薄膜黄光蚀刻制程简介

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Touch panel ITO layer剖面圖
ITO film 200A
玻璃基板 (0.55 mm)
▪ ITO (Indium-Tin-Oxide) ▪ 透明導電膜 ▪ 高透過率
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ITO 製程腔室Chamber說明
陰極遮板
製程气体 (Ar, Ar+O2 ) 背板 靶材
絕緣板
冷卻水
磁 鐵
配合箱
真空計(MFC)
基板 Carrier
真空腔體
DC 直流電源供應
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Sputter ITO技術介紹
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大綱
• 成膜製程 • ITO 靶材 • 品質異常處理
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電漿(Plasma)
真空幫浦
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ITO成膜特性介紹
ITO膜性質的決定因素: 1.基板溫度:高溫成膜可降低sheet抵抗值 2.成膜壓力:成膜壓力會影響ITO膜與基板間的密著性，
一般成膜壓力控制在5E-03 h Pa ~ 7E-03 h Pa 3.氣體成份: 通常添加Ar及O2 作為濺鍍所需之氣體。理
SINTEK fab1 ITO O2量vs透過率(Power=3.1Kw)
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透過率（％）
O2/Ar=0
O2/Ar=0.9
100.0 99.0 98.0 97.0 96.0 95.0 94.0 93.0 92.0 91.0 90.0 89.0 88.0 87.0 86.0 85.0 84.0 83.0 82.0 81.0 80.0 79.0 78.0 77.0 76.0 75.0
成膜方式(續)
200℃ 140℃
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低溫成膜
高溫成膜 T
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熱剖面圖
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濺鍍(Sputtering)
利用電漿所產生的離子，藉著離子對被覆材電極的
轟擊，使電漿內具有被覆材料的原子，再進行薄膜 沉積反應。在陰極靶(Target)加一負高壓，使帶正電 離子(一般為Ar +)加速之後，以高動量狀態撞擊靶材，
經動量交換後，將靶材表面原子、二次電子 (Secondary electron)等濺鍍出。其中，原子在基板 (Substrate)表面沈積，形成薄膜;而二次電子朝陽極 (基板)加速，並於加速過程中再撞擊Ar氣體，使游離 出更多帶正電離子(Ar +)，此正電離子再由負高壓來
薄膜黃光蝕刻製程簡介 顏良富、簡鼎杰
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薄膜技術簡介
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ITO 膜厚之決定方式
導電率 D
透過率
電力值×1500A÷膜厚實測值＝變更電力值
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▪ 低Sheet阻抗值(高導電性)
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• 透明導電膜 可視透過率＞90﹪以上 (400~700nm)，sheet抵抗<180 Ω/□以下
加速並撞擊靶材，如此不斷重複此過程，置備所需 之薄膜。
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真空室 基板
濺鍍的原理
-2kV
靶材
Ar+
e-
電漿
氣入口 真空泵
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2nd約200℃ (3.8-4.0kw)
低溫成膜 真空回火 約 140℃ 大氣回火 約 140℃
膜厚
200A， 1300A
1500A 1500A
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• 高品質透明導電膜的基本要求： 高透過率，低sheet抵抗值。
• ITO (Indium-Tin-Oxide):
與其他透明導電膜比較(IZO)，ITO膜的性 能好，生產安定性佳。
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論上，若O2 的比例越大，其透過率越佳; 但
抵抗值則在某一比例時會得到最低值。
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成膜方式
• 濺鍍的種類 方法 回火
成膜溫度
1st約140℃ 高溫成膜 無需回火 (約1.9kw)