生相对位移，从而引起晶体的塑性变形。
位错的产生、运动和相互作用是金属材料的变形行为的基础。
用位错密度来描述材料的变形状态，材料改变形状时位错会增加，而塑性变形产生后位错密度开始减小。
二、金属材料变形机理的影响因素金属材料变形机理的影响因素主要有以下几个方面：1. 温度：温度对材料的变形机制有很大的影响。
在高温下，材料可以经历更大的变形而不发生裂纹。
原因是高温下位错容易移动，从而降低材料的应力。
2. 应力：应力越大，位错密度越大，材料发生屈服的可能性就越大。
超过一定应力水平，材料就会出现塑性变形。
要注意的是，应变速率越快，材料越难发生变形。
3. 金属材料的化学成分：不同金属材料的化学成分会影响其力学性能和变形机制。
例如，材料中添加合适的合金元素能提高其强度和硬度，从而改善其抗变形性能。
4. 负载方向：在单轴受力的过程中，当应力轴与密排方向垂直时位错移动会受到阻碍，从而导致屈服点偏移和变形发生的应力增加，这被称为“差异应力”。
三、金属材料变形机理的研究方法为了深入研究金属材料的变形机理，可以采用多种手段进行实验和模拟。
位错基本理论
直到1950年后，电子显微镜实 验技术的发展，才证实了位错 的存在及其运动。
TEM下观察到不锈钢316L (00Cr17Ni14Mo2) 的位错线与位错缠结
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位错类型： 位错：实质上是原子的一种特殊组态，熟悉其结构特点是掌
左螺型位错。
螺型位错特点
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1）无额外半原子面，原子错排是呈轴对称的。
2）螺位错线与滑移矢量平行，故一定是直线，且位错线的 移动方向与晶体滑移方向互相垂直。
3）纯螺位错滑移面不唯一的。凡包含螺型位错线的平面都 可为其滑移面，故有无穷个，但滑移通常在原子密排面上， 故也有限。
晶体是不完整的，而有缺陷的。 滑移也不是刚性的，而是从晶体中局部薄弱地区(即缺陷处)
开始，而逐步进行的。
待变形晶体
弹性变形
出现位错
晶体的逐步滑移
位错迁移
晶体形状改变，但未断 裂并仍保留原始晶体结
构
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1934年，泰勒（G.I.Taylor）、波朗依（M.Polanyi）和奥罗万 （E.Orowan）几乎同时从晶体学角度提出位错概念。
人们最早提出对位错的设想，是在对晶体强度作了一系列的 理论计算，发现在众多实验中，晶体的实际强度远低于其理 论强度，因而无法用理想晶体的模型来解释，在此基础上才 提出来的。
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塑性变形：是提高金属强度和制造金属制品的重要手段。 早在位错被认识前，对晶体塑性变形的宏观规律已作了广泛
的研究。发现：塑性变形的主要方式是滑移，即在切应力作 用下，晶体相邻部分彼此产生相对滑动。
结等过程都与空位的存在和运动有着密切的联系。 （4）过饱和点缺陷（如淬火空位、辐照缺陷）还提高了金
金属材料的强化方法和位错的关系
金属材料的强化方法和位错的关系陶瓷材料和聚合物材料虽然比较脆，但也有滑移面的存在。
金属材料的变形主要是通过滑移实现的，位错对于理解金属材料的一些力学行为特别有用。
而位错理论可以解释材料的各种性能和行为，特别是变形、损伤和断裂机制，相应的学科为塑性力学、损伤力学和断裂力学。
另外，位错对晶体的扩散和相变等过程也有较大影响。
首先，滑移解释了金属的实际强度与根据金属键理论预测的理论强度低得多的原因。
此外，金属材料拉伸断裂时，一般沿450截面方向断裂而不会沿垂直截面的方向断裂，原因在于材料在变形过程中发生了滑移。
其次，滑移赋予了金属材料的延性。
如果材料中没有位错，铁棒就是脆性的，也就不可能采用各种加工工艺，如锻造等将金属加工成有用的形状。
