名词解释

一． 名词解释

1.传感器的定义：能够感受规定的被测量，并按照一定规律转换成可用输出信号的器件或装置。

2.灵敏度定义：输出量增量Δy 与引起输出量增量Δy 的相应输入量增量Δx 之比。用K 表示灵敏度，即x

y

K

∆∆=

它表示单位输入量的变化所引起传感器输出量的变化，很显然，灵敏度K 值越大，表示传感器越灵敏

3．线性度：指在全量程范围内实际特性曲线与拟合直线之间的最大偏差值ΔLmax 与满量程输出值YFS 之比。线性度也称为非线性误差，用γL 表示，即，

%100max ⨯∆±=FS

L Y L

γ。

4.迟滞：传感器在正(输入量增大)反（输入量减小）行程中输出输入曲线不重合程度。传感器在全量程范围内最大的迟滞差值ΔHmax 与满量程输出值YFS

之比称为迟滞误差，用γ

H 表示%100max

⨯∆=FS

H Y H γ

5.重复性：是指传感器在输入量按同一方向作全量程连续多次变化时，所得

特性曲线不一致的程度。%100)3~2(⨯±=FS R Y σ

γ，重复性误差可

用正反行程的最大偏差表示，即%100max

⨯∆±=FS

R Y R γ。

6.应变效应：导体或半导体材料在外（拉力或压力）力的作用时，产生机械变形，导致其电阻值相应发生变化， 这种因形变而使其阻值发生变化的现象。

7.电涡流效应：根据法拉第定律，块状金属导体置于变化的磁场中或在磁场中作切割磁力线运动时，导体内部将产生漩涡状的感应电流，称为电涡流，这种现象称为“电涡流效应”。

8.热电效应：两种不同的导体或半导体A 和B 组合成闭合回路，连接点处于不同的温度场中（设T ＞T0），则在此闭合回路中就有电流产生，也就是说回路中有电动势存在，这种现象叫做热电效应。分类：热电势由两部分组成，即接触电势和温差电势。

接触电势：两种导体在温度T 中接触，由于自由电子浓度不同在接触点产生温差电势：由同一金属导体两端处于不同的温度场中，由于自由电子密度不同产生的电势。

温差电势的大小与材料性质及两端温度有关。

10.热电偶基本定律:1)均质导体定律2)中间导体定律3)标准电极定律4.)连接导体定律5)中间温度定律

均质导体定律:由一种均质导体组成的闭合回路，不论其导体是否存在温度梯度，回路中没有电流(即不产生电动势)；

中间导体定律:在热电偶回路中接入第三种导体C ，只要第三种导体的两接点温度相同，则回路中总的热电动势不变

标准电极定律:如果两种导体分别与第三种导体组成的热电偶所产生的热电动势已知，则由这两种导体组成的热电偶所产生的热电动势也就可知。 连接导体定律: 回路总热电势等于热电偶电势EAB(T,Tn)与连接导线热电势

EA`B`(Tn,T0)的代数和，连接导体定律是工业上应用补偿导线进行温度测量理论的基础。

中间温度定律:热电偶在两接点温度分别为T 、T0时的热电动势等于该热电偶在接点温度分别为T 、Tn 和接点温度分别为Tn 、T0时的相应热电动势的代数和。

9.顺（正）压电效应：某些电介质，当沿着一定方向对其施力而使它变形时，内部就产生极化现象，同时在它的一定表面上便产生符号相反的电荷，当外力去掉后，又重新恢复到不带电状态;当作用力方向改变时，电荷极性也随之改变。这种机械能转化为电能的现象称为正压电效应或顺压电效应。 逆压电效应（电致伸缩效应）：当在电介质的极化方向施加电场，这些电介质就在一定方向上产生机械变形或机械压力，当外加电场撤去时，这些变形或应力也随之消失的现象。

10.纵向压电效应：沿X 轴施加力，而在垂直于X 轴晶面上产生电荷的现象。 横向压电效应：沿Y 轴施加力，而在垂直于X 轴晶面上产生电荷的现象即为。 11.居里点：指压电材料开始丧失压电特性的温度。

12.外光电效应：在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应,亦称光电子发射效应。

内光电效应当光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变化，或产生光生电动势的现象。

光电导效应：在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化的现象（器件：光敏电阻）

光生伏特效应：在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象。（器件：光电池和光敏二极管、光敏三极管）。

13.光敏电阻：又称光导管，为纯电阻元件，其工作原理是基于光电导效应，其阻值随光照增强而减小。

光照特性：数是非线性的；不宜做线性测量元件;多做开关式的光电转换器 14.光电池：利用光生伏特效应把光直接转变成电能的光电器件(太阳能电池)。光照特性：光电池作为测量元件时，应把它作为电流源的形式来使用，不宜用作电压源，且负载电阻越小越好。

15. 数值孔径 NA(Numerical Aperture)： NA=sin θi0

意义：表征光纤集光本领的一个重要参数，即反映光纤接收光量的多少。 16.霍尔效应：在半导体薄片中通以电流I,在与薄片垂直方向加磁场B ，则在半导体薄片的另外两端，产生一个大小与控制电流I 和B 乘积成正比的电动

势，这种现象称为霍尔效应。该电势称为霍尔电势，该薄片称为霍尔元件。 17.霍尔元件灵敏度：单位磁感应强度和单位控制电流作用时，所能输出的霍尔电势的大小。单位是mV/（mA ·T ）

UH ＝ KH I B KH=RH / d

18.磁阻效应:当载流导体置于磁场中，其电阻会随磁场而变化的现象,称为磁致电阻变化效应，简称为磁阻效应。

dT T T e T T A A ⎰=0),(0σdT

T T e T T B B ⎰=0

),(0σ