CELL制程简介
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Page-15.
Pre-PI Cleaning Pre製程管制
– Particles Count
製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– 水漬殘留 PI水紋狀Mura – Particles Cell內異物
2011/3/19
Page-16.
Pre-PI Cleaning PreRoll/Brush Shower (LH-300) High Pressure Shower (DIW) UltraSonic Clean (DIW) MegaSonic Clean (DIW) Silane Shower (DIW) Air Knife IR Cooling Dry Air (CDA)
製程參數
– Main-Curing的溫度 – Chamber內以N2氣體Purge
製程管制
– IR溫度220ºC – 時間12分鐘 – N2氣體Purge流量300L/min
2011/3/19 Page-26.
PI Main-Curing Main製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– 溫度過高 Color Filter變質 – 溫度過低 Pre-tilt angle下降、Polyimide轉化 率低 – 溼度過高 殘留DC值高 殘像
2011/3/19 Page-17.
UltraSonic Vibrator
2011/3/19
Page-18.
MegaSonic Vibrator
2011/3/19
Page-19.
PI Coating
製程目的
– 利用APR板轉印的方式塗佈配向材料Polyimide
製程參數
– – – – – – Anylox Roller和印刷Roller間的nip值 印刷Roller和基板間的nip值 Stage走行速度 ，film thickness Dispenser的PI滴下量 ，film thickness Doctor Roller的押入量 ，film thickness Doctor Roller的速度 ，film thickness
201Байду номын сангаас/3/19
Page-27.
Rubbing
製程目的
– 利用摩擦配向法使液晶分子均一地往相同方向 排列
製程參數
– – – – – 滾輪基板間間隔：1.5mm 滾輪旋轉數：480rpm Rubbing Stage Speed：60mm/sec 滾輪角度設定：45.7° ° Air Knife Stage Speed：500mm/sec
2011/3/19
Page-28.
Rubbing
製程材料或治具
– 研磨布：棉 (8007-090D)YA25-C
製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– 壓毛量過深 – 壓毛量過淺 – Rubbing-siju PI會剝落 Rubbing的密度不均勻 對角線方向等間隔的線狀Mura
2011/3/19
○×情報
2011/3/19
Page-7.
基板分割方式
全板 550x650 2 up 550x314.9 1 up
2011/3/19
Page-8.
1st Cut
製程材料或治具
– 刀刃角度：125º
製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– – – – 切割偏移 Bezel衝突 毛邊 Bezel衝突 Chipping Shock、Vibration、可靠度 破裂缺損 Shock、Vibration、可靠度
Page-2.
Alignment Section
TFT elevator CF/Array Stocker CF Cleaner Loader 1st Cut Buffer Edge Grind Cleaning Unloader Unpacking M/C PI Main Cure CF/Array Stocker PI Inspection PI Coater Pre-PI Cleaning Stocker Loader
2011/3/19
Page-24.
PI Inspection
製程目的
– 自動檢查及人工檢查PI Coating製程之異常
檢查項目
– – – – PI剝落 Pin-Hole Mura Priticles
2011/3/19
Page-25.
PI Main-Curing Main製程目的
– 為使polyamic acid完全轉化polyimide，並將溶 媒完全蒸發，而使配向膜定形，達到硬化目的
Spacer Sprayer
Pitch Measurement
Seal Oven . . . Seal Oven
JIG Press . . . . . JIG Press
Assembly Buffer Assembly
2011/3/19
Page-4.
LC Section
2nd Cut
Loader 2nd Cut in-line 2nd Cut in-line 2nd Cut off-line Anneal Anneal Loader 2nd Cut off-line Anneal Anneal Anneal in-line in-line Batch Batch
Page-30.
After Rubbing Cleaning
CF
Buffer
Buffer
PI Main Cure
Buffer
PI Inspection
PI Coater
Buffer
Pre-PI Cleaning
Loader
Buffer
Rubbing M/C
Unloader Stocker
Buffer
Rubbing M/C
Unloader
PI Remover
2011/3/19
LC Filler
in-line Batch Batch
End Seal
Cell Lighting
Repair Oven Laser Repair Visual Inspection Visual Inspection Visual Inspection
POL Attach Line
Auto Clave Auto Clave 2nd Bevel & Polarizer Attach 2nd Bevel & Polarizer Attach 2nd Bevel & Polarizer Attach Panel Cleaner & Isotropic Oven Gap measurement
2011/3/19 Page-23.
