真空蒸发镀膜与设备使用维护
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工作方式 处理方法 离子运动能量 等离子体 高真空 电阻加热蒸发 真空 等离子熔射 蒸发 薄膜沉积 镀膜 （表面厚 PVD 度 放电方式： 增加） 真空 直流、交流、高频 溅射 镀膜 2 极、3 极、4 极 10～100ev 电极数目： 离子束溅射镀膜 分子束外延 0．1～1ev 辉光放电分解 真空感应蒸发 真空电弧蒸发 电子束蒸发
四、设备的使用维护 四、设备的使用维护
设备的操作和维护人员必须意识到与设备有关的危险， 必须知道 怎样辨认危险和潜在危险， 并且知道怎样避免它们。 对设备不熟练的、 错误的、或粗心的操作将会造成严重后果，所以设备必须由经过培训 的人员来操作和维护。
1. 真空系统操作过程中应注意的一些问题
（1） 在对设备进行使用前必须注意设备说明书上对于环境温度、 湿度、酸碱度等指标的要求；必须严格满足说明书上对冷却水温度、 压力、流量及对工作气体纯度、压力所提出的要求；所有电器部件必 须严格按照说明书良好接地。 （2）在设备开动时应依次开启水源、总气源、总电源。 （3）扩散泵必须在水流畅通的状态下才能加热。真空系统正常 工作时，高真空阀与充气阀应互锁，以免扩散泵油氧化。 （4）工作时如果突然断电，应立刻切断真空测量仪器，并迅速 关闭机械泵与扩散泵间前级管道的阀门，如果电源不能迅速修复，则 应将高真空阀关闭，等待通电后，先使机械泵运转 2～3 分钟后再打 开机械泵与扩散泵之间的阀门，使系统恢复正常运转。 （5）真空室关闭后，必须预先将真空室抽到 6.67Pa 以后再打 开高真空阀门，以免扩散泵油氧化。 （6）镀膜结束后，应首先切除高真空测量，然后再关闭高真空 阀门和充气阀，以免烧坏电离真空计的规管，充气完成后应将充气阀 关闭。 （7）镀膜工作进行 2～3 次后，必须对真空室内壁及各构件进 行清洗， 避免蒸发材料大量进入真空系统而损坏真空系统的元件和抽 气性能。 （8）应保持真空镀膜机良好的工作环境，及时检查水路系统是 否畅通，机械泵所排废气必须通过管道送出厂房。 （9）每次工作或维护结束“关机” ，都应关闭真空室并抽气，让压 力降到约 100Pa 的低真空状态储存。 (10) 当一天工作完毕或设备长期不用时应：关上蒸发室抽真空； 停止对扩散泵加热，此时机械泵应继续对扩散泵抽气，并接通快速冷 却水阀门，对扩散泵进行快速冷却；当扩散泵冷却后，关闭扩散泵冷 却水；停止机械泵；对扩散泵和蒸发室都应进行真空储存。最后依次 关总电源、总水源、总气源。
反应溅射、磁控溅 射、对向靶溅射 直流二极型 多阴极型 真空 ARE 型、增强 ARE 离子 数 10～5000ev LPPD 型 镀膜 HCD 型 高频型 低压等离子化学 化学反应 CVD 热扩散 相沉积（PCVD） （LPVCD） 等离子增强化学气 气相沉积 集团离子束镀膜 单一离子束镀膜
注：PVD－物理气相沉积（Physical Vapor Deposition） CVD－化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition） PCVD－等离子体增强化学气相沉积（Plasma Chemical Vapor Deposition） LPCVD－低压化学气相沉积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）
