【CN110085663A】一种半导体PN结及制作方法【专利】
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910373876.3
(22)申请日 2019.05.07
(71)申请人 无锡鸣沙科技有限公司
地址 214135 江苏省无锡市新吴区净慧东
道66号5号楼5307室
(72)发明人 何慧强
(51)Int.Cl.
H01L 29/06(2006.01)
H01L 21/331(2006.01)
H01L 21/336(2006.01)
(54)发明名称一种半导体PN结及制作方法(57)摘要本发明涉及一种半导体PN结及制作方法，在衬底N0的正面有外延层N1，N0和N1是同种类杂质，并且N0的浓度比N1的浓度高；扩散掺杂区P1和P2连接为联合体，P1和P2是同种类型杂质，扩散掺杂区P1和P2联合体穿透外延层N1，P1和P2组成同类掺杂区与N0和N1组成的同类型掺杂区的界面连接，相比于衬底区PN结两侧的掺杂浓度，外延层区域PN结两侧的掺杂浓度低，因此拉伸了反向偏压状态下表面PN结空间电荷区的宽度，减小了表面PN结的电场强度，将击穿区域引导到衬底区，这样，PN结表面在受到外界不利因素的影响时，仍然拥有较理想的击穿值，而且击穿更稳定、
更可靠。权利要求书1页 说明书5页 附图4页CN 110085663 A 2019.08.02
C N 110085663
A
1.一种半导体PN结，特征在于：在衬底N0的正面有外延层N1，N0 和N1 是同种类杂质，并且N0 的浓度比N1的浓度高；扩散掺杂区P1和P2 连接为联合体， P1 和P2 是同种类型杂质，扩散掺杂区P1和P2 联合体穿透外延层N1，P1和P2 组成同类掺杂区与N0 和N1 组成的同类型掺杂区的界面连接。
2.根据权利要求1所述的半导体PN结，其特征在于：所述P1和P2的光刻窗口区面积相等。
3.根据权利要求1所述的半导体PN结，其特征在于：所述P1和P2的光刻窗口区重合。
4.根据权利要求1所述的半导体PN结，其特征在于：所述P1在P2的光刻窗口里或所述P2在P1的光刻窗口里面。
5.根据权利要求1所述的半导体PN结，其特征在于：所述衬底N0 的浓度在1e13 ~1e17atom/cm 3，衬底N0的厚度在100um ~750um。
6.根据权利要求1所述的半导体PN结，其特征在于：所述外延层N1的浓度1e12 ~1e16atom/cm 3，外延层的厚度1um ~100um。
7.根据权利要求1所述的半导体PN结，其特征在于：所述正面掺杂区P1 的峰值浓度1e15~1e21 atom/cm 3, 正面掺杂区P1的结深1-200um。
8.根据权利要求1所述的半导体PN结，其特征在于：所述正面掺杂区P2 的表面浓度1e15~1e21 atom/cm 3, 正面掺杂区P2的结深1-100um。
9.一种半导体PN结的制作方法，特征在于：包含以下加工步骤：
步骤一：在衬底N0 正面做P1掺杂，然后推进；
步骤二：在衬底N0 正面做N1 外延；
步骤三：在外延层N1上做正面P2掺杂，然后推进；
步骤四：在芯片正面做钝化；
步骤六：在芯片正反面做金属化。
权 利 要 求 书1/1页2CN 110085663 A