PI Pre-Curing Pre製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– 溫度過高或過低 膜厚不均 PI Mura – 排氣的風壓不均勻 溶媒揮發不一致 PI Mura – Pin的位置於面內 PI Mura – Pin的位置太高或太低 溫度不均 PI Mura
製程參數
– – – – – 搬送速度：2000mm/min SW1, 2流量：30L/min CJ壓力：15kg/cm2 Air Knife壓力：第一層上：0.9kg/cm2 第一層下：0.8kg/cm2
2011/3/19
Page-12.
Air Knife
2011/3/19
Page-13.
CF Cleaning
2011/3/19
Page-21.
PI Coating
製程治具
– APR板
製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– – – – – PI膜厚不均 PI斑、PI Mura Roller刮傷 PI Mura Particle殘留 Cell內異物 APR板不潔 Cell內異物、Pin-Hole 溼度過高 殘留DC值高 殘像
Page-14.
Pre-PI Cleaning Pre製程目的
– 配向膜PI塗佈前之清洗
製程參數
– – – – – – – –
2011/3/19
洗劑濃度/溫度：0.5% ／40ºC 搬送速度：1600mm/min Brush押入量：1mm 洗淨Shower流量：15L/min MS流量：36L/min MS輸出Level：100W Air Knife：上/下壓：0.9kg/cm2、 0.8kg/cm2 IR爐：150~170 º C
2011/3/19 Page-10.
Edge Grind
製程材料或治具
– 磨石粗糙度
製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– Chipping – 破裂缺損 Shock、Vibration、可靠度 Shock、Vibration、可靠度
2011/3/19
Page-11.
Cleaning
製程目的
– 以DIW清洗研磨後的基板
Page-3.
Assembly Section
Sealing CF Loader Cleaner Buffer Sealing Buffer Seal Inspection Buffer Seal Curing Buffer
Sealing Transfer TFT Loader Cleaner Buffer Spacer Sprayer Buffer Buffer
2011/3/19
Page-6.
1st Cut
製程目的
– 將Array部份做完的TFT基板，切割成Single or Double size
製程參數
– 切入量：0.25mm – Scribe速度：250mm/sec – Scribe壓力 1, 2：1.8kg/cm2
製程管制
– Bar Code –切割精度 –chipping
INTRODUCTION OF CELL PROCESS
2011/3/19
Cell Process of color TFT-LCD TFTAlignment Section Assembly Section LC Section 配向段製程 組立段製程 組立段製程 液晶段製程 液晶段製程
2011/3/19
製程目的
– 以UV O3方式清潔CF基板
製程參數
– – – – – –
2011/3/19
搬送速度：2600mm/min 1st Air knife 上、下壓：0.75kg/cm2、0.7kg/cm2 2nd Air knife上、下壓：0.8kg/cm2、 0.75kg/cm2 UV 電壓：85V UV 照度：0.99J/cm2 Cooling air 流量：1600L/min
2011/3/19
Page-9.
Edge Grind
製程目的
– 將基板的長、短邊及轉角部份，加以研磨
製程參數
– 磨石旋轉速：5000rpm – 研磨速度：長邊、短邊部份：4500mm/sec – Corner部份：2000mm/sec
製程管制
– 面取量：0.2±0.1mm ± – Corner：1.0±0.5mm ± – 基板外觀尺寸：150±150µm ± µ
MDL
Auto Clave Auto Clave Auto Clave
2011/3/19
Page-5.
Alignment Section
TFT Unpacking M/C CF/Array Stocker Loader 1st Cut Buffer Edge Grind Cleaning Unloader
2011/3/19
Page-22.
PI Pre-Curing Pre製程目的
– Leveling of PI Film – 溶媒的蒸發
製程參數
– Pre-Curing的溫度 – 排氣的風壓 – Hot Plate上頂出pin的位置與高低
製程管制
– Hot Plate的設定溫度150ºC – 基板上的實際溫度80ºC – Hot Plate到基板間的距離 2.5mm
Page-29.
After Rubbing Cleaning
製程目的與原理
– 清除Rubbing製程後所殘留的毛屑或particles
製程參數及製程管制 製程參數及製程管制
– – – – – – –
2011/3/19
洗淨液溫度：40℃ ℃ 洗淨區US輸出：300W MS輸出Level：100W 頻率：1.6MHz Spin旋轉速：2000rpm IR爐：160℃ ℃ 冷卻Air量：1600L/min
2011/3/19
Page-20.
