DY294晶体管直流参数测试仪

晶体管测试仪使用说明

晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。

在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。

在一次测试完成后，如果没有检测到器件。

长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。

当需要从某个功能里退出时，则长按开关。

●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。

这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。

经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。

测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。

如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。

要再一次测试则按一次开关。

测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。

●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。

校准分为快速校准和全功能校准。

快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。

屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。

晶体管直流参测试仪的妙用

晶体管直流参数测试仪的妙用河南省高级煤炭技工学校马武刚从事电子维修的专业技术人员，大体上都拥有晶体管直流参数测试仪。

该仪表不仅能够测试各类二、三极管、可控硅、场效应管的正反向电压、正向饱和压降、放大倍数、反向漏电流等多种直流参数，还能够测试电容的耐压值；不仅能够测试压敏电阻的爱惜电压值，而且能够测试氖泡、霓虹灯管的起辉电压值。

可是，以彩色电视的故障为例。

大多数故障发生在电源和行扫描部份。

行扫描电路显现故障，常使行管损坏或造成“三无”故障。

造成“三无”故障的缘故尽管很多，但最难判定的是高压包匝间短路。

若是能用简便、直观的方式，开路或在路判定出高压包是不是存在匝间短路，无疑会对检修造成极大的便利。

本人利用云峰牌JD6909-B晶体管直流参数测试仪稍作改动，不仅实现了以上目的，而且关于高压包次级负载是不是有短路也能进行准确判定。

由于开关电源与行扫描电路工作原理有相同的地方，因此本方式对检修开关电源也一样适用。

改制灵感：行扫描电路工作频率为15625Hz，高压包显现匝间短路或次级负载短路，将必然造成高压包低级电流过大而烧坏行管。

假设能在高压包低级施加一个与行频相近的小功率交流电，则既可幸免烧坏行管，又能判定出高压包及负载是不是存在短路。

在利用晶体管直流参数测试仪（以下简称测试仪）时，每次按下测试开关，就能够听到“吱---”的叫声，说明测试仪内部有一个自激振荡电路。

故能够尝试用测试仪内部的自激振荡电路产生的脉冲电压加至高压包低级，用以测试高压包是不是存在短路。

测试仪内部相关电路原理：由于需要的是测试仪内部产生的交流脉冲信号，故仅对自激振荡电路部份进行分析。

依如实物，绘制出电路如图：图中K为反压测试按钮V BR，R一、Q1、L一、L2组成自激振荡电路，D1、D2、D3与C一、C二、C3、C4、C五、C6组成倍压整流电路，D4为次级线圈L4的整流电路。

在次级空载的情形下，测试L4两头的输出电压为250V p-p，频率约为5000Hz。

双极型晶体管直流参数测量

双极型晶体管直流参数测量发布时间：2021-09-16T06:47:58.597Z 来源：《教育学》2021年7月总第254期作者：李英棣逄珂邓海峰吴一傅伟[导读] 在电子产业中，晶体管的应用十分广泛。

集成电路和晶体管的制造过程当中需要检测晶体管的性能。

91206部队山东青岛266100摘要：在当今的电子技术领域中，晶体管被广泛地使用。

当处于晶体管或者集成电路的制作，并使用晶体管的过程中，需要进行测试的晶体管的性能。

一般直接显示晶体管的输入、输出和传输特性，得到特性曲线，然后测量各种直流参数。

该晶体管的直流参数，诸如DC电流增益，饱和电压降，晶体管的PN结存在的反向饱和漏电流和PN结的开路电压和击穿电压，通过施加DC偏压条件至晶体管测量。

这些直流参数是测量双极晶体管质量的重要基本参数。

关键词：晶体管双极型晶体管直流参数一、实验概述在电子产业中，晶体管的应用十分广泛。

集成电路和晶体管的制造过程当中需要检测晶体管的性能。

一般采用直接显示的方法来获得晶体管输入，输出和传输特性曲线，进一步可以测量各种直流参数。

本实验通过给晶体管加直流偏置条件，测其饱和压降，直流电流增益，晶体管中的PN 结反向饱和漏电流、PN 结开启电压和击穿电压等直流参数。

这些直流参数是衡量双极型晶体管品质优劣的重要基本参数。

实验仪器BJ48151.BJ4815概述。

BJ4815 型半导体管特性图示仪通过示波管屏幕及标尺刻度，准确地反映器件的特性曲线，信息量相比其它类型直流测试设备要大，在此基础上图示仪更能展现出其极为显著的闪光点。

