尼曼半导体物理与器件第五章
半导体物理与器件(尼曼第四版)答案

半导体物理与器件(尼曼第四版)答案第一章:半导体材料与晶体1.1 半导体材料的基本特性半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料。
它的基本特性包括:1.带隙:半导体材料的价带与导带之间存在一个禁带或带隙,是电子在能量上所能占据的禁止区域。
2.拉伸系统:半导体材料的结构是由原子或分子构成的晶格结构,其中的原子或分子以确定的方式排列。
3.载流子:在半导体中,存在两种载流子,即自由电子和空穴。
自由电子是在导带上的,在外加电场存在的情况下能够自由移动的电子。
空穴是在价带上的,当一个价带上的电子从该位置离开时,会留下一个类似电子的空位,空穴可以看作电子离开后的痕迹。
4.掺杂:为了改变半导体材料的导电性能,通常会对其进行掺杂。
掺杂是将少量元素添加到半导体材料中,以改变载流子浓度和导电性质。
1.2 半导体材料的结构与晶体缺陷半导体材料的结构包括晶体结构和非晶态结构。
晶体结构是指材料具有有序的周期性排列的结构,而非晶态结构是指无序排列的结构。
晶体结构的特点包括:1.晶体结构的基本单位是晶胞,晶胞在三维空间中重复排列。
2.晶格常数是晶胞边长的倍数,用于描述晶格的大小。
3.晶体结构可分为离子晶体、共价晶体和金属晶体等不同类型。
晶体结构中可能存在各种晶体缺陷,包括:1.点缺陷:晶体中原子位置的缺陷,主要包括实际缺陷和自间隙缺陷两种类型。
2.线缺陷:晶体中存在的晶面上或晶内的线状缺陷,主要包括位错和脆性断裂两种类型。
3.面缺陷:晶体中存在的晶面上的缺陷,主要包括晶面位错和穿孔两种类型。
1.3 半导体制备与加工半导体制备与加工是指将半导体材料制备成具有特定电性能的器件的过程。
它包括晶体生长、掺杂、薄膜制备和微电子加工等步骤。
晶体生长是将半导体材料从溶液或气相中生长出来的过程。
常用的晶体生长方法包括液相外延法、分子束外延法和气相外延法等。
掺杂是为了改变半导体材料的导电性能,通常会对其进行掺杂。
常用的掺杂方法包括扩散法、离子注入和分子束外延法等。
尼曼半导体物理与器件第五章

eA Inn V lp pE E e 1nennnp1p pp
p型 : eppepN a n 型 : ennenN d
电导率(电阻率)是载流子浓度(掺杂浓度,非本征半导体中, 主要是多子浓度)和迁移率(与杂质浓度有关)的函数
电阻率和杂质浓度的关系
• 电阻率与杂质浓度不呈线性:载流子浓度(杂质浓度)和迁移率 • 杂质浓度增高时,曲线严重偏离直线,主要原因:
vd
1 2
e cp
mcp
E
• 在考虑了统计分布影响的精确模型中,上式中将没
有因子1/2,则
vdp
e cp
m
cp
E
• 因而:
p
dp
E
e cp
mcp
• 同理,电子的平均漂移速度为:
n
e cn
m
cn
其中,τcn为电子受到碰撞的平均时间间隔。
• 根据迁移率和速度及电场的关系,可知:
– 可以看到迁移率与有效质量有关。
• 随着电场强度增加,导带中电子被电 场加速并获得能量,部分下能谷中电 子被散射到E-k图中有效质量较大 (mn* =0.55m0)的上能谷,这部分 电子迁移率下降,导致导带中电子总 迁移率随着电场的增强而下降,从而 引起负微分迁移率和负微分电阻特性。
5.2 载流子扩散
• 扩散电流密度
– 空间分布不均匀时,载流子将由高浓度区向低浓度区 扩散。
泰勒级数展开
n0ldndxxn0ldndxx
• 扩散电流密度
–对于带电粒子,其扩散运动形成扩散电流。
dp x
J px dif eFp elvth dx n(+l) n(0)
dp x
n(-l)
扩散 系数
半导体物理学复习指导

2014-3-19
半导体物理考前复习(第七章)
MS结构、功函数、接触电势差、表面势;