270°电子枪 （3）空心热阴极等离子电子束蒸发源
180° 180°电子枪
空心热阴极等离子电子束蒸发源简称 HCD 枪（Hollow Cathod Dischaige） 。其工作原理是把空心钽管作阳极，把膜材作阴极，并将 其置于真空室中。当真空室抽到高真空后，钽管中通入少量的氩气， 使真空室保持 1～10－2Pa 的真空度。 这时在阴阳极之间加上引弧电 源，点燃氩气。当电压达到点燃电压时，氩气被电离。这样在中空阴 极内产生低压等离子体，直流放电电压约为 100～150V，电流只有 几个安培。但是一旦氩气被电离，则等离子体中的正离子就会不断轰 击阴极钽管，当钽管上有一段受热达到工作温度 2300～2400K 时即 可出现热电子发射， 使放电转变到稳定的状态， 电压下降到 30～50V。 同时等离子电子束流增大到一定值。 此值由外界的电路及采用的阴极 所能负载的电流大小来决定。 这时由空心阴极内引出的高密度等离子 电子束在电场的作用下射向膜材，膜材被加热到蒸发温度后，开始蒸 发而沉积到基片上成膜。
二、真空蒸发镀膜
真空蒸发镀膜是真空镀膜技术中发展最早、应用最广泛的一种， 特别是电阻加热式蒸发镀膜至今已有百年历史。 近年来由于电子轰击 蒸发， 高频感应蒸发以及激光蒸发等技术在蒸发镀膜技术中的广泛应 用，使这一技术更趋完善。因此，目前真空蒸发镀膜技术在镀膜技术 中处于相当重要的地位。
1. 真空蒸发镀膜原理
（3）清除膜材上的污物
膜材上如存在污物，会使蒸发速率降低，特别是氧化物。当然， 如果氧化物较膜材易于蒸发（如 Si，SiO 等）或氧化物加热时可以分 解或膜材蒸发时可通过氧化物迅速扩散， 则氧化物将不会影响膜材的 蒸发。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
5. 蒸发源
为了使膜材气化，在真空条件下大多 数 膜材 都 必须在 1000 ～ 2000℃的蒸发温度下进行蒸发。因此必须采用各种加热方法将膜材 加热到蒸发温度。 通常把蒸发镀膜设备中对膜材进行加热的装置称为 蒸发源。目前，蒸发源的种类较多，现分述如下：
各种真空镀膜技术的比较
镀膜方法 真空蒸镀 溅射镀 离子镀 金属、合金、 金属及某些化 可镀物质 金属 合物 高分子物质 膜材蒸发方式 基体加温 30～200 范围℃ 沉积速率 2500~75000 10~100 2500~50000 远大于 PVD 150～500 150～800 300～1100 真空蒸镀 真空溅射 蒸镀、溅射 化学反应 化合物、 陶瓷、 陶瓷、化合物 金属、合金、 化学反应镀
真空容器内蒸汽分子的平均自由程大于蒸发源与基片之间的距 离时， 就会获得充分的真空条件。 因此， 增加残余气体的平均自由程， 借以减少蒸汽分子与残余气体分子的碰撞几率， 把真空室内抽成高真 空是非常必要的。 但是真空镀膜过程中对真空度的要求并不是越高越 好，因为在真空室内真空度超过 10－6Pa 时，必须经过对真空系统 的烘烤去气才能达到。由于烘烤去气会造成对基片的污染，因此在不 经过烘烤去气即可达到的 10－5Pa 的高真空下去制膜，其膜的质量 不一定比超高真空下所制备的膜的质量差。
真空蒸发镀膜原理及设备的使用维护
一、真空镀膜技术概述