第三，通过干预位错的运动，进行合金的固溶强化，控制金属或合金的力学性能。
把障碍物引入晶体就可以阻止位错的运动，造成固溶强化。
如板条状马氏体钢( F12钢)等。
第四，晶体成型加工过程中出现硬化，这是因为晶体在塑性变形过程中位错密度不断增加，使弹性应力场不断增大，位错间的交互作用不断增强，因而位错运动变得越来越困难。
第五，含裂纹材料的疲劳开裂和断裂、材料的损伤机理以及金属材料的各种强化机制都是以位错理论为基础。
金属的强化strengthening of metals通过合金化、塑性变形和热处理等手段提高金属材料的强度，称为金属的强化。
所谓强度是指材料对塑性变形和断裂的抗力，用给定条件下材料所能承受的应力来表示。
随试验条件不同，强度有不同的表示方法，如室温准静态拉伸试验所测定的屈服强度、流变强度、抗拉强度、断裂强度等（见金属力学性能的表征）；压缩试验中的抗压强度；弯曲试验中的抗弯强度；疲劳试验中的疲劳强度（见疲劳）；高温条件静态拉伸所测的持久强度（见蠕变）。
每一种强度都有其特殊的物理本质，所以金属的强化不是笼统的概念，而是具体反映到某个强度指标上。
一种手段对提高某一强度指标可能是有效的，而对另一强度指标未必有效。
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金属位错理论位错的概念最早是在研究晶体滑移过程时提出来的。
当金属晶体受力发生塑性变形时，一般是通过滑移过程进行的，即晶体中相邻两部分在切应力作用下沿着一定的晶面晶向相对滑动，滑移的结果在晶体表面上出现明显的滑移痕迹——滑移线。
为了解释此现象，根据刚性相对滑动模型，对晶体的理论抗剪强度进行了理论计算，所估算出的使完整晶体产生塑性变形所需的临界切应力约等于G/30，其中G为切变模量。
但是，由实验测得的实际晶体的屈服强度要比这个理论值低3~4数量级。
为解释这个差异，1934年，Taylor，Orowan和Polanyi 几乎同时提出了晶体中位错的概念，他们认为：晶体实际滑移过程并不是滑移面两边的所有原子都同时做刚性滑动，而是通过在晶体存在着的称为位错的线缺陷来进行的，位错再较低应力的作用下就能开始移动，使滑移区逐渐扩大，直至整个滑移面上的原子都先后发生相对滑移。
按照这一模型进行理论计算，其理论屈服强度比较接近于实验值。
在此基础上，位错理论也有了很大发展，直至20世纪50年代后，随着电子显微镜分析技术的发展，位错模型才为实验所证实，位错理论也有了进一步的发展。
目前，位错理论不仅成为研究晶体力学性能的基础理论，而且还广泛地被用来研究固态相变，晶体的光、电、声、磁和热学性，以及催化和表面性质等。
一、位错的基本类型和特征位错指晶体中某处一列或若干列原子有规律的错排，是晶体原子排列的一种特殊组态。
从位错的几何结构来看，可将他们分为两种基本类型，即刃型位错和螺型位错。
1、刃型位错刃型位错的结构如图1.1所示。
设含位错的晶体为简单立方晶体，晶体在大于屈服值的切应力 作用下，以ABCD面为滑移面发生滑移。
多余的半排原子面EFGH犹如一把刀的刀刃插入晶体中，使ABCD 面上下两部分晶体之间产生了原子错排，故称“刃型位错”。
晶体已滑移部分和未滑移部分的交线EF就称作刃型位错线。
图1.1 含有刃型位错的晶体结构刃型位错结构的特点：（1）刃型位错有一个额外的半原字面。
一般把多出的半原字面在滑移面上边的称为正刃型位错，记为“⊥”；而把多出在下边的称为负刃型位错，记为“T”。
其实这种正、负之分只具有相对意义，而无本质的区别。
（2）刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界线。
他不一定是直线，也可以是折线或曲线，但它必与滑移方向相垂直，也垂直于滑移矢量。
（3）滑移面必定是同时包含有位错线和滑移矢量的平面，在其他面上不能滑移。
由于在刃型位错中，位错线与滑移矢量互相垂直，因此，由它们所构成的平面只有一个。
（4）晶体中存在刃型位错之后，位错周围的点阵发生弹性畸变，既有切应变，又有正应变。