金属-半导体接触后能带结构的变化(n型和p型,Wm>Ws和Wm<Ws); 阻挡层、反阻挡层、能带弯曲情况(P191-193);
表面态及类型;
MS结构在偏压下的接触电势差变化和单向导电性(即整流效应); MS结构扩散理论适用条件(势垒宽度远大于平均自由程)及伏安特性;
23
半导体物理考前复习
3、第四章有关计算(载流子浓度、杂质浓度,电导率):
载流子寿命测量的方法;
热平衡状态的标志——统一的费米能级; 非平衡状态下的费米能级特点——导带和价带费米能级不重合——准费
米能级,但各自适用;
11
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半导体物理考前复习(第五章)
准费米能级偏移平衡态费米能级的程度受非平衡载流子浓度的影响规
律—多数载流子准费米能级偏离少,少数载流子费米能级偏移多(P132); 复合理论(概念、分类、产生率、复合率、复合中心、有效复合中心的
极值点代入准动量公式,得准动量变化量;
20
2014-3-19
半导体物理考前复习
2、第三章有关计算(载流子浓度、温度、杂质浓度): 判断是否是平衡态,是否满足非简并条件; 判断半导体类型,判断本征浓度是否可忽略; 熟记常用公式; 运用相关公式变形,求出未知量; 1 E f (E) f B ( E ) A exp( ) E EF k0T 1 exp( ) k0T
外加电压下势垒区内载流子的运动方向、能带结构的变化、单向导电性;
理想pn结模型及其电流电压方程:(模型4要点、电流电压计算步骤); 单向导电性和温度对方向电流的影响(正相关、禁带宽度大,变化快);
半导体物理第五章(教材)

05 半导体的热电性质
热电效应与温差电器件
热电效应
当半导体材料两端存在温度差时,会产生热电势差,即热电效应。热电效应是半导体材料热电转换的基础。
温差电器件
利用半导体材料的热电效应,可以制作出温差电器件,如温差发电器和温差制冷器。这些器件在能源转换和温度 控制等领域有广泛应用。
塞贝克效应与温差电偶
半导体材料与器件的绿色化
发展环保、低能耗的半导体材料和器件,以适应体技术与其他领域(如生物、医学、环境等)的交叉融合,将 产生新的应用方向和产业机遇。
THANKS FOR WATCHING
感谢您的观看
致冷器件
利用帕尔贴效应,可以制作出致冷器 件,如半导体制冷器。这些器件在电 子设备冷却、局部制冷等领域有广泛 应用。
06 第五章总结与展望
关键知识点回顾
半导体能带结构
包括价带、导带和禁带的概念,以及半导体中电子和空 穴的能量分布。
半导体中的复合与产生
阐述了半导体中电子和空穴的复合过程以及载流子的产 生机制。
03
半导体器件的伏安特性曲线和 参数
02 半导体中的载流子
载流子的类型与特性
载流子类型
半导体中的载流子主要包括电子和空穴两种类 型。
电子特性
电子带负电荷,具有较小的有效质量和较高的 迁移率。
空穴特性
空穴带正电荷,具有较大的有效质量和较低的迁移率。
载流子的浓度与分布
载流子浓度
半导体中载流子的浓度与温度、掺杂 浓度和禁带宽度等因素密切相关。
半导体物理第五章教材
目 录
• 第五章概述 • 半导体中的载流子 • 半导体中的电流 • 半导体的光电性质 • 半导体的热电性质 • 第五章总结与展望
《半导体物理第五章》课件

第六节:PN结的非平衡态
PN结非平衡态简析
简单剖析非平衡态下PN结的电压 -电流特性。
简单PN结非平衡态的VE特性 光电导效应的非平衡态
研究非平衡态下PN结的电压-电 流特性。
探究非平衡态下光电导效应在PN 结中的特点与应用。
探讨PN结太阳能电池的构造和独特特点。
3 PN结太阳能电池的主要性能参数
深入了解PN结太阳能电池的重要性能参数及其影响因素。
第五节:PN结的热平衡态
PN结的热平衡态简析
简要分析PN结的热平衡态及其 相关特性。
热平衡态下PN结的IV特性
详细讨论热平衡态下PN结的电 流-电压特性。