PI Coating
製程管制
– 製程時的濕度必須保持在45±5% ± – Coating 初步的厚度約10000Å – Pre-Curing 完之厚度約750 ± 250Å
製程材料－ 製程材料－PI
– SE-7492，polyimide + r-butyllacton 混合溶液 – 比例：5% solid content – 特性：Pre-tilt角度小，高保持率，低殘留DC
Pre-PI Cleaning Pre製程管制
– Particles Count
製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– 水漬殘留 PI水紋狀Mura – Particles Cell內異物
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Pre-PI Cleaning PreRoll/Brush Shower (LH-300) High Pressure Shower (DIW) UltraSonic Clean (DIW) MegaSonic Clean (DIW) Silane Shower (DIW) Air Knife IR Cooling Dry Air (CDA)
製程參數
– Main-Curing的溫度 – Chamber內以N2氣體Purge
製程管制
– IR溫度220ºC – 時間12分鐘 – N2氣體Purge流量300L/min
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PI Main-Curing Main製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– 溫度過高 Color Filter變質 – 溫度過低 Pre-tilt angle下降、Polyimide轉化 率低 – 溼度過高 殘留DC值高 殘像
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UltraSonic Vibrator
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MegaSonic Vibrator
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Page-19.
PI Coating
製程目的
– 利用APR板轉印的方式塗佈配向材料Polyimide
製程參數
– – – – – – Anylox Roller和印刷Roller間的nip值 印刷Roller和基板間的nip值 Stage走行速度 ，film thickness Dispenser的PI滴下量 ，film thickness Doctor Roller的押入量 ，film thickness Doctor Roller的速度 ，film thickness
201Байду номын сангаас/3/19
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Rubbing
製程目的
– 利用摩擦配向法使液晶分子均一地往相同方向 排列
製程參數
– – – – – 滾輪基板間間隔：1.5mm 滾輪旋轉數：480rpm Rubbing Stage Speed：60mm/sec 滾輪角度設定：45.7° ° Air Knife Stage Speed：500mm/sec
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Rubbing
製程材料或治具
– 研磨布：棉 (8007-090D)YA25-C
製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– 壓毛量過深 – 壓毛量過淺 – Rubbing-siju PI會剝落 Rubbing的密度不均勻 對角線方向等間隔的線狀Mura
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○×情報
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基板分割方式
全板 550x650 2 up 550x314.9 1 up
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Page-8.
1st Cut
製程材料或治具
– 刀刃角度：125º
製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– – – – 切割偏移 Bezel衝突 毛邊 Bezel衝突 Chipping Shock、Vibration、可靠度 破裂缺損 Shock、Vibration、可靠度
Page-2.
Alignment Section
TFT elevator CF/Array Stocker CF Cleaner Loader 1st Cut Buffer Edge Grind Cleaning Unloader Unpacking M/C PI Main Cure CF/Array Stocker PI Inspection PI Coater Pre-PI Cleaning Stocker Loader
2011/3/19
Page-24.
PI Inspection
製程目的
– 自動檢查及人工檢查PI Coating製程之異常
檢查項目
– – – – PI剝落 Pin-Hole Mura Priticles
2011/3/19
Page-25.
PI Main-Curing Main製程目的
– 為使polyamic acid完全轉化polyimide，並將溶 媒完全蒸發，而使配向膜定形，達到硬化目的
Spacer Sprayer
Pitch Measurement
Seal Oven . . . Seal Oven
JIG Press . . . . . JIG Press
Assembly Buffer Assembly
2011/3/19
Page-4.
LC Section
2nd Cut
Loader 2nd Cut in-line 2nd Cut in-line 2nd Cut off-line Anneal Anneal Loader 2nd Cut off-line Anneal Anneal Anneal in-line in-line Batch Batch
Page-30.
After Rubbing Cleaning
CF
Buffer
Buffer
PI Main Cure
Buffer
PI Inspection
PI Coater
Buffer
Pre-PI Cleaning
Loader
Buffer
Rubbing M/C
Unloader Stocker
Buffer
Rubbing M/C
Unloader
PI Remover
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LC Filler
in-line Batch Batch
End Seal
Cell Lighting
Repair Oven Laser Repair Visual Inspection Visual Inspection Visual Inspection
POL Attach Line
Auto Clave Auto Clave 2nd Bevel & Polarizer Attach 2nd Bevel & Polarizer Attach 2nd Bevel & Polarizer Attach Panel Cleaner & Isotropic Oven Gap measurement
2011/3/19 Page-23.