就正刃型位错而言，滑移面的上方点阵受到压应力，下方点阵受到拉应力；负刃型位错与此相反。
（5）在位错线周围的过渡区（畸变区）每个原子具有较大的平均能量。
但该区只有几个原子间距宽，畸变区是狭长的管道，所以刃型位错是线缺陷。
2、螺型位错螺型位错是另一种类型的位错，它的结构特点可用图1.2来加以说明。
晶体在外加切应力τ作用下，沿ABCD面滑移，图中BC线为已滑移区与未滑移区的分界处。
在BC与aa’线之间上下两层原子发生了错排现象，连接紊乱区原子，会画出一螺旋路径，该路径所包围的管状原子畸变区就是螺型位错。
图1.2 螺型位错示意图螺型位错具有以下特点：（1）螺型位错无额外的半原字面，原子错排是呈轴对称的。
（2）根据位错线附近呈螺旋形排列的原子的旋转方向不同，螺型位错可分为左旋和右旋螺型位错。
（3）螺型位错线与滑移矢量平行，因此一定是直线，而且位错线的移动方向与晶体移动方向互相垂直。
（4）纯螺型位错的滑移面不是唯一的。
凡是包含螺型位错线的平面都可以作为它的滑移面。
但实际上，滑移通常是在那些原子密排面上进行的。
（5）螺型位错线周围的点阵也发生了弹性畸变，但是，只有平行于位错线的切应变而无正应变，则不会引起体积膨胀和收缩，且垂直于位错线的平面投影上，看不到原子的位移，看不出有缺陷。
(6)螺型位错周围的点阵畸变岁离位错线距离的增加而急剧减少，故它也是包含几个原子宽度的线缺陷。
3、混合位错除上面介绍的两种基本类型位错外，还有一种形式更为普遍的位错，其滑移矢量既不垂直也不平行位错线，而与位错线相交成任意角度，这样的位错称为混合位错。
如图1.3所示。
位错线上任意一点，经矢量分解后，可分解为刃型位错和螺型位错分量。
晶体中位错线的形状可以是任意的，但位错线上各点的柏氏矢量相同，只是各点的刃型、螺型分量不同而已。
图1.3 混合位错的形成及分解示意图由于位错线是已滑移区与未滑移区的分界线。
因此，位错具有一个重要的性质，即一根位错线不能终止于晶体内部，而只能露头于晶体表面（包括境界）。
若它终止于晶体内部，则必与其他位错线相连接，或在晶体内部形成封闭线。
形成封闭线的位错成为位错环。
二、伯氏矢量为便于描述晶体中的位错，以及更为确切地表征不同类型为错的特征，1939年，伯格斯（J.M.Burgers）提出了采用伯氏回路来定义位错，借助一个规定的矢量及伯氏矢量可揭示位错的本质。
1、确定伯氏矢量的步骤（1）首先选定位错线的正向（ξ），例如，通常规定出纸面的方向为位错线的正方向。
（2）根据右手螺旋法则确定伯氏回路方向。
（3）按预定回路方向和步数作回路，该回路并不封闭，由终点Q向起点M引一矢量b，使回路闭合，如图2.1（b ）所示。
这个矢量b即为实际晶体中位错的伯氏矢量。
（a）实际晶体的伯氏回路（b）完整晶体的相应回路图2.1 刃型位错伯氏矢量的确定由图2.1可见，刃型位错的伯氏矢量与位错线垂直，这是刃型位错线的一个重要特征。
刃型位错的正、负，可借右手法则来确定，即用右手的拇指、食指和中指构成直角坐标系，以食指指向位错线的方向，中指指向伯氏矢量的方向，则拇指的指向代表多余半原子面的位向，且规定拇指指向上者为正刃型位错；反之为负刃型位错。
螺型位错的伯氏矢量也可以按同样的方法加以确定，螺型位错的伯氏矢量与位错线平行，且规定b 与ζ正向平行者为右螺旋位错，b 与ζ反向平行者为左螺型位错。
至于混合位错的伯氏矢量既不垂直也不平行于位错线，而与它相交成ψ角（0<ψ<π/2）,则可将其分解成垂直和平行于位错线的刃型分量(b e =b )和螺型分量（b s =b ）2、伯氏矢量的特性（1）伯氏矢量是一个反映位错周围点阵畸变总累积的物理量。
/b/称为位错强度。
因此，我们也可把位错定义为伯氏矢量不为零的晶体缺陷。
（2）伯氏矢量与回路起点及其具体路径无关。
如果一个伯氏回路不和其他位错线相遇，不论回路怎样扩大、缩小或任意移动，由此回路确定的伯氏矢量是唯一的，即伯氏矢量具有守恒性。