自扩散效应的热平衡 态
详细讨论电子和空穴在PN结中的运动方式。
光谱响应及其特征
探究PN结对光谱的响应,以及其特征与应用。
第二节:P-N结的动态响应
PN结的快速响应
探索PN结在快速响应方面的特性 与应用。
PN结快速开关电路
介绍PN结在快速开关电路中的工 作原理与应用。
鼓型PN结
研究鼓型PN结的结构和相关特点。
第三节:PN结的光探测器
1
光电导效应及其应用
深入解析光电导效应在光探测器中的应用。
2
光电二极管的工作原理
详细讨论光电二极管的工作原理和特性。
3及其在光能转换中的应用。
第四节:单晶硅PN结太阳能电池
1 太阳能电池的基本原理
详细介绍太阳能电池的基本原理和工作方式。
2 PN结太阳能电池的构造及其特点
《半导体物理第五章》 PPT课件
这是《半导体物理第五章》的PPT课件,旨在介绍半导体物理的相关知识。通 过本次分享,我们将深入探讨半导体的基本性质、动态响应、光探测器、太 阳能电池、热平衡态以及非平衡态等内容。
最新尼尔曼第三版半导体物理与器件小结+重要术语解释+知识点+复习题

尼尔曼第三版半导体物理与器件小结+重要术语解释+知识点+复习题第一章固体晶体结构 (3)小结 (3)重要术语解释 (3)知识点 (3)复习题 (3)第二章量子力学初步 (4)小结 (4)重要术语解释 (4)第三章固体量子理论初步 (4)小结 (4)重要术语解释 (4)知识点 (5)复习题 (5)第四章平衡半导体 (6)小结 (6)重要术语解释 (6)知识点 (6)第五章载流子运输现象 (7)小结 (7)重要术语解释 (8)知识点 (8)复习题 (8)第六章半导体中的非平衡过剩载流子 (8)小结 (8)重要术语解释 (9)知识点 (9)复习题 (10)第七章pn结 (10)小结 (10)重要术语解释 (10)知识点 (11)复习题 (11)第八章pn结二极管 (11)小结 (11)重要术语解释 (12)知识点 (12)复习题 (13)第九章金属半导体和半导体异质结 (13)小结 (13)重要术语解释 (13)知识点 (14)复习题 (14)第十章双极晶体管 (14)小结 (14)重要术语解释 (15)知识点 (16)复习题 (16)第十一章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 (16)小结 (16)重要术语解释 (17)知识点 (18)复习题 (18)第十二章金属-氧化物-半导体场效应管:概念的深入 (18)小结 (19)重要术语解释 (19)知识点 (19)第一章固体晶体结构小结1.硅是最普遍的半导体材料。
2.半导体和其他材料的属性很大程度上由其单晶的晶格结构决定。
晶胞是晶体中的一小块体积,用它可以重构出整个晶体。
三种基本的晶胞是简立方、体心立方和面心立方。
3.硅具有金刚石晶体结构。
原子都被由4个紧邻原子构成的四面体包在中间。
二元半导体具有闪锌矿结构,它与金刚石晶格基本相同。
4.引用米勒系数来描述晶面。
这些晶面可以用于描述半导体材料的表面。
密勒系数也可以用来描述晶向。
5.半导体材料中存在缺陷,如空位、替位杂质和填隙杂质。
半导体物理与器件第五章2

n0 Nd
则:
dN d x J n eN d x n Ex eDn 0 dx
KT 1 dNd ( x) Ex ( ) e N d ( x) dx
而电场的表达式为:
dNd x kT 1 dNd x 代入得到: e N x eDn 0 n d dx e Nd x dx
J ep p E eDpp enn E eDnn
内生电场:非均匀掺杂下,由电离杂质梯度产生 内生电场
kT 1 dN d ( x) E x ( ) e N d ( x) dx
爱因斯坦关系:扩散运动与漂移运动的内在联系
Dn kT n e
Dp
kT p e
载流子的总电流密度
