《数字集成电路基础》作业2

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《数字集成电路基础》作业

第二次作业

1、说明CMOS电路的Latch Up效应;请画出示意图并简要说明其

产生原因;并简述消除“Latch-up”效应的方法。

2、什么是器件的亚阈值特性,对器件有什么影响?

3、基于NMOS管一阶I-V公式,计算宽长比分别为W1/L1与

W2/L2的NMOS管M1与M2进行串联(如左图)与并联(如右图)后的三端电路的I-V关系。如果速度饱和呢?

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