典型碳刷工作面图片

典型电刷表面

—光洁表面，典型的密实电刷和良好换向。—软结构表面，典型的多孔电刷，但换向良好。

—轻的条纹，典型的负

载轻或受气氛污染

。—表面轻的擦伤，说明负载过轻或受气氛污

染(负载亦指电流

密度)。

—条纹和槽的进一步发展。典型的负载轻及／或气氛污染。—接触面上有斑点，表示接触面电流分布不均匀，应作电气调整和核对电刷牌号。

—电刷一侧表面及接触

面过烧。表示震动或电刷移动。典型的换向器不圆或弹簧压力太低。

—接触面过烧斑点，表示弹簧压力太低或电刷过载。

—蚀刻性表面，典型的

由于弹簧压力过低

而打火花，及／或

电刷牌号换向性不

良。

—有双接触痕，说明电

机在可逆状态下工

作。

—换向器的铜点嵌入电

刷接触面，表示电刷

负戴轻及／或摩擦过

渡。

—电刷边缘掉角，典型

的滑环上摩擦太高，

亦说明换向器上摩擦

过度或换向片过高。

—电刷与刷握接触处侧

非常光亮。典型的摩

擦过度而弹簧压力太

低。

—电刷强烈震动。典

型的摩擦过度，及／

或弹簧压力太低。

—电刷有中心蚀孔，表

示铆钉损坏，铆钉落

入电刷体内发生蚀

孔。

—接触面斑点，典型的

电刷牌号不当，在低

温或低弹簧压力下工

作。

电刷牌号及主要性能

类别牌号视

比

重

电阻

系数

（微欧·厘米)

肖氏

硬度

抗弯

强度

（兆帕）

接触

电压

降

摩擦

系数

允许

电流

密度

（安／平方厘米）

允许

速度

（米／秒）

金属

含量

%

碳石墨类 A 121 1,78 1700 30 32.5 M B 12 - 20 <=15

A 122 1,70 40000 27 20 E

B 10-12 <=15

A 176 1,60 52000 40 20 E

B 8-10 30

A 210 1,65 25000 30 20 M

B 8-10 <=25

A 252 1,65 40000 27 17 E

B 10-12 <=25

软石墨类LFC 501 1,45 2000 7 M M 6 - 10 75 LFC 554 1,25 2000 10 M M 11 - 13 90

电化石墨EG 34 D1,60 1100 35 25 M M 12 50 EG 389 P1,50 1600 24 19 M M 12 50

EG 3961,52 1600 27 19 M M 12 50

EG 3621,62 2500 35 21 M M 12 50

EG 40 P1,60 3200 57 27 M M 12 50

EG 3131,70 4700 54 21 M B 12 50

EG 3671,54 4300 48 20 M M 12 50

EG 3321,52 4850 48 21 M M 12 50

EG 3651,62 5000 40 15 M B/M 12 50

EG 3001,55 4200 54 25 M B/M 12 50

EG 981,59 3600 60 39 M M 12 50

EG 3691,57 5100 55 25 M M 12 50

EG 319 P1,48 7200 53 26 E M 12 50

EG 98 B 1,66 3400 67 30 M M 12 50

EG 98 P 1,57 3600 56 29 M M 12 50

EG 321 1,51 6800 52 28 E M 12 50

浸渍电EG 7099 1,70 1150 40 33 M M 12 45 化石墨EG 9599 1,60 1600 33 28 M M 12 50 EG 9117 1,69 3300 77 32 M M 12 45

EG 8019 1,70 4700 77 31 M M 12 45

EG 8067 1,65 4000 70 34 M M 12 50

EG 7823 1,71 4400 81 35 M M 12 50

EG 8220 1,85 5450 89 44 M M 12 50

EG 9049 1,64 4300 68 31 M M 12 50

EG 7132 1,64 5100 65 33 M M 12 50

EG 7097 1,64 3900 65 37 M M 12 50

EG 341 1,57 7000 74 34 E M 12 50

EG 9041 1,56 6300 65 36 E M 12 50

EG 364 1,58 6500 73 35 E M 12 50

EG 6489 1,57 6500 75 35 E M 12 50

树脂石墨BG 4121,81 11000 36 E M 8-12 35 BG 4691,81 10000 36 E M 12 35

BG 4001,57 24000 21 E M 8-12 40

1- LFC 3 2,16 750 18 17 B B 12 45 20 金属石墨 C 6958 2,35 600 23 13 TB M 10 - 25 <=32 25 CG 33 2,30 500 25 27 TB/B B 10 - 12 40 30

C 83862,80 110 25 27 TB B/M 20- 30 <=30 45

CG 6512,90 140 26 33 TB B 12 - 14 35 49

CG 6654,05 30 17 50 TB B 15 - 20 30 67

CG 754,65 10 12 48 TTB B 16 25 77

OMC5,98 6 8 85 TTB B 25 - 30 20 90

MC 79 P5,20 7 20 95 TTB B/M 25- 30 20 83

MC 126,00 35 15 175 TTB B/M 25- 30 20 91

MC 689 5,95 25 13 145 TTB B/M 25- 30 20 89

MC 664 4,65 83 27 39 TTB B/M 25- 30 20 79

2- M 609 2,00 450 35 38 TB/TTB TTB 12- 15 35 45 浸渍金M 673 1,72 1100 35 26 TTB E 10 - 12 40 5,5 属石墨M 9426 1,62 1623 24 16 TTB E 12 - 15 40 9 M 685 2,78 360 34 40 TB/TTB B 12 - 15 35 45

M 621 3,00 500 34 39 B M 40 40 44

牌号

密度

g/cm3

抗折强度

Mpa

电阻率

毫欧.CM

硬度

(肖氏)

热彭胀系数

CTEX10-6/℃

热传导率

W/cm℃

颗粒直径

(微米)

用途

E+11 1.7 36 1120 48 4.2 116 15 EDM粗打(高速)

E+20 1.8 52 1240 65 5 104 13 EDM粗精打(高速) E+25 1.82 55 1400 65 5.9 93 10 EDM粗精打(精密高速) E+30 1.84 65 1650 <80 6 79 8 EDM精打(高精密) E+50 1.86 76 1600 <80 6 81 5 EDM精打(极精密) 1940 1.76 45 1370 55 4.7 95 13 坩埚

2114 1.8 52 1295 65 5 93 12 光纤

2158 1.82 58 1400 65 5.9 82 10 半导体器件制造2159 1.8 60 1600 75 5.9 80 10 精密半导体芯片制造2160 1.86 75 1620 <80 6 80 5 极精密半导体芯片制造

2715 1.82 55 2300 90 5.9 60 12 精密半导体芯片制造，

玻璃制造

2910 1.75 34 1600 55 3.7 80 18 坩埚

2120 1.87 68 1520 72 6 90 8 精密电子元器件制造