以均匀掺杂N型材料为例,若在 x 方向加光照、 加电场E,载流子既做漂移运动又做扩散运动, 相应产生扩散电流和漂移电流
E
光照
( J p )漂 ( J p )扩 ( J n )漂 ( J n )扩
dp / dx dn / dx
x
总电流密度(漂移+扩散)
E
光照
( J p )漂 ( J p )扩 ( J n )漂 ( J n )扩
半导体物理与器件
陈延湖
5.2 载流子的扩散运动
对载流子有两种空间运动
电场作用下的漂移运动(√) 浓度差引起的扩散运动
1 扩散电流密度 2 半导体总电流密度方程 3 内生电场 爱因斯坦关系
扩散电流密度
A B 光 照 x x+Δx x
0
当半导体内的载流子分布不均匀时,会出现载流子由高浓 度处向低浓度处的扩散运动。 由于扩散运动而形成的净电荷流动将形成电流,称为扩散 电流。Βιβλιοθήκη 5.3 杂质梯度分布
半导体物理与器件教学大纲

半导体物理与器件(教学大纲)Semiconductor Physics and Devices课程编码:12330540学分:课程类别:专业基础课计划学时: 48 其中讲课: 48 实验或实践: 0 上机:0适用专业:IC设计、电信推荐教材:尼曼(Donald H.Neamen)著,赵毅强,姚素英。
解晓东译,《半导体物理与器件》(第3版),电子工业出版社,2010参考书目:D. A. Neamen,《Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles》,清华出版社,2003R. T. Pierret著,黄如等译,《半导体器件基础》,电子工业出版社,2004刘恩科、朱秉升、罗晋生等,《半导体物理学》,西安交通大学出版社,2004黄昆、谢希德,《半导体物理学》,科学出版社,1958曾谨言,《量子力学》,科学出版社,1981谢希德、方俊鑫,《固体物理学》,上海科学技术出版社,1961课程的教学目的与任务本课程是集成电路专业的重要选修课之一。
本课程较全面地论述了半导体的一些基本物理概念、现象、物理过程及其规律,并在此基础上选择目前集成电路与系统的核心组成部分,如双极型晶体管(BJT)、金属-半导体场效应晶体管(MESFET)和MOS场效应晶体管(MOSFET)等,作为分析讨论的主要对象来介绍半导体器件基础。
学习和掌握这些半导体物理和半导体器件的基本理论和分析方法,为学习诸如《集成电路工艺》、《集成电路设计》等后续课程打下基础,也为将来从事微电子学的研究以及现代VLSI与系统设计和制造工作打下坚实的理论基础。
课程的基本要求本课程要求学生掌握半导体物理和半导体器件的基本概念和基本规律,对于基础理论,要求应用简单的模型定性说明,并能作简单的数学处理。
学习过程中,注意提高分析和解决实际问题的能力,并重视理论与实践的结合。
本课程涉及的物理概念和基本原理较多,为了加深对它们的理解,在各章节里都给学生留有一些习题或思考题,这些题目有的还是基本内容的补充。
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电导率和温度的关系
n型半导体,Nd=1015cm-3,硅的电子 浓度和电导率同温度倒数的函数关系
• 中温区(即非本征区),杂质已 全部电离,电子浓度保持恒定; 但因迁移率随温度升高而下降, 因此电导率随温度升高而出现了 一段下降的情形。
关系为:
I
T 3 2 NI
其中,NI=Nd++Na-表示半导体电离杂质总浓度。
• 电离杂质散射决定的载流子迁移率随温度的升高而 增大:因为温度越高,载流子热运动会越剧烈,载 流子通过离化杂质电荷中心附近所需的时间会越短。
• 碰撞概率:平均时间间隔的倒数。
• 假设:τL表示晶格散射造成的碰撞之间的平均时间间隔,τI表 示电离杂质散射造成的碰撞之间的平均时间间隔。
其中,比例系数μn称作电子迁移率。
电子、空穴漂移电流的方向都与外加电场方向相同!