因为这些优势的存在，图示仪成为了半导体生产与研制行业中的宠儿，是进行半导体一系列研究(设计，研发，改良，测试)中不可或缺的重要角色。

BJ4815功能齐全，测试范围宽，绝大部分电路实现了集成化，其中集电极扫描电路实现了电子扫描，大电流测试状态进行了占空比压缩，减小了发热，减小了重量阶梯部分的大电流，测试状态采用了脉冲阶梯输出。

晶体管测试仪使用说明

晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。

在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。

在一次测试完成后，如果没有检测到器件。

长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。

当需要从某个功能里退出时，则长按开关。

●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。

这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。

经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。

测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。

如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。

要再一次测试则按一次开关。

测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。

●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。

校准分为快速校准和全功能校准。

快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。

屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。

晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程

上海华晶整流器有限公司
（含浙江华晶整流器有限公司）
管理程序
编号：HJ/JC-002
发行日期：2008.4.1
版本次号：A
修改次号：0
第1页，共1页
项目
晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程
一、本仪器是晶闸管VGT、IGT、IH三项参数的专用测试设备。适用于各种晶闸管的测试，操作者必须熟悉本机使用说明书，严格按照说明书的要求进行操作。
二、操作步骤：
1.按下“电源”开关按钮红色电源指示灯亮，数码管显示为“000”(若不为“000”请按一下复位开关按钮使本机进入0址)表示电源接通。
2.将被测试器件接在“A、K、G”接线端子上。
3.选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”、触发象限功能键或“IH”维持电流功能键。测试普通、快速晶闸管选择“IG I+”，测试KS双向晶闸管分别选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”，测试维持电流选择“IH”。
4.按动“复位”键：如仪器处于触发参数待测状态，电流、电压显示表回零。如仪器处于维持电流待测状态，电流显示表显示“450”mA左右的某一数值。
5.按动“测试”键：测触发参数时，电流表显示的数字由小到大变化，测维持电流时，电流表显示数字由大到小变化，测完自动停止。测试过程中“测试”键内指示灯亮，测完后指示灯自动熄灭。(注：测维持电流时，电压表显示的数值无意义。整个测试过程在2秒内完成)。
6.更换被测器件后，按3、5条操作即可。
注：对同一器件进行多次重复测试，测试过程由于被测试器件发热，参数会有所变Байду номын сангаас，测试中应注意。
编制：
审核：
批准：

自制晶体管耐压测试仪

自制晶体管耐压测试仪 Prepared on 22 November 2020自制晶体管耐压测试仪本测试仪，可用于测试晶体二极管、三极管、可控硅等元件的反向耐压值或稳压管的稳压值等。

一、工作原理：电路原理如图所示。

时基电路NE555、R1、R2和C2等组成了振荡频率约16MHZ的自激振荡器，其输出信号通过三极管Q1放大后驱动升压变压器T，在T的次级感应输出脉动电压。

此电压经D1整流、C5滤波，在a点取得左右的测试用只留高压电源。

Q2、R7（或R8）、R3和R4等组成测试保护电路，当被测试管反向击穿电流大于一定值（大功率管，小功率管70uA）时，三极管Q2饱和导通，NE555因④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的反向击穿电流下降，然后NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的稳压值上。

测试时，将被测管按极性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S在“1”端，测大功率管时，S在“2”端，按动按键SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。