真空镀膜技术是真空应用技术的一个重要领域。 这一技术目前之 所以得到了飞速的发展是因为它不仅仅是单一的真空应用技术， 而是 以真空技术为基础，利用物理或化学的方法，并且吸收了电子束、分 子束、离子束、等离子体、射频、磁控等一系列新的技术，从而为科 学研究与生产提供了膜层涂覆的新工艺、新技术的特点。 真空镀膜技术 在真空中把金属、合金或化合物进行蒸发（或溅射） ，使其在被 涂覆的物体（称基片、基板或基体）上的方法称为真空镀膜法。 真空镀膜技术的分类 真空镀膜技术的分类 目前真空镀膜技术中所采用的镀膜方法主要有真空蒸发镀、 真空 溅射镀、真空离子镀、束流沉积镀以及分子束外延和化学汽相沉积等 多种。其具体内容见下表：
（1）电阻加热式蒸发源
电阻加热式蒸发源实际上就是一个电阻加热器， 它是利用发热体 通电后，产生电阻热而获得高温以此来 熔融膜材使其达到蒸发的目 的。由于这种源结构简单，操作方便，成本低廉，材料易于获得，因 此在镀膜技术中得到广泛的应用。其中主要有丝状源与箔状源、铝蒸 发用坩埚加热器、氮化硼合成导电加热器等。
3. 制膜过程中的蒸发条件
膜材加热到一定温度时就会发生气化现象， 即由固相或液相进入 到气相中，由于真空条件下物质蒸发比在常压下容易得多，因此所需 要的蒸发温度将大幅下降，熔化蒸发过程将大大地缩短，蒸发效率将 明显地提高。
某些常用材料在蒸汽压相当于 1Pa 时的蒸发温度见下表： 材料 熔化温度℃ 蒸发温度℃ 材料 熔化温度℃ 蒸发温度℃ 铝 铁 金 铟 镉 硅 钛 钨 铜 660 1535 1063 157 321 1410 1667 3373 1084 1272 1477 1397 952 217 1343 1737 3227 1257 锡 银 铬 锌 镍 钯 Al2O3 SiO3 232 961 1900 420 1452 1550 2050 1610 1189 1027 1397 408 1527 1462 1781 1725
nm/min 界面附着强度 一般 取决于膜材及 膜的纯度 膜材支撑舟或 坩埚的纯度 较好 取决于靶材的 纯度和溅射气 体的纯度 高密度、针孔 高密度、较均 膜的性质 膜层不太均匀 少、膜层较均 匀、针孔少 匀 绕射性好，能 对复杂表面的 镀敷能力 只镀基片的直 射表面 只镀基片的直 镀所有表面， 射表面 膜均匀 表面平滑 的表面，沉积 可镀复杂形状 性好 纯度高、致密 好 取决于膜材、 取决于反应气 坩埚及反应气 体 体的纯度 好
将膜材置于由金属或玻璃制成的真空室内， 通过蒸发源加热使其 蒸发，当蒸发分子的平均自由程大于真空室的线性尺寸以后，蒸汽的 原子和分子从蒸发源表面逸出后， 很少受到其它分子或原子的冲击与 阻碍，可直接到达被镀的基片表面上，由于基片温度较低，蒸汽原子 和分子便凝结在其上而形成膜。其原理图如下图所示：
2. 蒸发过程中的真空条件
（2）精确控制蒸发温度
在蒸发过程中当蒸发温度升高时，气化热将减少。如果膜材在蒸 发温度以上进行蒸发时， 温度的微小变化即可引起蒸发速率的迅速变 化。因此在制膜过程中，精确控制蒸发温度，加热时应尽量避免产生 过大的温度梯度。 对于升华的膜才还应采用以蒸发膜材为加热器而进 行蒸镀。此外，由于膜材加热时往往会放出本生所含有的气体，使蒸 发时产生飞溅现象，因此在蒸发前对膜材进行 适当的去气也是必要 的，其去气温度可与蒸发温度相同。
（4）感应加热式蒸发源
其原理是将装有膜材的坩埚 放在螺旋线圈的中央（不接触） ， 在线圈中通以高频电流，膜材在 高频电磁场感应下产生强大的涡 流，使膜材升温，直至蒸发。膜 材体积越小，感应频率越高。