总漂移电流: J d r f J n |d r f J p |d r f en n p p E
例5.1:计算在已知电场强度下半导体的漂移电流密度。
T=300K时,砷化镓的掺杂浓度为Na=0,Nd=1016cm-3。 设杂质全部电离,若外加电场强度为E=10V/cm,求漂
e m
• 不难得到:
1 1 1
L I
其中,μI为仅有电离杂质散射存在时的迁移率,μL为仅有晶 格散射存在时的迁移率,μ为总迁移率。
• 当多个独立散射机制同时存在,上式仍成立;多种 散射机制的影响,载流子总的迁移率将会更低。
(3)电导率
IV R l
R
A
1
E
v A
lV
Jdrf Jdrf
• 若两种散射过程相互独立,则在微分时间dt内受到散射的总 概率为两者之和,即:
dt dt dt
I L
其中,τ为任意两次散射之间的平均时间间隔。
• 物理意义:载流子在半导体晶体材料中所受到的总散射概率 为各个不同散射机制的散射概率之和,这对于多种散射机制 同时存在的情况也是成立的。
• 因此,利用迁移率公式:
• 更高的温度范围内,本征载流子 浓度增加并开始主导电子浓度以 及电导率,因此电导率随温度上 升而迅速增加。
vd
1 2
e cp
mcp
E
• 在考虑了统计分布影响的精确模型中,上式中将没
有因子1/2,则
vdp
e cp
m
cp
E
• 因而:
p
dp
E
e cp
mcp
• 同理,电子的平均漂移速度为:
n
e cn
m
cn
其中,τcn为电子受到碰撞的平均时间间隔。
• 根据迁移率和速度及电场的关系,可知:
– 可以看到迁移率与有效质量有关。
eE t
v
m
cp
• τcp表示在两次碰撞之间的平均漂移时间。
电场E
4 1
3 2
1 2
4 3
• 弱场下,电场所导致的定向漂移速度远比热运动速度
小(~1%),因而加外场后空穴的平均漂移时间无明
显变化。利用平均漂移时间,可求得平均最大漂移速
度为:
vd
peak
e cp
mcp
E
• 平均漂移速度为最大速度的一半,即:
只由晶格振动散射所决定的载流子迁移率随温度 的变化关系,根据散射理论:
L T n 一 阶 近 似 n 3 2
随温度升高,晶格振动越剧烈,因而对载流子的散射作用也越强,从 而导致迁移率越低。轻掺杂半导体中,主要散射机构是晶格散射。
2)电离杂质散射
载流子与电离杂质之间存在库仑作用。仅由电离 杂质散射决定的载流子迁移率与温度、总的掺杂浓度
高等半导体物理 与器件
第五章 载流子输运现象
主要内容
• 载流子的漂移运动 • 载流子扩散 • 杂质梯度分布 • 小结
• 输运:载流子(电子、空穴)的净流动过程。
– 最终确定半导体器件电流-电压特性的基础。
– 两种基本输运机制:漂移运动、扩散运动。
– 假设:虽然输运过程中有电子和空穴的净流动,但 热平衡状态不会受到干扰。
非本征半导体中,漂移电流密度基本上取决于多数载流子。
(2)迁移率
• 用有效质量来描述空穴加速度与外加电场关系
Fmcpamcp
dveE dt
其中,e表示电子电荷电量,a代表加速度,E表示电场, mcp*为空穴的有效质量。v表示空穴平均漂移速度(不包括 热运动速度)。
• 假设粒子初始速度为0,对上式积分得
• 涵义:n、p、EF的关系没有变化。(输运过程中特定位 置的载流子浓度不发生变化)
• 热运动的速度远远超过漂移或扩散速度。(外加作用, 转化为一个平均的统计效果)
5.1 载流子的漂移运动
(1)漂移电流密度
• 漂移运动:载流子在外加电场作用下的定向运动。 • 漂移电流:载流子漂移运动所形成的电流。
E
v A
V
假设载流子为空穴,则
ep 空穴浓度 单位电量
平均漂移速度
Jdrf
I A
vd
Jp|drf ep vdp
在弱场情况下,平均漂移速度与外加电场成正比:
vdp pE
Jp|drf epvdpeppE
其中,比例系数μp称作空穴迁移率。
同理,对于电子的漂移运动,可得:
vdn nE
J n |d rf e n n E en n E
eA Inn V lp pE n 型 : ennenN d
电导率(电阻率)是载流子浓度(掺杂浓度,非本征半导体中, 主要是多子浓度)和迁移率(与杂质浓度有关)的函数
电阻率和杂质浓度的关系
• 电阻率与杂质浓度不呈线性:载流子浓度(杂质浓度)和迁移率 • 杂质浓度增高时,曲线严重偏离直线,主要原因:
移电流密度。
解:因为Na=0,Nd=1016cm-3>ni,所以 nNd1016cm3
pni2
1.8106
2
3.24104cm3
Nd
1016
漂移电流为 J d r f en n ppE en n E
1 .6 1 0 1 9 8 5 0 0 1 0 1 6 1 0 1 3 6 A c m 2
• 有效质量小,在相同的平均漂移时间内获得的漂移速度就大。
– 迁移率还和平均漂移时间有关,平均漂移时间越大,则载 流子获得的加速时间就越长,因而漂移速度越大。
• 平均漂移时间与散射几率有关。
• 半导体中影响迁移率的两种主要散射机制: 晶格散射,电离杂质散射
1)晶格散射
晶格热振动破坏了势函数,导致载流子与振动的 晶格原子发生相互作用。