【CN110004434A】用于抑制印制电路板锡须生长的化学浸锡镀液及施镀方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910260892.1

(22)申请日 2019.04.02

(71)申请人 电子科技大学

地址 611731 四川省成都市高新区（西区）

西源大道2006号

(72)发明人 王翀　罗佳玉　张东明　何为　

王守绪　徐佳莹　何伍洪　陈苑明　

周国云　洪延　

(74)专利代理机构 电子科技大学专利中心

51203

代理人 甘茂

(51)Int.Cl.

C23C 18/31(2006.01)

C23C 18/48(2006.01)

C23C 18/18(2006.01)

(54)发明名称

用于抑制印制电路板锡须生长的化学浸锡

镀液及施镀方法

(57)摘要

本发明属于印制电路板制备领域，提供一种

用于抑制印制电路板锡须生长的化学浸锡镀液

及施镀方法，通过化学浸锡过程中共沉积起到阻

挡作用的金属，抑制铜锡合金的生成，达到消除

锡须的目的。本发明中化学浸锡镀液包括：浓度

为20-30g/L的锡盐、浓度为10～40g/L的镍盐、钴

盐中的至少一种、浓度为20～50g/L的还原剂、浓

度为0.1～50g/L的络合剂、浓度为1～10g/L的稳

定剂及pH调节剂。与传统印制电路板表面终饰技

术相比，使用本发明能够大大降低了锡须的生长

速率，达到抑制锡须生长的目的，极大程度上减

少了器件表面锡须的生长，

有较好的应用前景。权利要求书1页 说明书6页 附图2页CN 110004434 A 2019.07.12

C N 110004434

A

权　利　要　求　书1/1页CN 110004434 A

1.用于抑制印制电路板锡须生长的化学共沉积镀液，其特征在于，包括：

锡盐：所述锡盐为硫酸亚锡，浓度为20-30g/L；

镍盐、钴盐中的至少一种：所述镍盐为硫酸镍、乙酸镍、硝酸镍中的一种或以上，所述钴盐为硫酸钴、乙酸钴、硝酸钴中的一种或以上，浓度为10～40g/L；

还原剂：所述还原剂为次亚磷酸钠，浓度为20～50g/L；

络合剂：所述络合剂为柠檬酸、乳酸、苹果酸、酒石酸钾钠、硫脲、三乙醇胺、甘氨酸、乙二胺四乙酸二钠、乙二胺的一种或以上，浓度为0.1～50g/L；

稳定剂：所述稳定剂为对苯二酚，浓度为1～10g/L；

pH调节剂：所述pH调节剂为氨水、氢氧化钠、硫酸的一种或以上；

所述化学浸锡镀液的pH值为0.5～2.0。

2.按权利要求1所述用于抑制印制电路板锡须生长的化学共沉积镀液，其特征在于，所述化学浸锡镀液中只包括镍盐时，化学浸锡镀液的pH值为0.8～1.5。

3.按权利要求1所述用于抑制印制电路板锡须生长的化学共沉积镀液，其特征在于，所述化学浸锡镀液中同时包括镍盐与钴盐时，化学浸锡镀液的pH值为0.5～1.5。

4.用于抑制印制电路板锡须生长的化学浸锡施镀方法，包括以下步骤：

步骤1.预处理：对印制电路板进行脱脂除油处理、微蚀处理；

步骤2.化学金属共沉积：将经步骤1的印制电路板置于用于抑制印制电路板上锡须生长的化学浸锡镀中，于70～90℃的温度条件下，浸镀1～10min，完成化学金属共沉积；

步骤3.化学镀锡：将经步骤2的印制电路板置于化学镀锡镀液中，于30～50℃的温度条件下，浸镀20～40min，完成化学镀锡。

5.按权利要求4所述用于抑制印制电路板锡须生长的化学浸锡施镀方法，其特征在于，所述化学镀锡镀液包括：锡盐、还原剂、络合剂、稳定剂、表面活性剂和pH调节剂；所述锡盐为硫酸亚锡，浓度为20-30g/l；所述还原剂为次亚磷酸钠，浓度为20～50g/L；所述络合剂为硫脲，浓度为20-100g/l；所述稳定剂为对苯二酚，浓度为0.1～10g/L；所述pH调节剂为氨水、氢氧化钠、硫酸的一种以上；所述表面活性剂为OP乳化剂、聚环氧乙烷-环氧丙烷共聚物、脂肪烷烃磺酸盐、壬基酚聚氧乙烯醚或其他阴离子型、非离子型或阳离子型表面活性剂中的一种或几种，浓度为0.1—1g/L；所述化学镀锡镀液的pH值为0.5～2.0。

6.按权利要求4所述用于抑制印制电路板锡须生长的化学浸锡施镀方法，其特征在于，所述脱脂除油处理采用酸性除油液对印制电路板进行浸泡，酸性除油液由酸性物质、酸性表面活性剂和去离子水混合配制而成，其中，酸性物质的体积百分比浓度为3％～10％，酸性表面活性剂的体积百分比浓度为3％～10％；脱脂除油处理的条件为：操作温度40～60℃，时间为3～5min。

7.按权利要求4所述用于抑制印制电路板锡须生长的化学浸锡施镀方法，其特征在于，所述微蚀处理采用微蚀液对印制电路板进行浸泡，微蚀液或者由过硫酸钠、硫酸和去离子水混合配制而成，其中，过硫酸钠的含量为10～80g/L，硫酸含量为20～100g/L；或者由双氧水、氨水和去离子水混合配制而成，其中，去离子水：氨水：双氧水的体积比为1:1:(0.1～0.2)；微蚀处理的条件为：操作温度25～30℃、时间为1～5min。

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