三、间歇式真空蒸发镀膜机
间 歇 式真空 镀膜机中，真空 室内制膜过程的 工 作情况是间歇 的。左图是 我国 某公司生产的间 歇 式 ZZS800－ 1/D 型箱式真空 镀膜机的镀膜室 结 构图。该 室主 要由箱体、 球形 工件架、基片烘 烤装置、 粒子源、 电子枪、电阻蒸 发装置、蒸发挡板等构件组成。 真空室的直径为 800 毫米，由不锈钢焊接而成。箱体壁上焊有 水管， 冷却箱体。 系统还配有基片烘烤装置， 烘烤温度可在 0～350℃ 范围内进行调节。 电阻蒸发电流可稳定工作在 350A 以上。电子枪采用 e 型 270° （电）磁偏转式电子枪 ，蒸发束流 0～750mA 可调。 蒸发挡板是保证膜质量的又一措施， 它位于电阻蒸发组件及电子 枪的上方。挡板传动轴采用气缸驱动，并用威尔逊或磁流体密封形式 引入，使挡板与外界隔绝。
（2）电子束加热式蒸发源
利用电子束加热使膜材汽化蒸发后凝结在基片表面上成膜是真 空蒸发镀膜技术中一种重要的加热方法。 其原理是使电子在电场的作 用下，获得动能打到膜材上，使膜材加热汽化，而实现蒸发镀膜。其 优点在于能获得比电阻热源更大的能量密度，可将膜材表面加热到 3000～6000℃。而且被蒸镀材料使放在水冷坩埚内，因而可以避免 容器材料的蒸发以及容器材料与膜材之间的反应，提高膜的纯度。其 缺点在于电子枪结构复杂， 而且加速电压高， 产生的 X 射线对人体有 害。此外，由于电子轰击，对多数化合物容易产生分解作用，因此不 宜蒸镀化合物薄膜。
4. 加快沉积薄膜的成膜过程，提高膜材蒸发速率的措施 （1）真空室内的压强应足够低 ）真空室内的压强应足够低
如果源面积不超过几平方厘米，而且饱和蒸汽压约小于 1Pa 时， 在真空室气压很低的条件下， 则蒸发分子迁移时即可很少受到残余分 子的碰撞，这时蒸发分子可立即离开蒸发表面，因此可使纯蒸发速率 达到最高值。
四、设备的使用维护 四、设备的使用维护
设备的操作和维护人员必须意识到与设备有关的危险， 必须知道 怎样辨认危险和潜在危险， 并且知道怎样避免它们。 对设备不熟练的、 错误的、或粗心的操作将会造成严重后果，所以设备必须由经过培训 的人员来操作和维护。
1. 真空系统操作过程中应注意的一些问题
（1） 在对设备进行使用前必须注意设备说明书上对于环境温度、 湿度、酸碱度等指标的要求；必须严格满足说明书上对冷却水温度、 压力、流量及对工作气体纯度、压力所提出的要求；所有电器部件必 须严格按照说明书良好接地。 （2）在设备开动时应依次开启水源、总气源、总电源。 （3）扩散泵必须在水流畅通的状态下才能加热。真空系统正常 工作时，高真空阀与充气阀应互锁，以免扩散泵油氧化。 （4）工作时如果突然断电，应立刻切断真空测量仪器，并迅速 关闭机械泵与扩散泵间前级管道的阀门，如果电源不能迅速修复，则 应将高真空阀关闭，等待通电后，先使机械泵运转 2～3 分钟后再打 开机械泵与扩散泵之间的阀门，使系统恢复正常运转。 （5）真空室关闭后，必须预先将真空室抽到 6.67Pa 以后再打 开高真空阀门，以免扩散泵油氧化。 （6）镀膜结束后，应首先切除高真空测量，然后再关闭高真空 阀门和充气阀，以免烧坏电离真空计的规管，充气完成后应将充气阀 关闭。 （7）镀膜工作进行 2～3 次后，必须对真空室内壁及各构件进 行清洗， 避免蒸发材料大量进入真空系统而损坏真空系统的元件和抽 气性能。 （8）应保持真空镀膜机良好的工作环境，及时检查水路系统是 否畅通，机械泵所排废气必须通过管道送出厂房。 （9）每次工作或维护结束“关机” ，都应关闭真空室并抽气，让压 力降到约 100Pa 的低真空状态储存。 (10) 当一天工作完毕或设备长期不用时应：关上蒸发室抽真空； 停止对扩散泵加热，此时机械泵应继续对扩散泵抽气，并接通快速冷 却水阀门，对扩散泵进行快速冷却；当扩散泵冷却后，关闭扩散泵冷 却水；停止机械泵；对扩散泵和蒸发室都应进行真空储存。最后依次 关总电源、总水源、总气源。
反应溅射、磁控溅 射、对向靶溅射 直流二极型 多阴极型 真空 ARE 型、增强 ARE 离子 数 10～5000ev LPPD 型 镀膜 HCD 型 高频型 低压等离子化学 化学反应 CVD 热扩散 相沉积（PCVD） （LPVCD） 等离子增强化学气 气相沉积 集团离子束镀膜 单一离子束镀膜
注：PVD－物理气相沉积（Physical Vapor Deposition） CVD－化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition） PCVD－等离子体增强化学气相沉积（Plasma Chemical Vapor Deposition） LPCVD－低压化学气相沉积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）
270°电子枪 （3）空心热阴极等离子电子束蒸发源
180° 180°电子枪
空心热阴极等离子电子束蒸发源简称 HCD 枪（Hollow Cathod Dischaige） 。其工作原理是把空心钽管作阳极，把膜材作阴极，并将 其置于真空室中。当真空室抽到高真空后，钽管中通入少量的氩气， 使真空室保持 1～10－2Pa 的真空度。 这时在阴阳极之间加上引弧电 源，点燃氩气。当电压达到点燃电压时，氩气被电离。这样在中空阴 极内产生低压等离子体，直流放电电压约为 100～150V，电流只有 几个安培。但是一旦氩气被电离，则等离子体中的正离子就会不断轰 击阴极钽管，当钽管上有一段受热达到工作温度 2300～2400K 时即 可出现热电子发射， 使放电转变到稳定的状态， 电压下降到 30～50V。 同时等离子电子束流增大到一定值。 此值由外界的电路及采用的阴极 所能负载的电流大小来决定。 这时由空心阴极内引出的高密度等离子 电子束在电场的作用下射向膜材，膜材被加热到蒸发温度后，开始蒸 发而沉积到基片上成膜。
二、真空蒸发镀膜
真空蒸发镀膜是真空镀膜技术中发展最早、应用最广泛的一种， 特别是电阻加热式蒸发镀膜至今已有百年历史。 近年来由于电子轰击 蒸发， 高频感应蒸发以及激光蒸发等技术在蒸发镀膜技术中的广泛应 用，使这一技术更趋完善。因此，目前真空蒸发镀膜技术在镀膜技术 中处于相当重要的地位。
1. 真空蒸发镀膜原理
（3）清除膜材上的污物
膜材上如存在污物，会使蒸发速率降低，特别是氧化物。当然， 如果氧化物较膜材易于蒸发（如 Si，SiO 等）或氧化物加热时可以分 解或膜材蒸发时可通过氧化物迅速扩散， 则氧化物将不会影响膜材的 蒸发。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
5. 蒸发源