（3）一个不分叉的位错线，不论其形状如何变化（直线、曲折线或闭合的环状），也不管位错线上各处的位错类型是否相同，其各部位的伯氏矢量都相同；而且当位错在晶体中运动或者改变方向时，其伯氏矢量不变，即一根位错线具有唯一的伯氏矢量。
（4）若一个伯氏矢量为b 的位错可以分解为伯氏矢量分别为b 1，b 2…..，b n 的n 个位错，则分解后各位错伯氏矢量之和等于原位错的伯氏矢量，即b= 。
如图2.2 所示，b 1位错分解为b 2和b 3两个位错，则b 1=b 2+b 3。
图2.2 位错线相交与伯氏矢量的关系n i i 1b =∑（5）位错在晶体中存在的形态可形成一个闭合的位错环，或连接于其他位错（交与位错结点），或终止在晶界，或露头于晶体表面，但不能中断于晶体内部。
这种性质称为位错的连续性。
三、位错的运动位错的最重要性质之一是它可以在晶体中运动，而晶体宏观的塑性变形是通过位错运动来实现的。
晶体的力学性能如强度、塑性和断裂等均与位错的运动有关。
位错的运动方式有两种最基本形式，即滑移和攀移。
1、位错的滑移位错的滑移是在外加切应力的作用下，通过位错中心附近的原子沿着伯氏矢量方向在滑移面上不断地做少量的位移（小于一个原子间距）而逐步实现的。
图3.1 是刃型位错的滑移过程。
在外加切应力 作用下，位错中心的原子向左（右）移动小于一个原子间距的距离，使位错在滑移面上向左（右）移动了一个原子距离。
由于刃型位错的滑移面是由位错线与伯氏矢量构成的平面，而且刃型位错的运动方向始终垂直于位错线并平行于伯氏矢量，因此刃型位错的滑移仅限于单一的滑移面上。
（a）正刃位错滑移方向与外力方向相图（b）负刃位错滑移方向与外力方向相反图3.1 刃型位错的滑移过程在滑移时，由于螺型位错的移动方向与位错线垂直，也与伯氏矢量垂直，因此，螺型位错的滑移不限于单一的滑移面上。
值得注意的是，对于螺型位错，由于所有包含位错线的晶面都可成为其滑移面，因此，当某一螺型位错在原滑移面上运动受阻时，有可能从原滑移面转移到与之相交的另一滑移面上去继续滑移，这一过程称为交滑移。
如果交滑移后的位错再转回和原滑移面平行的滑移面上继续运动，则称为双交滑移。
2、位错的攀移位错的攀移指在热缺陷或外力作用下，位错线在垂直其滑移面方向上的运动，结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。
刃型位错除了可以在滑移面上滑移外，还可以在垂直于滑移面的方向上运动，即发生攀移。
通常把多余半原子面向上的运动称为正攀移，向下运动称为负攀移。
刃型位错的攀移实质上就是构成刃型位错的多余半原子面的扩大或缩小，因此，他可以通过物质迁移即原子原子或空位的扩散来实现。
如果有空位迁移到半原子面下端，或者半原子面下端的原子扩散到别处时，半原子面将缩小，即位错向上运动，则发生正攀移；反之，若有原子扩散到半原子面下端，半原子面将扩大，位错向下运动，就发生负攀移。
螺型位错没有多余的半原子面，因此，不会发生攀移运动。
由于攀移伴随着位错线附近原子的增加或减少，即有物质迁移，因此需要通过扩散才能进行。
故把攀移运动称为“非守恒运动”；而相对应的位错滑移称为“守恒运动”。
位错攀移需要热激活，较之滑移所需的能量更大。
对大多数材料，在室温下很难进行位错的攀移，而在较高温度下，攀移较易实现。
经高温淬火、冷变形加工和高能粒子辐射后，晶体中将产生大量的空位和间隙原子，晶体中过饱和点缺陷的存在有利于攀移运动的进行。
3、运动位错的交割当一位错在某一滑移面上运动时，会与穿过滑移面的其他位错（通常将穿过此滑移面的其他位错称为林位错）交割。
在位错的滑移过程中，其位错线往往很难同时实现全长的运动。
因而一个运动的位错线，特别是在受到阻碍的情况下，有可能通过其中一部分线段（n个原子间距）首先进行滑移。
若由此形成的曲折线段就在位错的滑移面上时，称为扭折；若该曲线段垂直于位错的滑移面时，则称为割阶。
扭折和割阶也可由位错之间交割而形成。
从前面得知，刃型位错的攀移是通过空位或原子的扩散来实现的，而原子（或空位）并不是在一瞬间就能一起扩散到整条位错线上，而是逐步迁移到位错线上的。