PI Pre-Curing Pre製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– 溫度過高或過低 膜厚不均 PI Mura – 排氣的風壓不均勻 溶媒揮發不一致 PI Mura – Pin的位置於面內 PI Mura – Pin的位置太高或太低 溫度不均 PI Mura
製程參數
– – – – – 搬送速度：2000mm/min SW1, 2流量：30L/min CJ壓力：15kg/cm2 Air Knife壓力：第一層上：0.9kg/cm2 第一層下：0.8kg/cm2
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Air Knife
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Page-13.
CF Cleaning
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Page-21.
PI Coating
製程治具
– APR板
製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– – – – – PI膜厚不均 PI斑、PI Mura Roller刮傷 PI Mura Particle殘留 Cell內異物 APR板不潔 Cell內異物、Pin-Hole 溼度過高 殘留DC值高 殘像
Page-14.
Pre-PI Cleaning Pre製程目的
– 配向膜PI塗佈前之清洗
製程參數
– – – – – – – –
2011/3/19
洗劑濃度/溫度：0.5% ／40ºC 搬送速度：1600mm/min Brush押入量：1mm 洗淨Shower流量：15L/min MS流量：36L/min MS輸出Level：100W Air Knife：上/下壓：0.9kg/cm2、 0.8kg/cm2 IR爐：150~170 º C
2011/3/19 Page-10.
Edge Grind
製程材料或治具
– 磨石粗糙度
製程異常與FA分析 製程異常與 分析
– Chipping – 破裂缺損 Shock、Vibration、可靠度 Shock、Vibration、可靠度
2011/3/19
Page-11.
Cleaning
製程目的
– 以DIW清洗研磨後的基板
Page-3.
Assembly Section
Sealing CF Loader Cleaner Buffer Sealing Buffer Seal Inspection Buffer Seal Curing Buffer
Sealing Transfer TFT Loader Cleaner Buffer Spacer Sprayer Buffer Buffer
2011/3/19
Page-6.
1st Cut
製程目的
– 將Array部份做完的TFT基板，切割成Single or Double size
製程參數
– 切入量：0.25mm – Scribe速度：250mm/sec – Scribe壓力 1, 2：1.8kg/cm2
製程管制
– Bar Code –切割精度 –chipping
INTRODUCTION OF CELL PROCESS
2011/3/19
Cell Process of color TFT-LCD TFTAlignment Section Assembly Section LC Section 配向段製程 組立段製程 組立段製程 液晶段製程 液晶段製程
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製程目的
– 以UV O3方式清潔CF基板
製程參數
– – – – – –
2011/3/19
搬送速度：2600mm/min 1st Air knife 上、下壓：0.75kg/cm2、0.7kg/cm2 2nd Air knife上、下壓：0.8kg/cm2、 0.75kg/cm2 UV 電壓：85V UV 照度：0.99J/cm2 Cooling air 流量：1600L/min
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Page-9.
Edge Grind
製程目的
– 將基板的長、短邊及轉角部份，加以研磨
製程參數
– 磨石旋轉速：5000rpm – 研磨速度：長邊、短邊部份：4500mm/sec – Corner部份：2000mm/sec
製程管制
– 面取量：0.2±0.1mm ± – Corner：1.0±0.5mm ± – 基板外觀尺寸：150±150µm ± µ
MDL
Auto Clave Auto Clave Auto Clave
2011/3/19
Page-5.
Alignment Section
TFT Unpacking M/C CF/Array Stocker Loader 1st Cut Buffer Edge Grind Cleaning Unloader
2011/3/19
Page-22.
PI Pre-Curing Pre製程目的
– Leveling of PI Film – 溶媒的蒸發
製程參數
– Pre-Curing的溫度 – 排氣的風壓 – Hot Plate上頂出pin的位置與高低
製程管制
– Hot Plate的設定溫度150ºC – 基板上的實際溫度80ºC – Hot Plate到基板間的距離 2.5mm
Page-29.
After Rubbing Cleaning
製程目的與原理
– 清除Rubbing製程後所殘留的毛屑或particles
製程參數及製程管制 製程參數及製程管制
– – – – – – –
2011/3/19
洗淨液溫度：40℃ ℃ 洗淨區US輸出：300W MS輸出Level：100W 頻率：1.6MHz Spin旋轉速：2000rpm IR爐：160℃ ℃ 冷卻Air量：1600L/min
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Page-20.
PI Coating
製程管制
– 製程時的濕度必須保持在45±5% ± – Coating 初步的厚度約10000Å – Pre-Curing 完之厚度約750 ± 250Å
製程材料－ 製程材料－PI
– SE-7492，polyimide + r-butyllacton 混合溶液 – 比例：5% solid content – 特性：Pre-tilt角度小，高保持率，低殘留DC