为了使膜材气化，在真空条件下大多 数 膜材 都 必须在 1000 ～ 2000℃的蒸发温度下进行蒸发。因此必须采用各种加热方法将膜材 加热到蒸发温度。 通常把蒸发镀膜设备中对膜材进行加热的装置称为 蒸发源。目前，蒸发源的种类较多，现分述如下：
各种真空镀膜技术的比较
镀膜方法 真空蒸镀 溅射镀 离子镀 金属、合金、 金属及某些化 可镀物质 金属 合物 高分子物质 膜材蒸发方式 基体加温 30～200 范围℃ 沉积速率 2500~75000 10~100 2500~50000 远大于 PVD 150～500 150～800 300～1100 真空蒸镀 真空溅射 蒸镀、溅射 化学反应 化合物、 陶瓷、 陶瓷、化合物 金属、合金、 化学反应镀
真空容器内蒸汽分子的平均自由程大于蒸发源与基片之间的距 离时， 就会获得充分的真空条件。 因此， 增加残余气体的平均自由程， 借以减少蒸汽分子与残余气体分子的碰撞几率， 把真空室内抽成高真 空是非常必要的。 但是真空镀膜过程中对真空度的要求并不是越高越 好，因为在真空室内真空度超过 10－6Pa 时，必须经过对真空系统 的烘烤去气才能达到。由于烘烤去气会造成对基片的污染，因此在不 经过烘烤去气即可达到的 10－5Pa 的高真空下去制膜，其膜的质量 不一定比超高真空下所制备的膜的质量差。
真空蒸发镀膜原理及设备的使用维护
一、真空镀膜技术概述
真空镀膜技术是真空应用技术的一个重要领域。 这一技术目前之 所以得到了飞速的发展是因为它不仅仅是单一的真空应用技术， 而是 以真空技术为基础，利用物理或化学的方法，并且吸收了电子束、分 子束、离子束、等离子体、射频、磁控等一系列新的技术，从而为科 学研究与生产提供了膜层涂覆的新工艺、新技术的特点。 真空镀膜技术 在真空中把金属、合金或化合物进行蒸发（或溅射） ，使其在被 涂覆的物体（称基片、基板或基体）上的方法称为真空镀膜法。 真空镀膜技术的分类 真空镀膜技术的分类 目前真空镀膜技术中所采用的镀膜方法主要有真空蒸发镀、 真空 溅射镀、真空离子镀、束流沉积镀以及分子束外延和化学汽相沉积等 多种。其具体内容见下表：
（1）电阻加热式蒸发源
电阻加热式蒸发源实际上就是一个电阻加热器， 它是利用发热体 通电后，产生电阻热而获得高温以此来 熔融膜材使其达到蒸发的目 的。由于这种源结构简单，操作方便，成本低廉，材料易于获得，因 此在镀膜技术中得到广泛的应用。其中主要有丝状源与箔状源、铝蒸 发用坩埚加热器、氮化硼合成导电加热器等。
3. 制膜过程中的蒸发条件
膜材加热到一定温度时就会发生气化现象， 即由固相或液相进入 到气相中，由于真空条件下物质蒸发比在常压下容易得多，因此所需 要的蒸发温度将大幅下降，熔化蒸发过程将大大地缩短，蒸发效率将 明显地提高。
某些常用材料在蒸汽压相当于 1Pa 时的蒸发温度见下表： 材料 熔化温度℃ 蒸发温度℃ 材料 熔化温度℃ 蒸发温度℃ 铝 铁 金 铟 镉 硅 钛 钨 铜 660 1535 1063 157 321 1410 1667 3373 1084 1272 1477 1397 952 217 1343 1737 3227 1257 锡 银 铬 锌 镍 钯 Al2O3 SiO3 232 961 1900 420 1452 1550 2050 1610 1189 1027 1397 408 1527 1462 1781 1725