二极管D2用于抵消Q2基极电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。

二、元件选择：升压变压器T用35cm（14英寸）黑白电视级分体式输出变压器改制。

将其低压绕组全部拆除，再用线径为的漆包线在原骨架上绕30匝作为初级绕组L1，次级绕组L2和整流管D1用高压包及硅柱代替。

三极管Q1选β＞50Icm＞2A的中大功率管（如3DD15，DD03等）。

电阻除R4、R5、R6选1W电阻外，其他均选1/8W的碳膜电阻。

C5应选耐压在2KV以上的的瓷介电容。

为降低成本，电压表PV可用内阻大于2KΩ/V。

直流电压档最大量程大于2KV的万用表代替。

其他元件如图1所示。

三、调试及注意事项：电路装好后，先不加装C5，接上电源，然后用万用表检测a点电压，按动SB 按钮使电路加电工作。

在正常情况下，在a点可监测到左右的直流电压。

若无高压输出，可检查振荡电路及其相关器件；若电压略低或略高，可以更换不同阻值的R4，使输出电压为左右，若电压偏离太多，可通过换用不同β值得Q1来解决。

JY-3晶体管测试仪技术说明书

JY-3晶体管测试仪技术说明书杭州精源电子仪器有限公司JY-3晶体管测试仪技术说明书1.系统简介本测试仪具有对半导体器件常温测试，高温热测(不需要外加烘箱)，热敏参数的快速筛选取代直流满功率老炼三大功能，并可任意选用及组合使用。

晶体管热敏参数的快速筛选技术，是采用在短时间内(一般为数秒)对晶体管施加超稳态额定功率的办法，使晶体管的结温迅速接近或达到最高允许结温TjM，通过快速检测晶体管热敏参数V BE、I CEO（或I CBO）和h FE ,及其在加功率前后的变化量、变化率△V BE、I CEOH和△h FE％，并以此为失效判据参量，淘汰超标的晶体管，达到剔除早期失效器件，改善产品批的质量和可靠性的目的，同时，所施加的超稳态额定功率模拟了被试管实际使用时可能出现的浪涌电压、电流等应力，以考核被试管承受冲击的能力。

该快速筛选方法不仅能替代直流满功率老炼，快速剔除有潜在缺陷的器件，而且更加科学合理，并已列为行业标准SJ／T10415—93及国军标GJB128A—97。

本测试仪不但能按规定进行晶体管热敏参数的快筛，而且可作常规直流参数测试仪器使用，具有足够的测试量程和精度，只要调用被测器件的型号，就能进入快速连续检测。

当被测器件由于穿通、二次击穿和热击穿的瞬间，具有自动保护能力。

2.主要功能2.1可取代直流满功率老炼，每只器件整个老炼筛选过程（含测试）只需5秒左右。

2.2 能测试筛选PNP、NPN大、中、小功率三极管。

中文菜单式界面，操作简便。

2.3能一次性自动测试、筛选V BE、V BC、h FE1、h FE2、I CEO、I CBO、I EBO、V（BR）CEO、V、V（BR）EBO、V CES、V BES的常温、高温值及常温与高温值变化量或变化率。

（BRCBO并能任意选测全部或部分参数；若只选测常温参数，每只器件只需1秒多。

h FE1、h FE2可以自动分10档。

2.4 可任意设定器件型号、测试条件及判据，并保存在系统中，通过浏览方式任意修改、调用。

晶体管直流参数测试仪DY294

晶体管直流参数测试仪DY294概述晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。

它可以测量晶体管的静态参数，如基极-发射极电压，基极-集电极电压，集电极-发射极电流等。

该仪器适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。

技术参数参数数值基极-发射极电压0~40V基极-集电极电压0~40V集电极-发射极电流0~100mA基极-发射极电流0~10mA电源电压AC220V±10%工作温度-10℃~+40℃相对湿度≤70%RH使用方法准备工作1.检查DY294的供电电压是否为AC220V±10%；2.检查DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.连接测量被测晶体管的电源和四根测试线。

测试线颜色测试线接口被测管脚编号黄色BASE1红色COLLECTOR2黑色EMITTER3绿色BATTERY-测试流程1.接通DY294的电源开关；2.调节TEST SELECTOR旋钮，使其与被测晶体管对应的参数相符（如测试NPN晶体管的集电极-发射极电流，则将TEST SELECTOR旋钮拨至ICE）；3.轻轻按下TEST未装置开关，测得被测晶体管的电参数。

注意事项1.测量前请先确认DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符；2.测量前请先确认DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.测量前请先确认被测晶体管是否已正确连接测试线；4.测量前请先确认DY294的TEST SELECTOR旋钮是否与被测晶体管对应的参数相符；5.测量时请轻轻按下TEST未装置开关，以保证测量结果的准确性；6.测量完毕，请关闭DY294的电源开关，并断开电源线和测试线。

总结晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。

该仪器具有测量范围宽，测量精度高，操作简单等优点，适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。

在测量前请注意DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符，以及DY294的工作温度是否在规定范围内，以保证测量结果的准确性。

晶体管参数测试仪的设计

晶体管参数测试仪的设计张明英【摘要】以LM3S1138芯片作为控制核心,设计了一个晶体管参数测试系统。

该系统主要功能模块包括：恒流源阶梯信号、电压扫描信号、升压电路、保护电路等。

利用8位D/A转换器产生稳定的控制电压,通过集成在LM3S1138芯片中的10位A/D模块完成电压的测量。

通过RS232接口将测量数据传送到PC机,利用Matlab软件实现对测量数据的处理和显示。

测试结果表明：该晶体管参数测试仪工作良好,测量结果都在数据手册给的参数范围之内。

%A transistor parameters test system was designed using LM3S1138 single chip as its control core. The main function modules including: constant current source ladder, scanning signals, the voltage signal booster circuit, the protection circuit, etc. Using 8bit D/A converter generates a stable control voltage, 10bit A/D module integrated in LM3S1138 complete voltage measurement. The measurement data were transferred to PC by RS232 interface, using of Matlab software realization of measurement data processing and display. Test results show that the transistor parameter tester works well and the measurement results is within the range of data given in the data sheet.【期刊名称】《电子设计工程》【年(卷),期】2012(020)018【总页数】3页(P73-74,77)【关键词】晶体管参数测试;LM3S1138;恒流源;保护电路;串口通信【作者】张明英【作者单位】西安外事学院,陕西西安710077【正文语种】中文【中图分类】TN307晶体管测试仪应用广泛，功能因测量参数不同而不同，有的可以测量晶体管的放大系数、反向击穿电压、反向饱和电流、晶体管的输入输出特性曲线、延迟时间、晶体管开启时间、存贮时间等多种参数，有的只是测试晶体管的好坏，也有的数字万用表可以测晶体管的直流放大系数。

DVP环境试验报告样本

1台
2010.2.202010.2.24
刘辉
miniUSB各1500次）
合格
将产品置于老化试验房与输入设
备、负载设备、电源设备连接
好，调整产品在工作状态连续运
行1500小时，一台持续播放DVD
23
老化试验
碟片不变，一台收音，一台放音（DVD、TF卡、miniUSB循环使
3台
2009.12.22 刘辉 -2010.2.26 赵丽美
日期 Date: 2009.12.21
名称 Name: 汽车收放机
检测人员 Test by:刘辉
序号
检测项目 / 额定值
实际测试结果 Test results
XG-GL-1010-2006 编号 No. : 20100201
第No. 6 页共Total 32 页
备注
No.
Test clause / Limited
依据标准 Reference:试验验证设计
序号检验项目
试验要求
样品数量试验时间试验人员结论
No.
Test clause
Test methods
Samples Test date Test by Conclusion
室温下将样件放入高温箱中逐步
15
环境试验耐高温存储试验
升温至+85℃，样件在非通电状态保持24小时。将样件从高温箱中取出置室温下2小时，接通电
[ [√
] 材料 material ] 性能 function
Product test report
[ √ ] 尺寸 dimention
试验编号 Test No.: 20100201
第No. 1 页共 Tota 32页

JL294-3型晶体管直流参数测试表的测试方法

y 技术要求
* * 0 , 4 5 6 7型晶体管直流参数测试表用 7 位液 2 3 , 晶片作显示器具有较高的灵敏度和较高的准确度 9 准确度等级为 , 其它内容如表 *所示 9 z { 仪表上标有 | 的两档可用来测试管子的电 , 0 ~ } ( = h 0 压值 1 9 } } } } } } g f _ g \ _ f \ _ g f \ g \ f 仪表上标有| 的各档用于测试管子的饱 7 0 ~ } g f ( o X ^ 0 和压降值 9 仪表上标有 | 的各档用于测量三极管的放 5 0 !"#~ 大倍数用其各测试均无放大值为阻尼三极管 9
6 TU 3 V W V X Y
( ) * + ,Z ) * + + . / 0 X [ V \ ] X ^ V _ Y3 X \ _ ] X ^ _ ] ‘_ a b c X Y W V dX ^ V _ Y X [ e f a f Y g fh f i V _ Y j V k X Y g c V Y X
把直流电流表接入 \ 按下 7 / % : F (相应的 G端 / E 各键测量出各示值的 / 5 $ & / $ / & > & $KZ) I3/ W I:/ I$ & h 实际输出值 W ’ h L 指示值的测试 % ) ijG 拿一使用正常的普通三极管 / 如图 $连接 ’
l $ m杭州峻岭电子有限公司 n % : F (型晶体管直流参数测试表的 7 E 技术说明书 l m n 1 型晶体管综合参数测试电子 ) l % m7 & & & 93 Y\ % : $ $ 5 $ ) 7 o5 7 ipF \ 仪试行检定规程 l m n 6