nm/min 界面附着强度 一般 取决于膜材及 膜的纯度 膜材支撑舟或 坩埚的纯度 较好 取决于靶材的 纯度和溅射气 体的纯度 高密度、针孔 高密度、较均 膜的性质 膜层不太均匀 少、膜层较均 匀、针孔少 匀 绕射性好，能 对复杂表面的 镀敷能力 只镀基片的直 射表面 只镀基片的直 镀所有表面， 射表面 膜均匀 表面平滑 的表面，沉积 可镀复杂形状 性好 纯度高、致密 好 取决于膜材、 取决于反应气 坩埚及反应气 体 体的纯度 好
将膜材置于由金属或玻璃制成的真空室内， 通过蒸发源加热使其 蒸发，当蒸发分子的平均自由程大于真空室的线性尺寸以后，蒸汽的 原子和分子从蒸发源表面逸出后， 很少受到其它分子或原子的冲击与 阻碍，可直接到达被镀的基片表面上，由于基片温度较低，蒸汽原子 和分子便凝结在其上而形成膜。其原理图如下图所示：
2. 蒸发过程中的真空条件
（2）精确控制蒸发温度
在蒸发过程中当蒸发温度升高时，气化热将减少。如果膜材在蒸 发温度以上进行蒸发时， 温度的微小变化即可引起蒸发速率的迅速变 化。因此在制膜过程中，精确控制蒸发温度，加热时应尽量避免产生 过大的温度梯度。 对于升华的膜才还应采用以蒸发膜材为加热器而进 行蒸镀。此外，由于膜材加热时往往会放出本生所含有的气体，使蒸 发时产生飞溅现象，因此在蒸发前对膜材进行 适当的去气也是必要 的，其去气温度可与蒸发温度相同。
（4）感应加热式蒸发源
其原理是将装有膜材的坩埚 放在螺旋线圈的中央（不接触） ， 在线圈中通以高频电流，膜材在 高频电磁场感应下产生强大的涡 流，使膜材升温，直至蒸发。膜 材体积越小，感应频率越高。
三、间歇式真空蒸发镀膜机
间 歇 式真空 镀膜机中，真空 室内制膜过程的 工 作情况是间歇 的。左图是 我国 某公司生产的间 歇 式 ZZS800－ 1/D 型箱式真空 镀膜机的镀膜室 结 构图。该 室主 要由箱体、 球形 工件架、基片烘 烤装置、 粒子源、 电子枪、电阻蒸 发装置、蒸发挡板等构件组成。 真空室的直径为 800 毫米，由不锈钢焊接而成。箱体壁上焊有 水管， 冷却箱体。 系统还配有基片烘烤装置， 烘烤温度可在 0～350℃ 范围内进行调节。 电阻蒸发电流可稳定工作在 350A 以上。电子枪采用 e 型 270° （电）磁偏转式电子枪 ，蒸发束流 0～750mA 可调。 蒸发挡板是保证膜质量的又一措施， 它位于电阻蒸发组件及电子 枪的上方。挡板传动轴采用气缸驱动，并用威尔逊或磁流体密封形式 引入，使挡板与外界隔绝。
（2）电子束加热式蒸发源
利用电子束加热使膜材汽化蒸发后凝结在基片表面上成膜是真 空蒸发镀膜技术中一种重要的加热方法。 其原理是使电子在电场的作 用下，获得动能打到膜材上，使膜材加热汽化，而实现蒸发镀膜。其 优点在于能获得比电阻热源更大的能量密度，可将膜材表面加热到 3000～6000℃。而且被蒸镀材料使放在水冷坩埚内，因而可以避免 容器材料的蒸发以及容器材料与膜材之间的反应，提高膜的纯度。其 缺点在于电子枪结构复杂， 而且加速电压高， 产生的 X 射线对人体有 害。此外，由于电子轰击，对多数化合物容易产生分解作用，因此不 宜蒸镀化合物薄膜。
4. 加快沉积薄膜的成膜过程，提高膜材蒸发速率的措施 （1）真空室内的压强应足够低 ）真空室内的压强应足够低
如果源面积不超过几平方厘米，而且饱和蒸汽压约小于 1Pa 时， 在真空室气压很低的条件下， 则蒸发分子迁移时即可很少受到残余分 子的碰撞，这时蒸发分子可立即离开蒸发表面，因此可使纯蒸发速率 达到最高值。