JY-3晶体管测试仪技术说明书

JY-3晶体管测试仪技术说明书杭州精源电子仪器有限公司JY-3晶体管测试仪技术说明书1.系统简介本测试仪具有对半导体器件常温测试，高温热测(不需要外加烘箱)，热敏参数的快速筛选取代直流满功率老炼三大功能，并可任意选用及组合使用。

晶体管热敏参数的快速筛选技术，是采用在短时间内(一般为数秒)对晶体管施加超稳态额定功率的办法，使晶体管的结温迅速接近或达到最高允许结温TjM，通过快速检测晶体管热敏参数V BE、I CEO（或I CBO）和h FE ,及其在加功率前后的变化量、变化率△V BE、I CEOH和△h FE％，并以此为失效判据参量，淘汰超标的晶体管，达到剔除早期失效器件，改善产品批的质量和可靠性的目的，同时，所施加的超稳态额定功率模拟了被试管实际使用时可能出现的浪涌电压、电流等应力，以考核被试管承受冲击的能力。

该快速筛选方法不仅能替代直流满功率老炼，快速剔除有潜在缺陷的器件，而且更加科学合理，并已列为行业标准SJ／T10415—93及国军标GJB128A—97。

本测试仪不但能按规定进行晶体管热敏参数的快筛，而且可作常规直流参数测试仪器使用，具有足够的测试量程和精度，只要调用被测器件的型号，就能进入快速连续检测。

当被测器件由于穿通、二次击穿和热击穿的瞬间，具有自动保护能力。

2.主要功能2.1可取代直流满功率老炼，每只器件整个老炼筛选过程（含测试）只需5秒左右。

2.2 能测试筛选PNP、NPN大、中、小功率三极管。

中文菜单式界面，操作简便。

2.3能一次性自动测试、筛选V BE、V BC、h FE1、h FE2、I CEO、I CBO、I EBO、V（BR）CEO、V、V（BR）EBO、V CES、V BES的常温、高温值及常温与高温值变化量或变化率。

（BRCBO并能任意选测全部或部分参数；若只选测常温参数，每只器件只需1秒多。

h FE1、h FE2可以自动分10档。

2.4 可任意设定器件型号、测试条件及判据，并保存在系统中，通过浏览方式任意修改、调用。

晶体管参数的测量方法和测试仪器

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2
性可用
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改变愉出吐流用毫安表指示以便校准到
犷:
, 阶梯形波电压是这样产卜把 5 0 赫交流电压截去一半加到仁左边

JL294-3晶体管直流参数测试表

四、测试方法：1、测试操作步骤：（本说明以JL294型仪表为例）①开机；按下K1键使仪表工作（注：JL295型仪表无电源开关）②置K2键（PNP与NPN功能转换键 *JL295型为K1键*）与被测管极性相符位置，将被测管与测试插座可靠连接。

③测试：按下需测试功能对应的按键，读出被测数。

注意：测试时K3～K12之间不准同时按下二个键！④关机；按K1，切断仪表电源。

2、各种三极管测试方法及图示：图中K2（JL295型为K1）置NPN位置，测试PNP三极管时将K2（JL295型为K1）键置PNP位置，管脚接法与图一样。

①为了保证测试的准确性，建议使用外接6V 3A直流稳压电源。

②将三极管管脚按图示插入测试插座。

③仪表K3、K4（JL295型为K2、K3、K4）档用于测试三极管VBR（耐压值），测试电压分别为0～1999V和0～199.9V；（JL295型为0～2000V、0～200V、0～20V），按下相应档位的开关，仪表分别显示被测三极管的VCEO、VCBO、VEBO及VCE、VBC、VBE的耐压值。

④仪表K5、K6、K7三档用于测试三极管VCE（sat）（共发射极饱和压降）。

Ic电流分别为2000mA、300mA、10mA；Ib电流分别为200mA、30mA、1mA；测试时应根据三极管的功率大小按下相应档位的开关，表头显示相对电流下三极管的压降值。

提示：对同一型号的三极管，在相同电流档下测试，饱和压降值越小越好。

提示：小功率三极管不要用大电流档进行测试。

⑤仪表K8、K9、K10三档用于测试三极管hFE（共发射极直流放大系数）。

Ib电流分别为10mA、1mA、0.01mA；通过逐档测试可以观察三极管的放大线性，测得hFE值最大的一档应视为被测管最有效的工作状态。

提示：测试时应根据被测三极管的功率大小，先测试小电流档、再测试中电流档、后测试大电流档（要防止测试电流过大而损坏小功率管），表头分别显示不同工作电流下的直流放大系数。

自制GM328晶体管测试仪用户手册

自制GM328晶体管测试仪用户手册电源：晶体管测试仪可由6.8V –12V 直流供电。

这可以通过一个9V 的层叠电池来实现。

两个3.7V 锂离子电池串联。

或AC 适配器。

通电时，直流9V 电流约为30mA 。

控制：晶体管测试仪由“带开关的旋转脉冲编码器”控制，或由“RPEWS”短接，该元件有四种工作方式，短时间按下旋钮，按住，左右旋转旋钮。

当晶体管测试仪通电时。

短时间按下RPEWS 将打开晶体管测试仪，并开始测试。

晶体管测试仪将在测试结束时等待用户输入。

在测试结束时，在自动关闭之前。

长时间按下RPEWS 或左右旋转，将进入功能菜单。

在“功能”菜单中，左栏中的“>”用于索引所选菜单项。

要进入特定功能，只需单击RPEWS 。

在特定功能内，按住旋钮将退出并返回功能菜单。

测试：晶体管测试仪有三个测试点（TP1、TP2、TP3），在测试插座内，三个测试点的配置如下。

在测试插座的右侧是SMT 测试板，也有编号来识别每个脚位。

当测试两个引线组件（电阻、电容、电感）时，两个引线可以选择任意两个测试点。

如果选择了TP1和TP3，测试完成后，测试将进入“系列测试模式”。

否则，通过短时间按下RPEWS 重新开始测试。

注意：在将电容器连接到测试仪之前，在打开之前，务必对电容器放电！否则，检测仪可能损坏。

在MCU 的端口上只有一点保护。

如果您尝试测试安装在电路中的组件，则需要格外小心。

无论哪种情况，设备都应断开电源，您应该确定，设备中没有剩余电压。

自检和校准：通过将三个测试点连接在一起并推动RPEWS，可以准备自检，测试仪LCD的颜色将变为白色字体和黑色背景。

提示字符串“Selftest mode….”“，要开始自检，必须在2秒内再次按下RPEWS，否则测试仪将继续进行正常测量。

现在开始自检，检测仪将提示您下一步。

等待一段时间，直到提示字符串“isolate Probes（隔离探针）！“此时拆下三个测试点的连接。

检测仪将等待，直到测试到断开。

实验1： BJT直流参数测试

实验一、用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数一、引言晶体管在半导体器件中占有重要的地位，也是组成集成电路的基本元件。

晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。

了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理，而且还可以分析造成各种器件失败的原因，晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。

本实验的目的是：了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。

二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构晶体管的输出特性曲线如图1所示，这是一组曲线族，对于其中任一条曲线，相当于I b =常数（即基极电流I b 不变）。

曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时，集电极电流I c 的变化。

因此，为了显示一条特性曲线，可以采用如图2所示的方法，既固定基极电流I b 为：b be b bE V I R -= （1）图1共射晶体管输出特性曲线图2共射晶体管接法在集电极到发射极的回路中，接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c，晶体管发射极接地。

由于电阻R很小，锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。

晶体管的集电极电流从电阻R c上流过，电阻R c上的电压降就正比于I c。

如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上，把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上，示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。

（为了保证测量的准确性，电阻R c应该很小）。

用这种方法只能显示出一条特性曲线，因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。

如果要测量整个特性曲线族，则要求基极电流I b改变。

基极电流I b的改变采用阶梯变化，每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期，如图3所示。

阶梯电压每跳一级，电流I b便增加一级。